镍钼修饰的p型硅电极材料的制备和性能

材料研究学报

2002, Vol. 16

Issue (1): 82-87

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镍钼修饰的p型硅电极材料的制备和性能

姚素薇;赵转清;张卫国;龚正烈

天津大学; 天津理工学院

引用本文:

姚素薇; 赵转清; 张卫国; 龚正烈 . 镍钼修饰的p型硅电极材料的制备和性能[J]. 材料研究学报, 2002, 16(1): 82-87.

全文: PDF(451 KB)

摘要: 在半导体p型Si上恒电流沉积纳米晶和非晶Ni-Mo合金薄膜，制备出Ni-Mo合金修饰的半导体p型Si电极镀层，用SEM对膜层进行了表征。测量了两种电极镀层的阴极催化析氢曲线，纳米晶Ni-Mo/p-Si镀层的催化析氢性能较好。测量了光照下纳米晶Ni-Mo/p-Si电极的催化析氢曲线，结果表明，Ni-Mo颗粒尺寸在40~100nm时，光照下电极的析氢过电位比无光照减小了约160mV(在电流密度为8mA•cm-2的条件下)，催化析氢活性得到显著提高。

关键词 ： Ni-Mo/p-Si, 纳米晶, 催化析氢, 光照

Key words：

收稿日期: 1900-01-01

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