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材料研究学报  1996, Vol. 10 Issue (3): 301-303    
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ZnO压敏陶瓷的晶界结构
康雪雅;陶明德;涂铭旌
中国科学院新疆物理研究所;四川联合大学
GRAIN-BOUNDARY STRUCTURE OF ZnO VARISTOR CERAMIC
KANG Xueya;TAO Mingde (Xingjiang; Institute of physics;Chinese Academy of Sciences)TU Mingjing (Sichuan Unite University)(Correspondent:KANG Xueya;Xingjiang institute of Physics;Chinese Academy of Sciences;Wulumqi(Urumqi) 830011)
引用本文:

康雪雅;陶明德;涂铭旌. ZnO压敏陶瓷的晶界结构[J]. 材料研究学报, 1996, 10(3): 301-303.
, , . GRAIN-BOUNDARY STRUCTURE OF ZnO VARISTOR CERAMIC[J]. Chin J Mater Res, 1996, 10(3): 301-303.

全文: PDF(1681 KB)  
摘要: 用XRD,SEM,TEM研究了低压ZnO压敏陶瓷的相结构与晶界结构,证实了晶界相的不连续性,发现低压ZnO—Bi_2O_3—TiO_2系中ZnO—ZnO晶粒直接接触区晶界宽度约为45nm,以及烧结过程中晶界上ZnO纳米级单晶的迁移行为并计算出ZnO晶界移动激活能Qm.
关键词 ZnO压敏陶瓷晶界结构    
Abstract:A microstructural evaluation of a low-voltage ZnO varistor ceramic was made by scanning and transmission electron microscopy.It is suggested that the ZnO grains are mostly in direct contact with each other and that the intergranular phase is located prima
Key wordsZnO varistor ceramic grain-boundary structure
收稿日期: 1996-06-25     
基金资助:中国科学院青年基金
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