材料研究学报  2001, Vol. 15 Issue (4): 451-454

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用电共沉积方法制备InGaAs薄膜

王喜莲1;李浴春1;韩爱珍1;高元恺1; 杨志伟2

1哈尔滨工业大学;2山东大学

王喜莲; 李浴春; 韩爱珍; 高元恺; 杨志伟 . 用电共沉积方法制备InGaAs薄膜[J]. 材料研究学报, 2001, 15(4): 451-454.

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(353 KB)   摘要: 用电共沉积方法制备出4种InGaAs薄膜, 用能谱析仪分析了薄膜成分,用分光光度计和单色仪测量薄膜的透射率. 结果表明,InxGa1-xAs薄膜为多晶结构, 晶粒尺寸约为0.25μm,晶粒细致、均匀, 其V-I特性是线性的, 随着Ga含量的减少, 发光波长增大.InGaAs薄膜的发射光波长为1.3~1.5μm. 关键词 ： InGaAs薄膜,  电共沉积     Key words： 收稿日期: 1900-01-01      服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 王喜莲 李浴春 韩爱珍 高元恺 杨志伟 44.8K 链接本文: https://www.cjmr.org/CN/Y2001/V15/I4/451 1 王贤仁,董志武,戴国瑞,光电子材料及应用的某些进展(长春,吉林大学出版社,1989)p.11(WANG Xianren, DONG Zhiwu, DAI Guorui, Optoelectronic Materials and Its Applicationsz (in Chinese)[M]. Changchun: Press of Jilin University. 1989, p.11) 2 [日]御子柴宣夫著,袁健畴译,电子材料(北京,电子工业出版社,1988)p.170(Mikoshida Noduo. Electronic Materials (in Chinese)[M]. Beijing: Press of Electronic Industry. 1988, p.170) 3 曲喜新,杨邦朝,姜节俭,张怀武,电子薄膜材料(北京,科学出版社、1996)p.163(QU Xixin, YANG Bangchao, JIANG Jiejian, ZHANG Huaiwu, Materials of Electronic Film (in Chinese) [M]. Beijing: Science Press. 1996, p.163) 4 黄德秀,任重远.电子材料物理化学(上海,上海科技出版社、1986)p.171(HUANG Dexiu, REN Zhongyuan, Physical Chemistry of Electronic Materials (in Chinese) [M]. Shanghai:Science and Technology Press. 1986, p.171) 5 S.Chandra, Neerajkhare, Semicond.Sci.Technol., 2, 180(1987) 6 黄德修,半导体光电子学(成都,电子科技大学出版社,1994)P.(HUANG Dexiu, Optoelectronice of Semiconductors (in Chinese) [M]. Chengdu: Press of Electronic Scienceand Technology University, 1994, p.49) 7 杜经宁;J.W.迈耶,L.C.德曼著,黄信凡,杜家方,陈坤基译,电子薄膜科学(北京,科学出版社,1997)p.185(DU Jingning, J.W.Maiye, L.C.Deman. Interpreter: Huang Xinfan, Du Jiafang, Chen Kunji. Science ofElectronic Film (in Chinese) [M]. Beijing: Science Press, 1997, p.185) 8 刘恩科,光电池与应用(北京,科学出版社,1989)p.5(LIU Enke, Solar Cell and Its Application (in Chinese) [M]. Beijing: Science Press, 1989, p.5) No related articles found! Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed