材料研究学报  1989, Vol. 3 Issue (5): 456-459

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稀土磷化物的温差电性质

孟建;任玉芳

中国科学院长春应用化学研究所;长春市130022;中国科学院长春应用化学研究所

THE THERMOELECTRIC PROPERTY OF RARE-EARTH MONOPHOSPHIDES

MENG Jian REN Yufang (Changchun Institute of Applied Chemistry;Academia Sinica)

孟建;任玉芳. 稀土磷化物的温差电性质[J]. 材料研究学报, 1989, 3(5): 456-459.
, . THE THERMOELECTRIC PROPERTY OF RARE-EARTH MONOPHOSPHIDES[J]. Chin J Mater Res, 1989, 3(5): 456-459.

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(326 KB)   摘要: 本文研究了LnP(Ln=La,Nd,Sm,Y)在低温和高温下的温差电性质.测量了它们的温差电动势率随温度变化的关系.在不同温度区间的温差电动势率与温度的关系而求出的活化能符合较好,说明LnP 是一种n 型半导体材料,它有较高的载流子浓度和较低的电阻率。有可能在温差电领域取得应用. 关键词 ： 稀土磷化物,  温差电动势率,  半导体     Abstract：The thermoelectric property of rare earth monophosphides at twotemperaure's ranges have been studied.The relation of thermoelectric power co-efficient and temperature have been measured.The activation energy may becalculated from above relation.It is obvi Key words： rare-earth monophosphides    thermoelectric power coefficient    semiconducor 收稿日期: 1989-10-25      基金资助:国家自然科学基金;9287009 服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 孟建 任玉芳 44.8K 链接本文: https://www.cjmr.org/CN/      或      https://www.cjmr.org/CN/Y1989/V3/I5/456 1 Sclar N.J Appl Phys,1962;33:2999 2 Reid F J,Matson L K,Miller J F,Himes R C.J Electrochem Soc,1964;111:943 3 Dismukes J P.Yim W M,Ban V S.J Cryst Growth,1972;13/14:365 4 Yaguchi K.J Phys Soc Jap,1966;21:1226 5 Ren Yufang,Meng Jian.ln:Xu Guangxian,Xiao Jimei eds.New Front Rare Earth Sci Appl,Beijing:Science Press,1985:326 6 Kaldis E.J Cryst Growth,1974;24/25:53 7 G(?)ntherodt G,Wachter P.In:Haschke J M,Eick H A eds.Proc.11th.Rare Earth Conf.,Tennessee:United States Atomic Energy Commission Technical Informtaion Center,1974:820 8 Hulliger F,U S Pat 3 403 002,1968 9 A Φ 约飞,汤定元,洪朝生等译.近代物理学中的半导体,北京:科学出版社,1955:182 10 任玉芳,盂建.太阳能学报,1988;91:51Z [1] 任富彦, 欧阳二明. g-C3N4 改性Bi2O3 对盐酸四环素的光催化降解[J]. 材料研究学报, 2023, 37(8): 633-640. [2] 段炼,邱勇. 有机发光材料与器件研究进展[J]. 材料研究学报, 2015, 29(5): 321-336. [3] 曹明杰,赵明,庄大明,郭力,欧阳良琦,李晓龙,宋军. 磁控溅射制备非晶铟镓锌氧化物薄膜的电学性能研究[J]. 材料研究学报, 2015, 29(1): 51-54. [4] 尧志刚 朱晓飞 张广平. 几种单晶半导体材料在压痕下的变形与断裂行为比较[J]. 材料研究学报, 2009, 23(2): 180-186. [5] 高志远 段焕淘 郝跃 李培咸 张金凤. GaN薄膜大型V形表面坑的形成和光学性质[J]. 材料研究学报, 2008, 22(6): 657-663. [6] 张晋敏; 谢泉; 梁艳; 曾武贤 . Fe/Si薄膜中硅化物的形成和氧化[J]. 材料研究学报, 2008, 22(3): 297-302. [7] 孙超; 陈猛; 裴志亮; 曹鸿涛; 黄荣芳; 闻立时 . 透明导电膜ZnO:Al的组织结构与特性[J]. 材料研究学报, 2002, 16(2): 113-120. [8] 孙景志; 汪茫; 周成 . 有机/聚合物图像传感材料的研究进展[J]. 材料研究学报, 2001, 15(6): 600-604. [9] 石旺舟;林揆训;林璇英. 纳米GaAs-SiO_2镶嵌复合薄膜的制备[J]. 材料研究学报, 1998, 12(5): 555-557. [10] 杨桦;王子忱;赵纯;宋利珠;赵慕愚;陈一民;窦凯;虞家琪. 掺杂锰的硫化锌纳米晶的光学性质[J]. 材料研究学报, 1996, 10(5): 544-546. [11] 林海安;吴冲若. 聚酰亚胺LB膜MIS结构C-V特性[J]. 材料研究学报, 1994, 8(1): 88-92. [12] 崔万秋;程皓;龚定农;张斗. 半导体陶瓷致冷材料的性能与结构[J]. 材料研究学报, 1993, 7(3): 219-224. [13] 熊家炯;朱嘉麟. 半导体超晶格、量子阱材料的进展[J]. 材料研究学报, 1990, 4(2): 113-120. [14] 彭启才;周心明;蔡伯埙. a-Si:H/a-Si_(1-x)C_x:H 多层膜的电学和光学性质[J]. 材料研究学报, 1989, 3(1): 65-70. Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed