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材料研究学报  1995, Vol. 9 Issue (2): 163-166    
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金刚石的同质外延掺硼和Schottky特性
沈荷生;张志明;何贤昶;李胜华
上海交通大学
BORON DOPED DIAMOND HOMOEPITAXIAL GROWTH AND SCHOTTKY CHARACTERIZATION
SHEN Hesheng; ZHANG Zhiming; HE Xianchang; LI Shenghua(Dept. of Applied Chemistry; Shanghai Jiao Tong University; Shanghai 200030)
引用本文:

沈荷生;张志明;何贤昶;李胜华. 金刚石的同质外延掺硼和Schottky特性[J]. 材料研究学报, 1995, 9(2): 163-166.
, , , . BORON DOPED DIAMOND HOMOEPITAXIAL GROWTH AND SCHOTTKY CHARACTERIZATION[J]. Chin J Mater Res, 1995, 9(2): 163-166.

全文: PDF(2298 KB)  
摘要: 在<100>取向的金刚石衬底上,用微波PCVD法进行同质外延、掺杂和Schottky特性的实验研究,总结了反应气体、碳源浓度等因素对外延展形貌、结构的影响,B/C比对掺硼外延层结构、形貌和电学性能的影响,以及接触金属、温度对Schottky特性的影响.
关键词 金刚石薄膜同质外延硼掺杂Schottky特性    
Abstract:An experimental investigation has been done for diamond homoepitaxial growth on(100) diamond substrate by microwave PCVD method. doping and Schottky characterization. The results concern the influence of the reaction gases,carbon concentration, ratio of b
Key words diamond film    homoepitaxy    B-doping    Schottky characteristic
收稿日期: 1995-04-25     
基金资助:国家自然科学基金;;国家高技术项目
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