材料研究学报  1998, Vol. 12 Issue (4): 357-362

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ACRT-B法晶体生长过程的传质模型

刘晓华;郭喜平;介万奇;徐嵬;周尧和

西北工业大学凝固技术国家重点实验室;西安市;710072;西北工业大学凝固技术国家重点实验室;西安市;710072;西北工业大学凝固技术国家重点实验室;西安市;710072;西北工业大学凝固技术国家重点实验室;西安市;710072;西北工业大学凝固技术国家重点实验室;西安市;710072

SOLUTE TRANSPORT MODEL OF ACRT-B CRYSTAL GROWTH PROCESS

LIU Xiaohua;GUO Xiping;JIE Wanqi;XU Wei;ZHOU Yaohe (State Key Laboratory of Solidification Processing; Northwestern Polytechnical University;Xi'an 710072; China)

刘晓华;郭喜平;介万奇;徐嵬;周尧和. ACRT-B法晶体生长过程的传质模型[J]. 材料研究学报, 1998, 12(4): 357-362.
, , , , . SOLUTE TRANSPORT MODEL OF ACRT-B CRYSTAL GROWTH PROCESS[J]. Chin J Mater Res, 1998, 12(4): 357-362.

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(532 KB)   摘要: 基于对ACRT-B法晶体生长时对流及传质特性的认识,提出了ACRT-B法晶体生长过程的一维传质模型得到了包括初始过渡区、稳态区及终端过渡区轴向成分分布的解析解定量计算结果表明,与传统Bridgman法相比,在生长参数不变的条件下,运用ACRT会失去部分轴向成分均匀区在保证ACRT提高结晶度及径向成分均匀性的前提下,适当提高生长速度,选择尽可能小的坩埚最大转速面Δωmax或选用长径比更大的坩埚,是改善ACRT-B晶锭轴向成分均匀性的有效而可行的途径 关键词 ： 晶体生长,  ACRT-B法,  传质模型     Abstract：Based on the present knowledge of convective flow and solute transport during ACRT-B crystal growth process, a one-dimensional soIute transport modeI of ACRT-B cyStal grwthis presented. AnalyticaI results of axial solute distribution applicable to the ini Key words： crystal growth    ACRT-B method    solute transport model 收稿日期: 1998-08-25      服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 刘晓华 郭喜平 介万奇 徐嵬 周尧和 44.8K 链接本文: https://www.cjmr.org/CN/      或      https://www.cjmr.org/CN/Y1998/V12/I4/357 1P Capper,J J Gosney C L Jones,et al. J of Electronic Mat,15(6),361(1986) 2P Capper,J J、Gosney C L.Jones,et al.J of Electronic Mat 15(6),371(1986) 3P.Copper,Prog Grystal Crowth,Charact,19,259(1989) 4J、C Brice,P Capper,C.L Jones,et al.Prog Crystal Growth and Charact,18,197(1986) 5P Capper,J C Brice,Journal of Crystal Growth,89,171(1988) 6M F Larrousse,Ph D thesis,Clarkson University,USA,(1987) 7J Zhou,M.F Larrousse,W.R Wilxox et al. Journal of Crystal Growth,128,173(1993) 8L O Wilson ,Journal of Crystal Growth,48,435(1980) 9R.T Gray,M.F Larrousse,W.R.Wilcox Journal of Crystal Growth,92,530(1988) 10V G.Smith, W.A.Tiller and J.W Rutter, Can J Phys, 33, 723(1953) 11Jie Wan-Qi Ma Dong,Journal of Crystal Growth,156;467(1995) 12Do Hyun Kim,Robert A.Brown,Journal of Crystal Growth,114,411(1991) 13W Tolksdorf F.Welz, Journal of Crystal Growth,13/14,566(1972)> [1] 李红霞,李保卫,徐鹏飞,刘中兴. 热处理时间对透辉石系尾矿微晶玻璃析晶及其性能的影响[J]. 材料研究学报, 2020, 34(3): 209-216. [2] 王伟; 顾惠敏; 翟玉春; 戴永年. 球形氢氧化镁的制备及其晶体生长动力学[J]. 材料研究学报, 2008, 22(6): 585-588. [3] 许桂生; 王晓锋; 杨丹凤; 段子青 . Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3晶体组分对结构与性能的影响[J]. 材料研究学报, 2005, 19(5): 506-511. [4] 刘俊成; 谷智; 介万奇 . 垂直布里奇曼法CdZnTe晶体生长过程的数值分析[J]. 材料研究学报, 2003, 17(6): 654-658. [5] 张承乾; 王继扬; 陈创天 . 紫外倍频晶体K2Al2B2O7的生长与性能[J]. 材料研究学报, 2002, 16(6): 595-599. [6] 王继扬; 邵宗书; 刘耀岗; 胡小波; 刘均海; 魏景谦; 蒋民华 . 用于连续激光器的磷酸钛氧钾晶体的制备和性能[J]. 材料研究学报, 2001, 15(1): 143-149. [7] 黄敏; 张守业 . 掺Ce稀土铁石榴石单晶的制备及磁光性能[J]. 材料研究学报, 2000, 14(4): 393-396. [8] 刘士防;秦自楷;钟维烈;韩建儒. 压电晶体Al_(1-x)Ga_xPO_4的生长及其特性[J]. 材料研究学报, 1996, 10(3): 304-306. Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed