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材料研究学报  1989, Vol. 3 Issue (1): 65-70    
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a-Si:H/a-Si_(1-x)C_x:H 多层膜的电学和光学性质
彭启才;周心明;蔡伯埙
四川大学;四川大学;四川大学
ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF a-Si:H/a-Si_(1-X)C_x:H MULTILAYERS
PENG Qicai ZHOU Xinming CAI Boxun (Sichuan University;Chengdu)
引用本文:

彭启才;周心明;蔡伯埙. a-Si:H/a-Si_(1-x)C_x:H 多层膜的电学和光学性质[J]. 材料研究学报, 1989, 3(1): 65-70.
, , . ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF a-Si:H/a-Si_(1-X)C_x:H MULTILAYERS[J]. Chin J Mater Res, 1989, 3(1): 65-70.

全文: PDF(469 KB)  
摘要: 采用等离子体辉光放电单室系统制备的a-Si:H/a-Si_(1-x)C_x:H 多层膜结构具有低的暗电导和高的光电导特性,且不同于单层膜,有明显的S-W 效应。随着子层厚度L 减小,多层膜曝光态(B)的暗电导率σdB 较退火态(A)的σdA 减小快,即光诱导衰退程度增大,而光电导无明显变化。本文还测定了此多层膜结构的光能隙E_g,得到随子层厚度减小“蓝移”的结果。用一维单量子阱模型作了讨论,实验值与理论计算符合较好。
关键词 a-Si:H/a-Si_(1-x)C_x:H超晶格非晶半导体电学性质光学性质    
Abstract:The a-Si:H/a-Si_(1-x)C_x:H multilayers synthesized by RFglow dischargedeposition in a single-chamber plasma reacter have shownlower darkconductivity,higher photoconductivity and apparent S-W effectother than unlayered samples.With decreasing the sublayer
Key wordsa-SiH/a-Si_(1-x)-C_xH    superlattice    amorphous semiconductors electrical properties    optical properties
收稿日期: 1989-02-25     
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