材料研究学报  1998, Vol. 12 Issue (3): 299-302

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SiC埋层结构与C~+注入剂量关系

严辉;陈光华

北京工业大学;北京市;100022;北京工业大学

DEPENDENCE OF STRUCTURE OF BURIED SiC LMERS ON C~+ IMPLANTATION DOSE

YAN Hui; CHEN Guanghua (Dep. of Applied Physics; Beijing Polytechnic University; Beijing 100022)

严辉;陈光华. SiC埋层结构与C~+注入剂量关系[J]. 材料研究学报, 1998, 12(3): 299-302.
, . DEPENDENCE OF STRUCTURE OF BURIED SiC LMERS ON C~+ IMPLANTATION DOSE[J]. Chin J Mater Res, 1998, 12(3): 299-302.

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(294 KB)   摘要: 采用MetalVaporVacuumArc(MEVVA)离子源的离子束合成法,往Si衬底注入剂量为3.0×1017～1.6×1018cm-2的C+制成SiC埋层,C+离子束的引出能量为50keV.光电子能谱和红外吸收谱表明SiC埋层的结构特征明显地依赖于剂量,采用MEVVA离子源可以在平均衬底温度低于400℃时得到含有立方结构的SiC埋层. 关键词 ： MEVVA离子源,  离子束合成,  SiC埋层     Abstract：Buried SiC layers of different implantation doses were formed by using a metal vapor vacuum arc (MEVVA) ion source, with C+ ions implanted into Si substrates. In the present study the beam energy was 50keV and the ion dose was varied from 3.0×1017cm-2 to Key words： MEVVA ion source    ion beam synthesis    buried SiC layers 收稿日期: 1998-06-25      基金资助:北京市科技新星计划资助 服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 严辉 陈光华 44.8K 链接本文: https://www.cjmr.org/CN/      或      https://www.cjmr.org/CN/Y1998/V12/I3/299 1 I. H. Wilson, IOn Beam Modification of Insulators (New York, Elsevier,1987) p.245 2 A. Ne jim, P. L. F. Hemment, J. Stoemenos, Appl. Phys. Lett. 66(20), 2646(1995) 3 I. G. Brown, J. E. Galvin, B. F. Grvin, R. A. MacGill, Rev. Sci. Instrum. 57(6), 1069(1986) 4 H. Yan, R. W. M. Kwok, S. P. Wong, Appl. Sci. Science 92, 61(1996) 5 W. G. Spitzer, D. A. Klelnman, C. J. Frosch, Phys. Rev. 113(1), 133(1957) 6 J. A. Borders, S. T. Picraux, W.Beezhold, Appl. Phys. Lett. 18(6), 509(1971)c [1] 程国安; 徐松兰; 叶敦茹; 朱景环; 肖志松; 曾庆城 . CeSi薄膜的离子束合成及其室温光致发光特性[J]. 材料研究学报, 1999, 13(1): 36-41. Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed