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材料研究学报  1998, Vol. 12 Issue (2): 139-143    
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低温共烧多层AlN陶瓷基片
吴音;缪卫国;刘耀诚;周和平
清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室;清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室;清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室;清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室
LOW TEMPERRTURE COFIRED AIN MULTILAYER SUBSTRATES
WU Yin; MIAO Weiguo;LIU Yaocheng;ZHOU Heping(Depart.of Materials and Engineering of Tsinghua University; Beijing 100084 )
引用本文:

吴音;缪卫国;刘耀诚;周和平. 低温共烧多层AlN陶瓷基片[J]. 材料研究学报, 1998, 12(2): 139-143.
, , , . LOW TEMPERRTURE COFIRED AIN MULTILAYER SUBSTRATES[J]. Chin J Mater Res, 1998, 12(2): 139-143.

全文: PDF(1696 KB)  
摘要: 介绍了由高热导率AlN陶瓷与金属W制备的低温共烧多层AlN基片研究了以Dy2O3为主的添加系统对低温烧结AlN性能、显微结构的影响以及制备低温共烧基片的关键工艺,如排胶、烧成等,结果表明:以Dy2O3为主的添加系统可有效地降低烧结温度和去除AlN晶格氧在1650℃的氮中无压烧结4h,热导率达130W(m·K)-1;两步排胶法可以较好地解决W氧化及AlN晶粒表面吸附残余碳的问题;烧结时在1400~1650℃慢速升温,可减小共烷基片的翘曲和残余应力
关键词 AlN陶瓷低温共烧多层送片热导率    
Abstract:A kind of low temperature cofired AIN multilayer substrates was introduced which consist of high thermal conductivity of AIN ceramics and metal W. The influence of doping system with Dy2O3 on the low temperature AIN characteristics and microstructure was
Key wordsaluminum nitride    low temperature cofire    multilayer substrate    thermal conductivity
收稿日期: 1998-04-25     
基金资助:国家自然科学基金!6939120-2
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