Please wait a minute...
材料研究学报  1991, Vol. 5 Issue (6): 472-476    
  研究论文 本期目录 | 过刊浏览 |
三源真空共蒸发沉积 CuInSe_2薄膜
魏晋云;廖华;王东城
云南师范大学太阳能研究所;云南师范大学;云南师范大学
VACUUM Co-EVAPORATED DEPOSITION FOR CuInSe_2 THIN FILM BY THREE-SOURCES PROCESS
WEI Jinyun LIAO Hua WANG Dongcheng (Yunnan Normal University)
引用本文:

魏晋云;廖华;王东城. 三源真空共蒸发沉积 CuInSe_2薄膜[J]. 材料研究学报, 1991, 5(6): 472-476.
, , . VACUUM Co-EVAPORATED DEPOSITION FOR CuInSe_2 THIN FILM BY THREE-SOURCES PROCESS[J]. Chin J Mater Res, 1991, 5(6): 472-476.

全文: PDF(617 KB)  
摘要: 用三源真空共蒸发沉积CuInSe_2。调节三源的配方及蒸发速率,控制薄膜的组分,获得了具有单相黄铜矿结构的多晶CuInSe_2薄膜。发现适当的热处理对薄膜的成相是必需的。研究了薄膜组分、结构、光学和电学性质与工艺条件的关系。
关键词 太阳电池CuInSe_2薄膜真空蒸发    
Abstract:Thin films of CuInSe_2 have been co-evaporated in vacuum bythree-sources process.The compositions of the films have been controlled by ratio of theelements in the three sources and temperature of the three sources.Satisfactary compositionand single chalco
Key wordssolar cell    CuInSe_2 film    vacuum evaporation
收稿日期: 1991-12-25     
基金资助:国家自然科学基金,5880101
1 Mickelsen R A,Stanbery B J et al.Proc 19th IEEE Photovoltaic Specialists Conf,1987:744
2 Elliott E,Tomlinson R D et al.Thin Solid Films,1974;20:S25
3 White F R,Clark A H et al.J Appl Phys,1979;50:544
4 Piekoszewski J,Loferski J J et al Proc 14th IEEE Photovoltalc Specialist Conf 1980:980
5 Pamplin B,Fjeglson R S.Thin Solid Films,1979;60:141
6 Padan G K et al.Solar Energy Mat,1986;13:291
7 Gary Hodes.David Cahen.Solar Cells,1986;16:245
8 Sun L Y,Kazerski L L et al.J Vac Sci Technol,1978;15:265
9 Mickelson R A,Chen W S.IEEE Trans,Electron Devices,1984;31:542
10 Neelkanth G Dhere,Cristina Lourenco M et al.Solar Cellls,1986;16:369
11 Denton R E,Campbell R D et al J Phys,1972;5:852
12 Horig W,Neumann H.Thin Solid Films,1978;48:67#
[1] 欧阳良琦,赵明,庄大明,孙汝军,郭力,李晓龙,曹明杰. 退火温度对铜铟镓硒薄膜电学性能的影响[J]. 材料研究学报, 2014, 28(10): 745-750.
[2] 谢敏 庄大明 刘江 郭力 宋军. 硫化温度对铜锌锡硫薄膜特性的影响*[J]. 材料研究学报, 2013, 27(2): 126-130.
[3] 奚小网 胡林华 刘伟庆 戴松元. 基于4--叔丁基吡啶的染料敏化太阳电池中电子传输研究[J]. 材料研究学报, 2011, 25(6): 613-617.
[4] 彭英才 傅广生. 量子点太阳电池的探索[J]. 材料研究学报, 2009, 23(5): 449-457.