材料研究学报  1988, Vol. 2 Issue (1): 35-36

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As~+离子束混合和红外快速热处理制备TiSi_2和浅结

叶敏

清华大学微电子学研究所

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叶敏. As~+离子束混合和红外快速热处理制备TiSi_2和浅结[J]. 材料研究学报, 1988, 2(1): 35-36.
. [J]. Chin J Mater Res, 1988, 2(1): 35-36.

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(140 KB)   摘要: <正> 随着超大规模集成电路的发展,对新材料和新工艺提出了更多的要求,希望材料有类似金属的低电阻率,十分好的热稳定性,容易形成,不易出现电迁移现象等等。这样就使难熔金属(如Ti,W,Mo,Ta 等)及其硅化物作为栅电极,互连线和欧姆接触材料在ULSI 中得到了十分广泛的应用~([1])MOS 超大规模集成电路中的源、漏扩散区和多晶硅栅条上利用自对准的方法同时形成一难熔金属硅化物层,从而得到自对准硅化物/多晶硅复合栅结构,可以同时得到低接触电阻率的欧姆接触和高导电性的互连线~([2]),这样可以大大提高ULSI 的速度和性能。 收稿日期: 1988-02-25      基金资助:国家自然科学基金 服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 叶敏 44.8K 链接本文: https://www.cjmr.org/CN/      或      https://www.cjmr.org/CN/Y1988/V2/I1/35 1 Murarka S.Silicide for ULSI Application.New York:Academic,1983 2 Murao Y,et al.IEEE IEDM-83,1983;51 No related articles found! Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed