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材料研究学报  1996, Vol. 10 Issue (3): 289-292    
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氮对纳米硅氮薄膜品化的影响
韩伟强;韩高荣;聂东林;丁子上
浙江大学材料系;清华大学物理系;山东建材学院
INCORPORATION EFFECT OF NITROGEN INTO nc-SiN_x:H FILMS
HAN Weiqiang;HAN Gaorong; NIE Donglin;DING Zishang(Zhejiang University;Tsinghua University;Shangdong Bwilding Materials Industry College)(Correspondent:HAN Weiqiang;Department of Physics;Tsinghua University;Beijing 100084)
引用本文:

韩伟强;韩高荣;聂东林;丁子上. 氮对纳米硅氮薄膜品化的影响[J]. 材料研究学报, 1996, 10(3): 289-292.
, , , . INCORPORATION EFFECT OF NITROGEN INTO nc-SiN_x:H FILMS[J]. Chin J Mater Res, 1996, 10(3): 289-292.

全文: PDF(1430 KB)  
摘要: 在电容式耦合等离子体化学气相沉积系统中,用高氢稀释硅烷和氮气为反应气氛制备纳米硅氮(nc-SiNx:H)薄膜结果表明:当N_2/SiH_4气体流量比(Xn)从1增加为4时,薄膜的晶态年从58%降至14%,晶粒尺寸从10nm降至5um,N/Si含量比从0.03增至0.12.当Xn≥5,则生成非晶硅氮(a-SiNx:H)薄膜.当Xn从1增加为10时,薄膜暗电导率从10 ̄(-5)(Ωcm) ̄(-1)降至10 ̄(-11)(Ωcm) ̄(-1),具有逾渗行为,这与薄膜的晶态率紧密相关.
关键词 纳米硅氮薄膜晶态率晶粒尺寸电导率    
Abstract:Undoped nanocrystalline silicon nitrogen(nc-SiNx:H)films were prepared by rf glow discharge of heavily hydrogen(H2)diluted silane(SiH4) and nitrogen (N2).The volume fraction of the crystalline phase and mean grains size were varied from 58%-14% and 10nm-5
Key words nanocrystalline silicon nitrogen crystallization ratio mean grains size dark conductivity
收稿日期: 1996-06-25     
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