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材料研究学报  1999, Vol. 13 Issue (1): 36-41    
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CeSi薄膜的离子束合成及其室温光致发光特性
程国安;徐松兰;叶敦茹;朱景环;肖志松;曾庆城
南昌大学
引用本文:

程国安; 徐松兰; 叶敦茹; 朱景环; 肖志松; 曾庆城 . CeSi薄膜的离子束合成及其室温光致发光特性[J]. 材料研究学报, 1999, 13(1): 36-41.

全文: PDF(603 KB)  
摘要: 将能量为45keV的Ce离子注入到Si单晶片中, 研究硅化铈薄膜的离子束合成及其室温光致发光特性. 透射电镜观察表明在单晶硅的表面形成厚100nm的Ce离子注入层, 选区电子衍射和X射线衍射分析表明注入层内形成了CeSi2. CeSi2的结晶程度随注入剂量的增加而逐渐完整. 用远紫外光激发得到了室温蓝紫色PL谱, 以红光(650~700nm)激发, 则上转换蓝光和紫光发射的效率较高, 其发光特性比较稳定. 蓝光和紫光受激发射峰的强度随注入剂量的增加而迅速增加.
关键词 CeSi2离子束合成光致蓝紫光谱    
Key words
收稿日期: 1900-01-01     
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