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材料研究学报  1996, Vol. 10 Issue (3): 304-306    
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压电晶体Al_(1-x)Ga_xPO_4的生长及其特性
刘士防;秦自楷;钟维烈;韩建儒
山东省济宁师范专科学校;山东大学
GROWTH AND PROPERTIES OF A NEW PIEZOELECTRIC SINGLE CRYSTAL Al_(1-x) Ga_xPO_4
LIU Shifang;QIN Zikai;ZHONG Weilie;HAN Jianru(Jining Teacher's College)(Shandong University)(Correspondent:LIU Shifang.Department of Physics.Jining Teacher's College.Shandong Province 272125)
引用本文:

刘士防;秦自楷;钟维烈;韩建儒. 压电晶体Al_(1-x)Ga_xPO_4的生长及其特性[J]. 材料研究学报, 1996, 10(3): 304-306.
, , , . GROWTH AND PROPERTIES OF A NEW PIEZOELECTRIC SINGLE CRYSTAL Al_(1-x) Ga_xPO_4[J]. Chin J Mater Res, 1996, 10(3): 304-306.

全文: PDF(216 KB)  
摘要: 用缓慢升温法成功研制出非铁电性二元系压电新晶体Al_(0.88)Ga_(0.12)PO_4.通过原子光谱吸收、Rutherford背散射及X射线粉末衍射测定其组分及结构.并给出了新晶体的电弹常数和温度系数.
关键词 压电晶体晶体生长Al_(0.88)Ca_(0.12)PO_4    
Abstract:Non-feroelectric binary system piezoelectric,single crystal Al(0.88)Ga(0.12) PO4 was grown from solution by slow heating method.The crystal composition and structure were analyzed by means of atomic obsoletion spectroscopy,Rutherford back scattering and X
Key wordspiezoelectric crystal crystal growth Al_(0.88)Ga_(0.12)PO_4
收稿日期: 1996-06-25     
1ByrappaKetal.JMaterSoi.1986.21;22022ByrappaKetal.JMaterSciLett,1986,5:203,4952王矜奉,秦自楷等.压电晶体技术,1989.4;1903王弘等.物理学报,1985,34:16344秦自楷,张晶波.压电晶体技术.1987、4:
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