材料研究学报  1988, Vol. 2 Issue (1): 37-39

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气相生长氮化钛晶须

黄锦涛;张秉忠;朱钧国;杨冰;徐世江

清华大学核能技术研究所;清华大学核能技术研究所;清华大学核能技术研究所;清华大学核能技术研究所;清华大学核能技术研究所

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黄锦涛;张秉忠;朱钧国;杨冰;徐世江. 气相生长氮化钛晶须[J]. 材料研究学报, 1988, 2(1): 37-39.
, , , , . [J]. Chin J Mater Res, 1988, 2(1): 37-39.

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(994 KB)   摘要: <正> TiN 材料具有高熔点(2949℃)、高硬度、高温化学稳定性及良好的导热、导电性,已广泛应用于耐高温、耐磨损领域。TiN 晶须除具有以上特点外,由于它在结构上接近理想单晶,有着较高的抗拉强度,在晶须增强复合材料中很有发展前途。近年来,日本、波兰、美国等国科学家已开展了TiN 晶须的研制工作,而国内尚属空白。高桥武彦等研究了放电法生长TiN 纤维。Bojarski 等研究了在钨丝基体上用化学气相沉积法生长TiN 晶须的方法,讨论了晶须生长形态和晶须结构等问题。本文主要研究了在金属基板上化学气相沉积生长TiN 晶须的工艺和晶须形状。 收稿日期: 1988-02-25      服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 黄锦涛 张秉忠 朱钧国 杨冰 徐世江 44.8K 链接本文: https://www.cjmr.org/CN/      或      https://www.cjmr.org/CN/Y1988/V2/I1/37 No related articles found! Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed