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材料研究学报  1991, Vol. 5 Issue (3): 199-204    
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Cu—Ge 非晶薄膜的形成与晶化研究
颜海波;干福熹
中国科学院上海光学精密机械研究所;8216信箱上海市201800;中国科学院上海光学精密机械研究所
FORMATION AND CRYSTALLIZATION OF AMORPHOUS Cu-Ge ALLOY FILMS
YAN Haibo GAN Fuxi (Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics;Academia Sinica)
引用本文:

颜海波;干福熹. Cu—Ge 非晶薄膜的形成与晶化研究[J]. 材料研究学报, 1991, 5(3): 199-204.
, . FORMATION AND CRYSTALLIZATION OF AMORPHOUS Cu-Ge ALLOY FILMS[J]. Chin J Mater Res, 1991, 5(3): 199-204.

全文: PDF(1896 KB)  
摘要: 采用液氮冷却基片的气相沉积法,制备了Cu-Ge 非晶薄膜。电阻测量及TEM 形貌、电子衍射等分析表明,非晶态合金的形成能力及稳定性与成分密切相关。对Cu_(100-x)Ge_x 合金膜,在x<25成分区,形成的非晶态稳定性差,晶化初期出现fcc 结构的亚稳晶相;在x>25成分区,有较高稳定性的非晶相形成,晶化后形成Cu_3Ge 相。用合金化化学键效应观点解释了非晶态的形成、结构及结构转变行为。
关键词 Cu-Ge 合金非晶薄膜晶化    
Abstract:Cu-Ge amorphous films with an extensive composition range have beenprepared by vapour quenching onto cooled substrates at liquid nitrogen temperature.Theanalyses of electric resistivity,electron microscopy and diffraction indicate that the amor-phous form
Key wordsCu-Ge alloy    amorphous film    crystallization
收稿日期: 1991-06-25     
基金资助:国家自然科学基金,181231860709
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