材料研究学报  1997, Vol. 11 Issue (5): 531-534

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SiO_2在ZnO-Bi_2O_3-Sb_2O_3-BaO系压敏陶瓷中的作用

傅刚;陈环;陈志雄

广州师范学院物理系;广州市;510400;广州师范学院;广州师范学院

EFFECTS OF ADDITIVE SiO_2 IN VARISTOR CERAMICS BASED ON ZnO-Bi_2O_3-Sb_2O_3-BaO SYSTEM

FU Gang; CHEN Huan; CHEN Zhixiong(Guangzhou Normal University)

傅刚;陈环;陈志雄. SiO_2在ZnO-Bi_2O_3-Sb_2O_3-BaO系压敏陶瓷中的作用[J]. 材料研究学报, 1997, 11(5): 531-534.
, , . EFFECTS OF ADDITIVE SiO_2 IN VARISTOR CERAMICS BASED ON ZnO-Bi_2O_3-Sb_2O_3-BaO SYSTEM[J]. Chin J Mater Res, 1997, 11(5): 531-534.

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(304 KB)   摘要: SiO2添加剂对ZnO-Bi2O3-Sb2O3-BaO系和通常的ZnO-Bi2O3-Sb2O3系压敏陶瓷电性能的作用和影响有很大不同通过小电流区伏安特性,交变电压下复阻抗特性,以及对复电容平面图中半弧特性的分析可知,StiO2对ZnO-Bi2O3-Sb2O3-BaO系压敏陶瓷中电性能影响是晶界组分及微结构变化造成的 关键词 ： ZnO压敏陶瓷,  SiO_2添加剂,  复阻抗,  复电容,  伏安特性     Abstract：The effects of additive SiO2 in the varistor ceramics based on ZnO-Bi2O3-Sb203-BaO system are great different apparently from that based on ZnO-Bi2O3-Sb2O3 sysrem. By measurements and analyses of V-I characteristics, complex impedance plots and complex ca Key words： ZnO varistors additive SiO_2 complex impedance complex capacitance V-I characteristic 收稿日期: 1997-10-25      基金资助:国家自然科学基金!59372092 服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 傅刚 陈环 陈志雄 44.8K 链接本文: https://www.cjmr.org/CN/      或      https://www.cjmr.org/CN/Y1997/V11/I5/531 1.山崎武夫.日本专利特愿昭63-144949.(1988) 2东孝二.日本专利特愿58-180114(1983) 3.Z.X.Chen, G.Fu, G.C.Lin. In ICECM-ICSA’95, Proc. Inern. Conf onF Electronic Components and MaterialsSensors and Actuutors,edited by International Academic Publishers,(Beijing 1995)p.43 [1] 王昊, 赵洪峰, 康加爽, 周远翔, 谢清云. B2O3和Al2O3共同掺杂ZnO压敏陶瓷的性能[J]. 材料研究学报, 2021, 35(2): 110-114. [2] 刘旭东 毕孝国 关新 董颖男. 全沉积型铅酸液流电池石墨毡正极的性能[J]. 材料研究学报, 2012, 26(4): 372-376. [3] 徐国跃; 谢国治; 陶杰; 马立新 . Mn离子的价态变化与ZnO压敏陶瓷的$V$--$I$非线性[J]. 材料研究学报, 2000, 14(2): 198-202. [4] 康雪雅;陶明德;涂铭旌. ZnO压敏陶瓷的晶界结构[J]. 材料研究学报, 1996, 10(3): 301-303. Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed