材料研究学报  1997, Vol. 11 Issue (5): 511-514

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离子束增强沉积Si_3N_4/Si多层红外干涉滤波薄膜

江炳尧;张福民;孙义林;陈酉善;柳襄怀

中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室;中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室;中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室;中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室;中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室

INFRARED FILTER FABRICATION BY ION BEAM ASSISTED DEPOSITION OF Si_3N_4 / Si FILMS

JIANG Bingyao ;ZHANG Fumin; SUN Yilin; CHEN Youshan; LIU Xianghuai(Ion Beam Laboralory; Shanghai Institute of Metallurgy; CAS)

江炳尧;张福民;孙义林;陈酉善;柳襄怀. 离子束增强沉积Si_3N_4/Si多层红外干涉滤波薄膜[J]. 材料研究学报, 1997, 11(5): 511-514.
, , , , . INFRARED FILTER FABRICATION BY ION BEAM ASSISTED DEPOSITION OF Si_3N_4 / Si FILMS[J]. Chin J Mater Res, 1997, 11(5): 511-514.

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(353 KB)   摘要: 利用离子束增强沉积工艺,在硅基片上制备Si3N4/Si多层红外干涉滤波薄膜结果表明,N2+N的辅助轰击对于合成接近化学配比的Si3N4薄膜起了关键作用薄膜的折射率可达1.74～1.84实验测得的多层滤波薄膜的红外反射谱与理论值相当接近 关键词 ： 红外干涉滤波膜,  离子束增强沉积     Abstract：Infrared filter was fabricated by ion beam assisted deposition of Si3N4/ Si films on the Si substrate. The experiments found that the N2+N+ ion assisted bom-bardment is the key of synthesis Si3N4 films. Strong peaks were found in the infrared reflection s Key words： infraed filter ion beam assisted deposition Correspondent JIANG Bingyao    Ion Beam Laboratory    Shanghai Institute of Matellurgy    CAS    Shanghai 200050 收稿日期: 1997-10-25      服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 江炳尧 张福民 孙义林 陈酉善 柳襄怀 44.8K 链接本文: https://www.cjmr.org/CN/      或      https://www.cjmr.org/CN/Y1997/V11/I5/511 1. J.F.Ziegler, J.P.Biersack, U.Littmerk. The Stopping and Raners of Ions in Solids Vol.l of Seriest Stopping andRanges of Ions in Mater(New York, Pergamon Press, 1985) 2. H.J.Erler, G.Reisse, C.Weissmantel, Thin Solid Films. 65, 233(1980) 3. D.K.Brice, Nucl.Instr. and Meth. B17, 289(1986) 4. G.Q.Yang, B.Y.Jiang, Wei Zhou, X.H.Liu, S.C.Zou, Nucl. Instr. and Meth. B37 / 38, 424(1989) [1] 陈吉华; 杨大智; 刘敬肖; 王伟强 . Ti-Ta-O复合薄膜的制备及抗腐蚀性[J]. 材料研究学报, 2001, 15(5): 589-592. [2] 柳襄怀;杨根庆;王曦;郑志宏;黄巍;邹世昌. 离子束增强沉积形成梯度薄膜[J]. 材料研究学报, 1994, 8(1): 61-66. Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed