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材料研究学报  1999, Vol. 13 Issue (4): 441-444    
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淀积磁场对NiO/Ni81Fe19双层膜特性的影响
邱进军;莫赞;李佐宜;郑远开;吴丹丹;彭子龙;熊锐;胡作启;莫少坡
华中理工大学;武汉大学
引用本文:

邱进军; 莫赞; 李佐宜; 郑远开; 吴丹丹; 彭子龙; 熊锐; 胡作启; 莫少坡 . 淀积磁场对NiO/Ni81Fe19双层膜特性的影响[J]. 材料研究学报, 1999, 13(4): 441-444.

全文: PDF(421 KB)  
摘要: 用射频磁控溅射法在外磁场中淀积NiO/Ni81Fe19双层膜, 利用淀积磁场Hde诱导易轴并确定交换耦合场方向. 研究了淀积磁场对NiO/NiFe双层膜特性的影响, 结果表明, 淀积磁场改善了双层膜的磁滞回线的矩形度, 减小矫顽力, 增强交换耦合作用. 反铁磁性层NiO和铁磁性层NiFe的厚度对矫顽力和交换耦合作用有很大的影响. 在56kA/m的磁场中制备的NiO(50nm)/NiFe(25nm)双层膜的易轴矫顽力HC为1.9kA/m, 交换耦合场HEX为2.6kA/m, 临界温度Tc为150℃, 截止温度TB为230℃.
关键词 淀积磁场矫顽力交换耦合场    
Key words
收稿日期: 1900-01-01     
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