Iron-Based layered superconductor La[O1 - x F x ]FeAs (x = 0.05-0.12) with Tc = 26 K
1
2008
... 2008年日本科学家细野秀雄发现铁砷化合物LaFeAsO的超导转变温度(Tc)高达26 K[1],随后研究人员不改变LaFeAsO的结构进行元素掺杂或替换改变其Tc[2].这类铁基超导体也因其化学配比而称为“1111”型铁基超导体.铁基超导体除了1111体系,还有11体系、111体系、122体系、112体系等体系.其它复杂体系,则可看作是上述几种体系的组合.这些体系的共同特点,是具有FeAs或FeSe的四面体层状结构,其典型晶体结构在图1中给出[3]. ...
Superconductivity at 55 K in iron-based F-doped layered quaternary compound Sm[O1 - x F x ]FeAs
1
2008
... 2008年日本科学家细野秀雄发现铁砷化合物LaFeAsO的超导转变温度(Tc)高达26 K[1],随后研究人员不改变LaFeAsO的结构进行元素掺杂或替换改变其Tc[2].这类铁基超导体也因其化学配比而称为“1111”型铁基超导体.铁基超导体除了1111体系,还有11体系、111体系、122体系、112体系等体系.其它复杂体系,则可看作是上述几种体系的组合.这些体系的共同特点,是具有FeAs或FeSe的四面体层状结构,其典型晶体结构在图1中给出[3]. ...
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2015
... 2008年日本科学家细野秀雄发现铁砷化合物LaFeAsO的超导转变温度(Tc)高达26 K[1],随后研究人员不改变LaFeAsO的结构进行元素掺杂或替换改变其Tc[2].这类铁基超导体也因其化学配比而称为“1111”型铁基超导体.铁基超导体除了1111体系,还有11体系、111体系、122体系、112体系等体系.其它复杂体系,则可看作是上述几种体系的组合.这些体系的共同特点,是具有FeAs或FeSe的四面体层状结构,其典型晶体结构在图1中给出[3]. ...
... [
3]
Fig.1![]()
122体系母体的化合物结构与ThCr2Si2的结构相同,因此可用AeFe2As2(Ae为碱土金属)表示.该体系最典型的母体化合物,是BaFe2As2.由于其元胞内含有双层FeAs结构单元,这类超导体也称为122铁砷超导体.中科院陈小龙研究组在铁硒化合物中发现了Tc = 32 K的K x Fe2Se2超导体,具有与ThCr2Si2类似的结构[4].随后,又发现了具有相同结构的Rb x Fe2Se2和Cs x Fe2Se2超导体[5,6].这类超导体也称为122铁硒超导体,其结构可用AFe2As2(A为碱金属或者碱土金属)表示.大量研究结果表明,122铁硒超导体中存在相分离,没有Fe空位或低Fe空位的A x Fe2 - y Se2相具有超导电性,而存在Fe空位有序的A2Fe4Se5相则是绝缘/半导体相[7].122铁砷超导体的母相是非超导的,其超导电性可通过多种方式诱导,例如进行电子掺杂:在铁位掺入Ni、Co、Cu、Rh、Ir、Pd、Pt等过渡金属元素,或在碱土金属位掺入La、Ce、Pr、Nd等稀土元素;空穴掺杂:在碱土金属位掺入Na、K、Rb、Cs等元素;等价掺杂:在砷位掺杂P、Sb元素或在Fe位掺杂Ru元素,等等.此外,物理压力也能在母体中诱导出超导电性或改变临界温度[8].122体系超导电性的可调控空间较大,意味着可深入系统地研究不同的掺杂体系.该体系就是研究铁基超导机理的重要对象. ...
Superconductivity in the iron selenide K x Fe2Se2(0 ≤ x ≤ 1.0)
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2010
... 122体系母体的化合物结构与ThCr2Si2的结构相同,因此可用AeFe2As2(Ae为碱土金属)表示.该体系最典型的母体化合物,是BaFe2As2.由于其元胞内含有双层FeAs结构单元,这类超导体也称为122铁砷超导体.中科院陈小龙研究组在铁硒化合物中发现了Tc = 32 K的K x Fe2Se2超导体,具有与ThCr2Si2类似的结构[4].随后,又发现了具有相同结构的Rb x Fe2Se2和Cs x Fe2Se2超导体[5,6].这类超导体也称为122铁硒超导体,其结构可用AFe2As2(A为碱金属或者碱土金属)表示.大量研究结果表明,122铁硒超导体中存在相分离,没有Fe空位或低Fe空位的A x Fe2 - y Se2相具有超导电性,而存在Fe空位有序的A2Fe4Se5相则是绝缘/半导体相[7].122铁砷超导体的母相是非超导的,其超导电性可通过多种方式诱导,例如进行电子掺杂:在铁位掺入Ni、Co、Cu、Rh、Ir、Pd、Pt等过渡金属元素,或在碱土金属位掺入La、Ce、Pr、Nd等稀土元素;空穴掺杂:在碱土金属位掺入Na、K、Rb、Cs等元素;等价掺杂:在砷位掺杂P、Sb元素或在Fe位掺杂Ru元素,等等.此外,物理压力也能在母体中诱导出超导电性或改变临界温度[8].122体系超导电性的可调控空间较大,意味着可深入系统地研究不同的掺杂体系.该体系就是研究铁基超导机理的重要对象. ...
Transport properties and anisotropy of Rb1 - x Fe2 - ySe2 single crystals
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2011
... 122体系母体的化合物结构与ThCr2Si2的结构相同,因此可用AeFe2As2(Ae为碱土金属)表示.该体系最典型的母体化合物,是BaFe2As2.由于其元胞内含有双层FeAs结构单元,这类超导体也称为122铁砷超导体.中科院陈小龙研究组在铁硒化合物中发现了Tc = 32 K的K x Fe2Se2超导体,具有与ThCr2Si2类似的结构[4].随后,又发现了具有相同结构的Rb x Fe2Se2和Cs x Fe2Se2超导体[5,6].这类超导体也称为122铁硒超导体,其结构可用AFe2As2(A为碱金属或者碱土金属)表示.大量研究结果表明,122铁硒超导体中存在相分离,没有Fe空位或低Fe空位的A x Fe2 - y Se2相具有超导电性,而存在Fe空位有序的A2Fe4Se5相则是绝缘/半导体相[7].122铁砷超导体的母相是非超导的,其超导电性可通过多种方式诱导,例如进行电子掺杂:在铁位掺入Ni、Co、Cu、Rh、Ir、Pd、Pt等过渡金属元素,或在碱土金属位掺入La、Ce、Pr、Nd等稀土元素;空穴掺杂:在碱土金属位掺入Na、K、Rb、Cs等元素;等价掺杂:在砷位掺杂P、Sb元素或在Fe位掺杂Ru元素,等等.此外,物理压力也能在母体中诱导出超导电性或改变临界温度[8].122体系超导电性的可调控空间较大,意味着可深入系统地研究不同的掺杂体系.该体系就是研究铁基超导机理的重要对象. ...
Synthesis and crystal growth of Cs0.8(FeSe0.98)2: A new iron-based superconductor with Tc = 27 K
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2011
... 122体系母体的化合物结构与ThCr2Si2的结构相同,因此可用AeFe2As2(Ae为碱土金属)表示.该体系最典型的母体化合物,是BaFe2As2.由于其元胞内含有双层FeAs结构单元,这类超导体也称为122铁砷超导体.中科院陈小龙研究组在铁硒化合物中发现了Tc = 32 K的K x Fe2Se2超导体,具有与ThCr2Si2类似的结构[4].随后,又发现了具有相同结构的Rb x Fe2Se2和Cs x Fe2Se2超导体[5,6].这类超导体也称为122铁硒超导体,其结构可用AFe2As2(A为碱金属或者碱土金属)表示.大量研究结果表明,122铁硒超导体中存在相分离,没有Fe空位或低Fe空位的A x Fe2 - y Se2相具有超导电性,而存在Fe空位有序的A2Fe4Se5相则是绝缘/半导体相[7].122铁砷超导体的母相是非超导的,其超导电性可通过多种方式诱导,例如进行电子掺杂:在铁位掺入Ni、Co、Cu、Rh、Ir、Pd、Pt等过渡金属元素,或在碱土金属位掺入La、Ce、Pr、Nd等稀土元素;空穴掺杂:在碱土金属位掺入Na、K、Rb、Cs等元素;等价掺杂:在砷位掺杂P、Sb元素或在Fe位掺杂Ru元素,等等.此外,物理压力也能在母体中诱导出超导电性或改变临界温度[8].122体系超导电性的可调控空间较大,意味着可深入系统地研究不同的掺杂体系.该体系就是研究铁基超导机理的重要对象. ...
Fe-based superconductivity with Tc = 31 K bordering an antiferromagnetic insulator in (Tl, K)Fe x Se2
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2011
... 122体系母体的化合物结构与ThCr2Si2的结构相同,因此可用AeFe2As2(Ae为碱土金属)表示.该体系最典型的母体化合物,是BaFe2As2.由于其元胞内含有双层FeAs结构单元,这类超导体也称为122铁砷超导体.中科院陈小龙研究组在铁硒化合物中发现了Tc = 32 K的K x Fe2Se2超导体,具有与ThCr2Si2类似的结构[4].随后,又发现了具有相同结构的Rb x Fe2Se2和Cs x Fe2Se2超导体[5,6].这类超导体也称为122铁硒超导体,其结构可用AFe2As2(A为碱金属或者碱土金属)表示.大量研究结果表明,122铁硒超导体中存在相分离,没有Fe空位或低Fe空位的A x Fe2 - y Se2相具有超导电性,而存在Fe空位有序的A2Fe4Se5相则是绝缘/半导体相[7].122铁砷超导体的母相是非超导的,其超导电性可通过多种方式诱导,例如进行电子掺杂:在铁位掺入Ni、Co、Cu、Rh、Ir、Pd、Pt等过渡金属元素,或在碱土金属位掺入La、Ce、Pr、Nd等稀土元素;空穴掺杂:在碱土金属位掺入Na、K、Rb、Cs等元素;等价掺杂:在砷位掺杂P、Sb元素或在Fe位掺杂Ru元素,等等.此外,物理压力也能在母体中诱导出超导电性或改变临界温度[8].122体系超导电性的可调控空间较大,意味着可深入系统地研究不同的掺杂体系.该体系就是研究铁基超导机理的重要对象. ...
Pressure-induced superconductivity in CaFe2As2
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2008
... 122体系母体的化合物结构与ThCr2Si2的结构相同,因此可用AeFe2As2(Ae为碱土金属)表示.该体系最典型的母体化合物,是BaFe2As2.由于其元胞内含有双层FeAs结构单元,这类超导体也称为122铁砷超导体.中科院陈小龙研究组在铁硒化合物中发现了Tc = 32 K的K x Fe2Se2超导体,具有与ThCr2Si2类似的结构[4].随后,又发现了具有相同结构的Rb x Fe2Se2和Cs x Fe2Se2超导体[5,6].这类超导体也称为122铁硒超导体,其结构可用AFe2As2(A为碱金属或者碱土金属)表示.大量研究结果表明,122铁硒超导体中存在相分离,没有Fe空位或低Fe空位的A x Fe2 - y Se2相具有超导电性,而存在Fe空位有序的A2Fe4Se5相则是绝缘/半导体相[7].122铁砷超导体的母相是非超导的,其超导电性可通过多种方式诱导,例如进行电子掺杂:在铁位掺入Ni、Co、Cu、Rh、Ir、Pd、Pt等过渡金属元素,或在碱土金属位掺入La、Ce、Pr、Nd等稀土元素;空穴掺杂:在碱土金属位掺入Na、K、Rb、Cs等元素;等价掺杂:在砷位掺杂P、Sb元素或在Fe位掺杂Ru元素,等等.此外,物理压力也能在母体中诱导出超导电性或改变临界温度[8].122体系超导电性的可调控空间较大,意味着可深入系统地研究不同的掺杂体系.该体系就是研究铁基超导机理的重要对象. ...
Microstructure and ordering of iron vacancies in the superconductor system K y Fe x Se2 as seen via transmission electron microscopy
1
2011
... 对于铁基超导机理研究,高质量、大尺寸的单晶是获取可靠实验数据的基础.但是,与铜氧化物超导体相比,生长大块高质量铁基超导单晶更为困难.122铁砷超导单晶组成元素中的砷具有巨毒和高挥发性,碱金属和碱土金属的熔点低且易与空气中的水和氧反应,而稀土金属易氧化以及各原料成分的熔点相差较大.因此,目前不仅不能直接用元素单质制备晶体样品,在制备过程中需要保持真空或用惰性气氛保护.在制备化学掺杂样品时还需要考虑掺杂元素的性质,如K、Rb等碱金属的蒸汽会与石英玻璃发生反应使样品破裂.制备122铁硒超导体时,除了上述因素,还要考虑其复杂的微观结构和可能的相分离.这些因素使制备纯超导相单晶更为困难[9,10],几乎所有生成的晶体都有成分不均匀或超导相体积分数低等问题. ...
Intrinsic phase separation in superconducting K0.8Fe1.6Se2(Tc = 31.8 K) single crystals
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2011
... 对于铁基超导机理研究,高质量、大尺寸的单晶是获取可靠实验数据的基础.但是,与铜氧化物超导体相比,生长大块高质量铁基超导单晶更为困难.122铁砷超导单晶组成元素中的砷具有巨毒和高挥发性,碱金属和碱土金属的熔点低且易与空气中的水和氧反应,而稀土金属易氧化以及各原料成分的熔点相差较大.因此,目前不仅不能直接用元素单质制备晶体样品,在制备过程中需要保持真空或用惰性气氛保护.在制备化学掺杂样品时还需要考虑掺杂元素的性质,如K、Rb等碱金属的蒸汽会与石英玻璃发生反应使样品破裂.制备122铁硒超导体时,除了上述因素,还要考虑其复杂的微观结构和可能的相分离.这些因素使制备纯超导相单晶更为困难[9,10],几乎所有生成的晶体都有成分不均匀或超导相体积分数低等问题. ...
Quaternary rare earth transition metal arsenide oxides RTAsO (T = Fe, Ru, Co) with ZrCuSiAs type structure
1
2000
... 在铁基超导体研究的起始阶段,有人使用KCl/NaCl作为助熔剂制备出毫米尺寸的LnFeAsO母体和掺杂单晶样品[11~14].随后,人们使用Sn作为助熔剂制备出AeFe2As2母体及其掺杂单晶样品[15~17],但是发生了约1% (原子分数)的Sn原子污染.原子光谱检测结果表明,Sn进入Fe原子位点,影响了超导材料的物理性能,使自旋密度波(SDW)转变温度降低. ...
Single crystals of superconducting SmFeAsO1 - x F y grown at high pressure
0
2008
Growth of NdFeAs(O1 - x F x) single crystals at ambient pressure and their transport properties
0
2009
Normal state transport properties in single crystals of Ba1 - x K x Fe2As2 and NdFeAsO1 - x F x
1
2009
... 在铁基超导体研究的起始阶段,有人使用KCl/NaCl作为助熔剂制备出毫米尺寸的LnFeAsO母体和掺杂单晶样品[11~14].随后,人们使用Sn作为助熔剂制备出AeFe2As2母体及其掺杂单晶样品[15~17],但是发生了约1% (原子分数)的Sn原子污染.原子光谱检测结果表明,Sn进入Fe原子位点,影响了超导材料的物理性能,使自旋密度波(SDW)转变温度降低. ...
Anisotropic thermodynamic and transport properties of single-crystalline Ba1 - xK x Fe2As2 (x=0 and 0.45)
1
2008
... 在铁基超导体研究的起始阶段,有人使用KCl/NaCl作为助熔剂制备出毫米尺寸的LnFeAsO母体和掺杂单晶样品[11~14].随后,人们使用Sn作为助熔剂制备出AeFe2As2母体及其掺杂单晶样品[15~17],但是发生了约1% (原子分数)的Sn原子污染.原子光谱检测结果表明,Sn进入Fe原子位点,影响了超导材料的物理性能,使自旋密度波(SDW)转变温度降低. ...
Synthesis and properties of CaFe2As2 single crystals
0
2008
Structural transition and anisotropic properties of single-crystalline SrFe2As2
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2008
... 在铁基超导体研究的起始阶段,有人使用KCl/NaCl作为助熔剂制备出毫米尺寸的LnFeAsO母体和掺杂单晶样品[11~14].随后,人们使用Sn作为助熔剂制备出AeFe2As2母体及其掺杂单晶样品[15~17],但是发生了约1% (原子分数)的Sn原子污染.原子光谱检测结果表明,Sn进入Fe原子位点,影响了超导材料的物理性能,使自旋密度波(SDW)转变温度降低. ...
Transport and anisotropy in single-crystalline SrFe2As2 and A0.6K0.4Fe2As2 (A = Sr, Ba) superconductors
1
2008
... 为了避免污染,可使用FeAs作为助熔剂制备122铁砷超导单晶材料.这种助熔剂中的铁、砷元素也是目标产物——122铁砷超导体单晶的组成元素,因此这一类方法称为自熔剂法(Self-flux method)[18~23].与Sn助熔剂法相比,此法不仅能避免污染,还能使初始成分更接近目标化合物和制备出更大的晶体.因此,广泛用自熔剂法制备122体系单晶.但是,过多使用助熔剂无法准确控制单晶的实际成分,需合理优化前驱粉成分和助熔剂的占比.也可使用熔点更低的CaAs、KAs、NaAs等助熔剂[24~27]. ...
Growth and characterization of A1 - x K x Fe2As2 (A = Ba, Sr) single crystals with x = 0-0.4
0
2008
Vortex phase diagram of Ba(Fe0.93Co0.07)2As2 single crystals
0
2008
Crystal structure and phase diagrams of iron-based superconductors
0
2015
Systematic growth of BaFe2 - x Ni x As2 large crystals
0
2011
The effect of Cr impurity to superconductivity in electron-doped BaFe2 - x Ni x As2
1
2014
... 为了避免污染,可使用FeAs作为助熔剂制备122铁砷超导单晶材料.这种助熔剂中的铁、砷元素也是目标产物——122铁砷超导体单晶的组成元素,因此这一类方法称为自熔剂法(Self-flux method)[18~23].与Sn助熔剂法相比,此法不仅能避免污染,还能使初始成分更接近目标化合物和制备出更大的晶体.因此,广泛用自熔剂法制备122体系单晶.但是,过多使用助熔剂无法准确控制单晶的实际成分,需合理优化前驱粉成分和助熔剂的占比.也可使用熔点更低的CaAs、KAs、NaAs等助熔剂[24~27]. ...
Crystal growth and phase diagram of 112-type iron pnictide superconductor Ca1 - y La y Fe1 - x Ni x As2
1
2017
... 为了避免污染,可使用FeAs作为助熔剂制备122铁砷超导单晶材料.这种助熔剂中的铁、砷元素也是目标产物——122铁砷超导体单晶的组成元素,因此这一类方法称为自熔剂法(Self-flux method)[18~23].与Sn助熔剂法相比,此法不仅能避免污染,还能使初始成分更接近目标化合物和制备出更大的晶体.因此,广泛用自熔剂法制备122体系单晶.但是,过多使用助熔剂无法准确控制单晶的实际成分,需合理优化前驱粉成分和助熔剂的占比.也可使用熔点更低的CaAs、KAs、NaAs等助熔剂[24~27]. ...
Optimization of the crystal growth of the superconductor CaKFe4As4 from solution in the FeAs-CaFe2As2-KFe2As2 system
0
2017
Single-crystal growth of the iron-based superconductor La0.34Na0.66Fe2As2
0
2018
Growth and characterization of superconducting Ca1 - x Na x Fe2A2 single crystals by NaAs-flux met-hod
4
2022
... 为了避免污染,可使用FeAs作为助熔剂制备122铁砷超导单晶材料.这种助熔剂中的铁、砷元素也是目标产物——122铁砷超导体单晶的组成元素,因此这一类方法称为自熔剂法(Self-flux method)[18~23].与Sn助熔剂法相比,此法不仅能避免污染,还能使初始成分更接近目标化合物和制备出更大的晶体.因此,广泛用自熔剂法制备122体系单晶.但是,过多使用助熔剂无法准确控制单晶的实际成分,需合理优化前驱粉成分和助熔剂的占比.也可使用熔点更低的CaAs、KAs、NaAs等助熔剂[24~27]. ...
... 目前一些小组用自熔剂法制备122体系超导单晶.例如,罗会仟小组用NaAs自熔剂法制备出Ca1 - x Na x Fe2As2 (x = 0.3, 0.4, 0.5, 0.6, 0.7)单晶,其最大尺寸约为17 mm × 16 mm × 0.5 mm,Tc最大为34.8 K.X射线衍射结果表明,他们制备的单晶成分均匀且没有杂质[27].Nakajima等用一种全新的自熔剂Ba2As3/Ba2P3,调节Ba2As3/Ba2P3的混合比以控制P的含量,成功在x从0到1的范围内制备出成分均匀的BaFe2(As1 - x P x)2超导单晶,其Tc为31 K.与使用FeAs自熔剂制备的晶体相比,用这种全新自熔剂制备的晶体缺陷和晶格位错较少[28].图2a、b分别给出了Ca1 - x Na x Fe2As2超导单晶的X射线衍射谱和BaFe2(As1 - x P x)2不同组成的(008)峰.闻海虎小组使用FeSe作为自熔剂制备出高质量K x Fe2 - y Se2单晶样品,其Tc可达32.5 K[29].陈小龙小组使用NaCl/KCl作为助熔剂,也成功制备出Tc达到29 K的(Na x K y)Fe z Se2单晶[30].但是EDX、XRD等分析结果都表明,使用自熔剂法制备的122铁基超导单晶都含有助熔剂杂质或组分不均匀[31]. ...
... [
27]和BaFe
2(As
1 - x P
x)
2不同组成的(008)峰
[28]X-ray diffraction patterns at room temperature for Ca1 - x Na x Fe2As2 single crystals[27] (a) and (008) peaks for various compositions of BaFe2(As1 - x P x)2[28] (b)Fig.2![]()
针对熔剂法的一些问题,有人提出两种改进或优化技术:形核棒法和无助熔剂法. ...
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27] (a) and (008) peaks for various compositions of BaFe
2(As
1 - x P
x)
2[28] (b)
Fig.2![]()
针对熔剂法的一些问题,有人提出两种改进或优化技术:形核棒法和无助熔剂法. ...
Growth of BaFe2(As1 - x P x)2 single crystals (0 ≤ x ≤ 1) by Ba2A2/Ba2P3-flux method
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2012
... 目前一些小组用自熔剂法制备122体系超导单晶.例如,罗会仟小组用NaAs自熔剂法制备出Ca1 - x Na x Fe2As2 (x = 0.3, 0.4, 0.5, 0.6, 0.7)单晶,其最大尺寸约为17 mm × 16 mm × 0.5 mm,Tc最大为34.8 K.X射线衍射结果表明,他们制备的单晶成分均匀且没有杂质[27].Nakajima等用一种全新的自熔剂Ba2As3/Ba2P3,调节Ba2As3/Ba2P3的混合比以控制P的含量,成功在x从0到1的范围内制备出成分均匀的BaFe2(As1 - x P x)2超导单晶,其Tc为31 K.与使用FeAs自熔剂制备的晶体相比,用这种全新自熔剂制备的晶体缺陷和晶格位错较少[28].图2a、b分别给出了Ca1 - x Na x Fe2As2超导单晶的X射线衍射谱和BaFe2(As1 - x P x)2不同组成的(008)峰.闻海虎小组使用FeSe作为自熔剂制备出高质量K x Fe2 - y Se2单晶样品,其Tc可达32.5 K[29].陈小龙小组使用NaCl/KCl作为助熔剂,也成功制备出Tc达到29 K的(Na x K y)Fe z Se2单晶[30].但是EDX、XRD等分析结果都表明,使用自熔剂法制备的122铁基超导单晶都含有助熔剂杂质或组分不均匀[31]. ...
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28]
X-ray diffraction patterns at room temperature for Ca1 - x Na x Fe2As2 single crystals[27] (a) and (008) peaks for various compositions of BaFe2(As1 - x P x)2[28] (b)Fig.2![]()
针对熔剂法的一些问题,有人提出两种改进或优化技术:形核棒法和无助熔剂法. ...
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28] (b)
Fig.2![]()
针对熔剂法的一些问题,有人提出两种改进或优化技术:形核棒法和无助熔剂法. ...
Metastable superconducting state in quenched K x Fe2 - y Se2
1
2012
... 目前一些小组用自熔剂法制备122体系超导单晶.例如,罗会仟小组用NaAs自熔剂法制备出Ca1 - x Na x Fe2As2 (x = 0.3, 0.4, 0.5, 0.6, 0.7)单晶,其最大尺寸约为17 mm × 16 mm × 0.5 mm,Tc最大为34.8 K.X射线衍射结果表明,他们制备的单晶成分均匀且没有杂质[27].Nakajima等用一种全新的自熔剂Ba2As3/Ba2P3,调节Ba2As3/Ba2P3的混合比以控制P的含量,成功在x从0到1的范围内制备出成分均匀的BaFe2(As1 - x P x)2超导单晶,其Tc为31 K.与使用FeAs自熔剂制备的晶体相比,用这种全新自熔剂制备的晶体缺陷和晶格位错较少[28].图2a、b分别给出了Ca1 - x Na x Fe2As2超导单晶的X射线衍射谱和BaFe2(As1 - x P x)2不同组成的(008)峰.闻海虎小组使用FeSe作为自熔剂制备出高质量K x Fe2 - y Se2单晶样品,其Tc可达32.5 K[29].陈小龙小组使用NaCl/KCl作为助熔剂,也成功制备出Tc达到29 K的(Na x K y)Fe z Se2单晶[30].但是EDX、XRD等分析结果都表明,使用自熔剂法制备的122铁基超导单晶都含有助熔剂杂质或组分不均匀[31]. ...
Growth of (Na x K y)FezSe2 crystals by chlorides flux at low temperatures
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2014
... 目前一些小组用自熔剂法制备122体系超导单晶.例如,罗会仟小组用NaAs自熔剂法制备出Ca1 - x Na x Fe2As2 (x = 0.3, 0.4, 0.5, 0.6, 0.7)单晶,其最大尺寸约为17 mm × 16 mm × 0.5 mm,Tc最大为34.8 K.X射线衍射结果表明,他们制备的单晶成分均匀且没有杂质[27].Nakajima等用一种全新的自熔剂Ba2As3/Ba2P3,调节Ba2As3/Ba2P3的混合比以控制P的含量,成功在x从0到1的范围内制备出成分均匀的BaFe2(As1 - x P x)2超导单晶,其Tc为31 K.与使用FeAs自熔剂制备的晶体相比,用这种全新自熔剂制备的晶体缺陷和晶格位错较少[28].图2a、b分别给出了Ca1 - x Na x Fe2As2超导单晶的X射线衍射谱和BaFe2(As1 - x P x)2不同组成的(008)峰.闻海虎小组使用FeSe作为自熔剂制备出高质量K x Fe2 - y Se2单晶样品,其Tc可达32.5 K[29].陈小龙小组使用NaCl/KCl作为助熔剂,也成功制备出Tc达到29 K的(Na x K y)Fe z Se2单晶[30].但是EDX、XRD等分析结果都表明,使用自熔剂法制备的122铁基超导单晶都含有助熔剂杂质或组分不均匀[31]. ...
The growth of 122 and 11 iron-based superconductor single crystals and the influence of doping
1
2014
... 目前一些小组用自熔剂法制备122体系超导单晶.例如,罗会仟小组用NaAs自熔剂法制备出Ca1 - x Na x Fe2As2 (x = 0.3, 0.4, 0.5, 0.6, 0.7)单晶,其最大尺寸约为17 mm × 16 mm × 0.5 mm,Tc最大为34.8 K.X射线衍射结果表明,他们制备的单晶成分均匀且没有杂质[27].Nakajima等用一种全新的自熔剂Ba2As3/Ba2P3,调节Ba2As3/Ba2P3的混合比以控制P的含量,成功在x从0到1的范围内制备出成分均匀的BaFe2(As1 - x P x)2超导单晶,其Tc为31 K.与使用FeAs自熔剂制备的晶体相比,用这种全新自熔剂制备的晶体缺陷和晶格位错较少[28].图2a、b分别给出了Ca1 - x Na x Fe2As2超导单晶的X射线衍射谱和BaFe2(As1 - x P x)2不同组成的(008)峰.闻海虎小组使用FeSe作为自熔剂制备出高质量K x Fe2 - y Se2单晶样品,其Tc可达32.5 K[29].陈小龙小组使用NaCl/KCl作为助熔剂,也成功制备出Tc达到29 K的(Na x K y)Fe z Se2单晶[30].但是EDX、XRD等分析结果都表明,使用自熔剂法制备的122铁基超导单晶都含有助熔剂杂质或组分不均匀[31]. ...
Growth of large single crystals of BaFe1.87Co0.13As2 using a nucleation pole
3
2009
... 形核棒法[32]本质上是一种改进的自熔剂法,二者的主要区别是单晶的形核和生长过程.自熔剂法使熔体缓慢冷却在坩埚底部形核进而生长单晶,而形核棒法则是将一根Al2O3棒插入坩埚底部并浸入混合物中作为形核位点,使熔体中产生温度梯度在Al2O3棒周围结晶.还可设置一个较低的冷却速率,以最大限度地减少生长过程中出现大量晶核.在此基础上,随着熔体的冷却晶体逐渐长大.此外,为了制备几乎不含助熔剂的晶体,Liu等还设计了一种特殊的倾析装置(图3a).该装置中可移动的镍丝使坩埚在其顶部倾斜,将高温倾析时残留的熔剂滴出炉外.为了使残留助熔剂完全流出,倾析后需将温度在1090℃保持2 h,然后冷却至室温.图3b给出了用形核棒法制备的尺寸为20 mm × 10 mm × 2 mm的BaFe1.87Co0.13As2超导单晶.X射线衍射谱表明其结晶良好,在25 K电阻率和磁化率都出现尖锐的超导转变和接近100%的超导体积.此外,使用这种改进的自熔剂法还能制备高质量的其他过渡金属掺杂(M = Co, Ni, Mn, Cr)单晶[33]. ...
... [
32]
A schematic drawing of the apparatus used to grow single crystals of BaFe1.87Co0.13As2 (a) and BaFe1.87Co0.13As2 superconducting single crystals with size up to 20 mm × 10 mm × 2 mm[32] (b)Fig.3![]()
为了避免助熔剂污染和使用过量自熔剂无法准确控制单晶成分,有人尝试无助熔剂单晶生长.目前,国内已有人用无助熔剂法制备出Ba0.6K0.4Fe2As2和BaFe2 - x Co x As2超导单晶[34,35].图4a、b分别给出了用无助熔剂法制备的Ba0.6K0.4Fe2As2以及BaFe2 - x Co x As2超导单晶的X射线衍射谱.由于不使用助熔剂,制备出的晶体接近纯超导相.测量结果表明,电阻率和磁都表现出非常尖锐的超导转变.与用熔剂法生长的单晶相比,这些晶体的临界电流密度更大和上临界场更高.但是,由于没有使用助熔剂,原料的整体熔点较高,很难制备大尺寸晶体. ...
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32] (b)
Fig.3![]()
为了避免助熔剂污染和使用过量自熔剂无法准确控制单晶成分,有人尝试无助熔剂单晶生长.目前,国内已有人用无助熔剂法制备出Ba0.6K0.4Fe2As2和BaFe2 - x Co x As2超导单晶[34,35].图4a、b分别给出了用无助熔剂法制备的Ba0.6K0.4Fe2As2以及BaFe2 - x Co x As2超导单晶的X射线衍射谱.由于不使用助熔剂,制备出的晶体接近纯超导相.测量结果表明,电阻率和磁都表现出非常尖锐的超导转变.与用熔剂法生长的单晶相比,这些晶体的临界电流密度更大和上临界场更高.但是,由于没有使用助熔剂,原料的整体熔点较高,很难制备大尺寸晶体. ...
Aliovalent iron-doped BaFe2As2: single crystal growth and superconductivity
1
2010
... 形核棒法[32]本质上是一种改进的自熔剂法,二者的主要区别是单晶的形核和生长过程.自熔剂法使熔体缓慢冷却在坩埚底部形核进而生长单晶,而形核棒法则是将一根Al2O3棒插入坩埚底部并浸入混合物中作为形核位点,使熔体中产生温度梯度在Al2O3棒周围结晶.还可设置一个较低的冷却速率,以最大限度地减少生长过程中出现大量晶核.在此基础上,随着熔体的冷却晶体逐渐长大.此外,为了制备几乎不含助熔剂的晶体,Liu等还设计了一种特殊的倾析装置(图3a).该装置中可移动的镍丝使坩埚在其顶部倾斜,将高温倾析时残留的熔剂滴出炉外.为了使残留助熔剂完全流出,倾析后需将温度在1090℃保持2 h,然后冷却至室温.图3b给出了用形核棒法制备的尺寸为20 mm × 10 mm × 2 mm的BaFe1.87Co0.13As2超导单晶.X射线衍射谱表明其结晶良好,在25 K电阻率和磁化率都出现尖锐的超导转变和接近100%的超导体积.此外,使用这种改进的自熔剂法还能制备高质量的其他过渡金属掺杂(M = Co, Ni, Mn, Cr)单晶[33]. ...
One-step method to grow Ba0.6K0.4Fe2As2 single crystals without fluxing agent
1
2011
... 为了避免助熔剂污染和使用过量自熔剂无法准确控制单晶成分,有人尝试无助熔剂单晶生长.目前,国内已有人用无助熔剂法制备出Ba0.6K0.4Fe2As2和BaFe2 - x Co x As2超导单晶[34,35].图4a、b分别给出了用无助熔剂法制备的Ba0.6K0.4Fe2As2以及BaFe2 - x Co x As2超导单晶的X射线衍射谱.由于不使用助熔剂,制备出的晶体接近纯超导相.测量结果表明,电阻率和磁都表现出非常尖锐的超导转变.与用熔剂法生长的单晶相比,这些晶体的临界电流密度更大和上临界场更高.但是,由于没有使用助熔剂,原料的整体熔点较高,很难制备大尺寸晶体. ...
Single-crystal growth of BaFe2 - x Co x As2 without fluxing agent
3
2011
... 为了避免助熔剂污染和使用过量自熔剂无法准确控制单晶成分,有人尝试无助熔剂单晶生长.目前,国内已有人用无助熔剂法制备出Ba0.6K0.4Fe2As2和BaFe2 - x Co x As2超导单晶[34,35].图4a、b分别给出了用无助熔剂法制备的Ba0.6K0.4Fe2As2以及BaFe2 - x Co x As2超导单晶的X射线衍射谱.由于不使用助熔剂,制备出的晶体接近纯超导相.测量结果表明,电阻率和磁都表现出非常尖锐的超导转变.与用熔剂法生长的单晶相比,这些晶体的临界电流密度更大和上临界场更高.但是,由于没有使用助熔剂,原料的整体熔点较高,很难制备大尺寸晶体. ...
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35]
X-ray diffraction pattern at room temperature of the Ba0.6K0.4Fe2As2 superconducting single crystals (a) and the BaFe2 - x Co x As2 superconducting single crystals[35] (b)Fig.4
1.2 布里奇曼法(Bridgman method)布里奇曼法的原理,是在温度梯度环境中将密封的多晶粉末加热到略高于其熔点,然后移动熔体使其缓慢冷却生长出晶体.晶体在坩埚较冷的一端跨越熔点时成核并在熔体中缓慢生长.在晶体生长过程中使用与单晶成分接近的多晶粉末,而不是熔剂法那样用前驱体混合物.布里奇曼法分为垂直布里奇曼法和水平布里奇曼法.当前制备122体系超导单晶使用较多的是垂直布里奇曼法.用布里奇曼法可制备出更大尺寸的单晶样品,其尺寸可达厘米以上,但是对原料配比的要求较为苛刻. ...
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35] (b)
Fig.4
1.2 布里奇曼法(Bridgman method)布里奇曼法的原理,是在温度梯度环境中将密封的多晶粉末加热到略高于其熔点,然后移动熔体使其缓慢冷却生长出晶体.晶体在坩埚较冷的一端跨越熔点时成核并在熔体中缓慢生长.在晶体生长过程中使用与单晶成分接近的多晶粉末,而不是熔剂法那样用前驱体混合物.布里奇曼法分为垂直布里奇曼法和水平布里奇曼法.当前制备122体系超导单晶使用较多的是垂直布里奇曼法.用布里奇曼法可制备出更大尺寸的单晶样品,其尺寸可达厘米以上,但是对原料配比的要求较为苛刻. ...
Single-crystal growth of the ternary BaFe2As2 phase using the vertical Bridgman technique
3
2009
... Morinaga等以Ba15Fe42.5As42.5为原料用垂直布里奇曼法生长出厘米尺寸的Ba122超导单晶,如图5a所示.但是,由于单晶生长速率等参数并非最优,在铸锭底部不完全是单晶[36].Aswartham等在立式布里奇曼炉中生长超导单晶,直接从熔体中生长出成分为Ba(Fe1 - x Co x)2As2 (x = 0, 0.05, 0.1, 0.2)的无熔剂单晶.但是,不是在坩埚底端成核,偏光显微镜观察发现沿着坩埚壁出现了多个形核位点,单晶层主要切向生长在坩埚壁上.Aswartham等机械去除制备出横向尺寸为1 cm、厚度为0.1 mm的单晶,部分样品如图5b所示.测试结果表明,这些样品中Co的实际浓度偏高,在同一铸锭内部也观察到了Co浓度的变化.这意味着,该研究中的布里奇曼法还需要优化[37]. ...
... [
36]和利用布里奇曼法制备的Ba(Fe
1 - x Co
x)
2As
2超导单晶的部分样品
[37]Ba122 superconducting single crystals located below the ingot grown using the Bridgman method[36]. (a) and some examples of Ba(Fe1 - x Co x)2As2 superconducting single crystals grown using the Bridgman technique[37] (b)Fig.5![]()
布里奇曼法也可用于制备122铁硒超导体.Krzton-Maziopa等用布里奇曼法在FeSe结晶过程中将碱金属嵌入FeSe基质中制备出Tc约为30 K的A x Fe2 - y Se2(A = K或Cs)大尺寸高质量超导单晶.碱金属和硒都容易挥发还易与石英玻璃发生反应,因此在制备过程中加入5%过量的碱金属以补偿损失并将双壁安瓿密封以保证安全(图6a).晶体中不同区域元素的显微分布图(图6b)表明,初期生长的样品并非超导体,即用此法难以制备出100%的超导晶体[38].但是,用布里奇曼法制备的Fe1 + y Te1 - x Se x 单晶,其尺寸可达数厘米[39]. ...
... [
36]. (a) and some examples of Ba(Fe
1 - x Co
x)
2As
2 superconducting single crystals grown using the Bridgman technique
[37] (b)
Fig.5![]()
布里奇曼法也可用于制备122铁硒超导体.Krzton-Maziopa等用布里奇曼法在FeSe结晶过程中将碱金属嵌入FeSe基质中制备出Tc约为30 K的A x Fe2 - y Se2(A = K或Cs)大尺寸高质量超导单晶.碱金属和硒都容易挥发还易与石英玻璃发生反应,因此在制备过程中加入5%过量的碱金属以补偿损失并将双壁安瓿密封以保证安全(图6a).晶体中不同区域元素的显微分布图(图6b)表明,初期生长的样品并非超导体,即用此法难以制备出100%的超导晶体[38].但是,用布里奇曼法制备的Fe1 + y Te1 - x Se x 单晶,其尺寸可达数厘米[39]. ...
Single crystal growth and physical properties of superconducting ferro-pnictides Ba(Fe, Co)2As2 grown using self-flux and Bridgman techniques
3
2011
... Morinaga等以Ba15Fe42.5As42.5为原料用垂直布里奇曼法生长出厘米尺寸的Ba122超导单晶,如图5a所示.但是,由于单晶生长速率等参数并非最优,在铸锭底部不完全是单晶[36].Aswartham等在立式布里奇曼炉中生长超导单晶,直接从熔体中生长出成分为Ba(Fe1 - x Co x)2As2 (x = 0, 0.05, 0.1, 0.2)的无熔剂单晶.但是,不是在坩埚底端成核,偏光显微镜观察发现沿着坩埚壁出现了多个形核位点,单晶层主要切向生长在坩埚壁上.Aswartham等机械去除制备出横向尺寸为1 cm、厚度为0.1 mm的单晶,部分样品如图5b所示.测试结果表明,这些样品中Co的实际浓度偏高,在同一铸锭内部也观察到了Co浓度的变化.这意味着,该研究中的布里奇曼法还需要优化[37]. ...
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37]
Ba122 superconducting single crystals located below the ingot grown using the Bridgman method[36]. (a) and some examples of Ba(Fe1 - x Co x)2As2 superconducting single crystals grown using the Bridgman technique[37] (b)Fig.5![]()
布里奇曼法也可用于制备122铁硒超导体.Krzton-Maziopa等用布里奇曼法在FeSe结晶过程中将碱金属嵌入FeSe基质中制备出Tc约为30 K的A x Fe2 - y Se2(A = K或Cs)大尺寸高质量超导单晶.碱金属和硒都容易挥发还易与石英玻璃发生反应,因此在制备过程中加入5%过量的碱金属以补偿损失并将双壁安瓿密封以保证安全(图6a).晶体中不同区域元素的显微分布图(图6b)表明,初期生长的样品并非超导体,即用此法难以制备出100%的超导晶体[38].但是,用布里奇曼法制备的Fe1 + y Te1 - x Se x 单晶,其尺寸可达数厘米[39]. ...
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37] (b)
Fig.5![]()
布里奇曼法也可用于制备122铁硒超导体.Krzton-Maziopa等用布里奇曼法在FeSe结晶过程中将碱金属嵌入FeSe基质中制备出Tc约为30 K的A x Fe2 - y Se2(A = K或Cs)大尺寸高质量超导单晶.碱金属和硒都容易挥发还易与石英玻璃发生反应,因此在制备过程中加入5%过量的碱金属以补偿损失并将双壁安瓿密封以保证安全(图6a).晶体中不同区域元素的显微分布图(图6b)表明,初期生长的样品并非超导体,即用此法难以制备出100%的超导晶体[38].但是,用布里奇曼法制备的Fe1 + y Te1 - x Se x 单晶,其尺寸可达数厘米[39]. ...
Single crystals of novel alkali metal intercalated iron chalcogenide superconduc-tors
3
2012
... 布里奇曼法也可用于制备122铁硒超导体.Krzton-Maziopa等用布里奇曼法在FeSe结晶过程中将碱金属嵌入FeSe基质中制备出Tc约为30 K的A x Fe2 - y Se2(A = K或Cs)大尺寸高质量超导单晶.碱金属和硒都容易挥发还易与石英玻璃发生反应,因此在制备过程中加入5%过量的碱金属以补偿损失并将双壁安瓿密封以保证安全(图6a).晶体中不同区域元素的显微分布图(图6b)表明,初期生长的样品并非超导体,即用此法难以制备出100%的超导晶体[38].但是,用布里奇曼法制备的Fe1 + y Te1 - x Se x 单晶,其尺寸可达数厘米[39]. ...
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38]
Sealed double-wall ampoule used for crystal growth (a) andelemental distribution maps of Cs, Fe and Se collected with micro-XRF measurements from different regions of the Cs x Fe2 - y Se2 superconducting crystals[38] (b)Fig.6
1.3 光学浮区法(Optical floating-zone method)光学浮区法的原理是:用反射镜将激光聚焦到生长室的中间形成一个狭窄的高温区,原料棒通过这个高温区形成一个熔区,熔体依靠表面张力维持.原料棒和晶种棒反向转动并缓慢移动,在生长室的中央形成一个浮动的熔区即浮区.随着浮区的移动,熔区里的液体在温度梯度的驱动下结晶.多晶原料棒缓慢通过浮区时单晶成核且不断长大,最终长成单晶棒[40].用光学浮区法制备单晶时,原料棒是单相化合物且要求用等静压加工得比较密实,以防止熔区中的高温液体反向渗流.必要时可在生长初期添加自助熔剂,以降低原料熔点并补偿生长过程中产生的成分偏析. ...
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38] (b)
Fig.6
1.3 光学浮区法(Optical floating-zone method)光学浮区法的原理是:用反射镜将激光聚焦到生长室的中间形成一个狭窄的高温区,原料棒通过这个高温区形成一个熔区,熔体依靠表面张力维持.原料棒和晶种棒反向转动并缓慢移动,在生长室的中央形成一个浮动的熔区即浮区.随着浮区的移动,熔区里的液体在温度梯度的驱动下结晶.多晶原料棒缓慢通过浮区时单晶成核且不断长大,最终长成单晶棒[40].用光学浮区法制备单晶时,原料棒是单相化合物且要求用等静压加工得比较密实,以防止熔区中的高温液体反向渗流.必要时可在生长初期添加自助熔剂,以降低原料熔点并补偿生长过程中产生的成分偏析. ...
Interplay between magnetism and superconductivity in iron-chalcogenide superconductors: crystal growth and characterizations
1
2011
... 布里奇曼法也可用于制备122铁硒超导体.Krzton-Maziopa等用布里奇曼法在FeSe结晶过程中将碱金属嵌入FeSe基质中制备出Tc约为30 K的A x Fe2 - y Se2(A = K或Cs)大尺寸高质量超导单晶.碱金属和硒都容易挥发还易与石英玻璃发生反应,因此在制备过程中加入5%过量的碱金属以补偿损失并将双壁安瓿密封以保证安全(图6a).晶体中不同区域元素的显微分布图(图6b)表明,初期生长的样品并非超导体,即用此法难以制备出100%的超导晶体[38].但是,用布里奇曼法制备的Fe1 + y Te1 - x Se x 单晶,其尺寸可达数厘米[39]. ...
Optical floating zone furnace: principles and applications in crystal growth
1
2007
... 光学浮区法的原理是:用反射镜将激光聚焦到生长室的中间形成一个狭窄的高温区,原料棒通过这个高温区形成一个熔区,熔体依靠表面张力维持.原料棒和晶种棒反向转动并缓慢移动,在生长室的中央形成一个浮动的熔区即浮区.随着浮区的移动,熔区里的液体在温度梯度的驱动下结晶.多晶原料棒缓慢通过浮区时单晶成核且不断长大,最终长成单晶棒[40].用光学浮区法制备单晶时,原料棒是单相化合物且要求用等静压加工得比较密实,以防止熔区中的高温液体反向渗流.必要时可在生长初期添加自助熔剂,以降低原料熔点并补偿生长过程中产生的成分偏析. ...
光学浮区法生长技术及其在晶体生长中的应用
1
2007
... 光学浮区法的原理是:用反射镜将激光聚焦到生长室的中间形成一个狭窄的高温区,原料棒通过这个高温区形成一个熔区,熔体依靠表面张力维持.原料棒和晶种棒反向转动并缓慢移动,在生长室的中央形成一个浮动的熔区即浮区.随着浮区的移动,熔区里的液体在温度梯度的驱动下结晶.多晶原料棒缓慢通过浮区时单晶成核且不断长大,最终长成单晶棒[40].用光学浮区法制备单晶时,原料棒是单相化合物且要求用等静压加工得比较密实,以防止熔区中的高温液体反向渗流.必要时可在生长初期添加自助熔剂,以降低原料熔点并补偿生长过程中产生的成分偏析. ...
K x Fe2 - y Se2 single crystals: floating-zone growth, transport and structural properties
3
2012
... 提出此法,是为了制备大尺寸、高质量和高超导体积分数的单晶.Liu等用光学浮区法在8 bar氩气压力下制备出K x Fe2 - y Se2超导单晶,电阻率和磁测量显示在Tc = 32 K处发生超导转变.单晶生长过程如图7所示[41].该研究结果表明,为了避免生长的单晶分解,需要在液固界面温度与分解温度之间进行淬火.同时,晶种棒和原料棒旋转产生成分分布均匀的熔融区,也能避免单晶分解. ...
... [
41]
K x Fe2 - y Se2 superconducting single crystals grow-th process[41]Fig.7
2 化学掺杂2.1 电子掺杂(Electron doping)制备122铁砷超导体时,电子掺杂是使用3d-、4d-或者5d-过渡金属元素,用Ni、Co、Rh、Ir、Pd、Ru、Pt等替代Fe元素,在FeAs层中引入电子以诱导出超导电性[42].除了用过渡金属元素,用稀土元素替代碱土金属元素也可引入电子掺杂而诱导超导电性,但是超导体积分数很低[43]. ...
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41]
Fig.7
2 化学掺杂2.1 电子掺杂(Electron doping)制备122铁砷超导体时,电子掺杂是使用3d-、4d-或者5d-过渡金属元素,用Ni、Co、Rh、Ir、Pd、Ru、Pt等替代Fe元素,在FeAs层中引入电子以诱导出超导电性[42].除了用过渡金属元素,用稀土元素替代碱土金属元素也可引入电子掺杂而诱导超导电性,但是超导体积分数很低[43]. ...
Iron-based high transition temperature superconductors
2
2014
... 制备122铁砷超导体时,电子掺杂是使用3d-、4d-或者5d-过渡金属元素,用Ni、Co、Rh、Ir、Pd、Ru、Pt等替代Fe元素,在FeAs层中引入电子以诱导出超导电性[42].除了用过渡金属元素,用稀土元素替代碱土金属元素也可引入电子掺杂而诱导超导电性,但是超导体积分数很低[43]. ...
... 在122铁砷超导体中,等价掺杂是在As位掺杂P、Sb元素或在Fe位掺杂Ru元素诱导超导性.不同于电子掺杂和空穴掺杂,等价掺杂在原则上不会引入电子或者空穴等载流子,但是实际上局域化学压力也产生类似空穴或电子掺杂的效果,即体系的化学势发生变化[42].等价掺杂超导体的输运特性较好,例如剩余电阻率很小. ...
The unusually high Tc in rare-earth-doped single crystalline CaFe2As2
3
2014
... 制备122铁砷超导体时,电子掺杂是使用3d-、4d-或者5d-过渡金属元素,用Ni、Co、Rh、Ir、Pd、Ru、Pt等替代Fe元素,在FeAs层中引入电子以诱导出超导电性[42].除了用过渡金属元素,用稀土元素替代碱土金属元素也可引入电子掺杂而诱导超导电性,但是超导体积分数很低[43]. ...
... Leithe等首次在SrFe2As2中用Co元素替代Fe元素在FeAs层中掺杂电子诱导出超导电性.磁化率、电阻率和比热数据表明,在Sr(Fe1 - x Co x)2As2中Co元素掺杂能抑制反铁磁相变和晶体结构相变,x=0.2时出现了Tc = 20 K的体超导电性.随着Co含量的提高Tc逐渐降低,在x = 0.5时超导电性消失[44].Sefat等报导了Co元素掺杂BaFe2As2单晶的超导电性.霍尔效应测量结果表明,Ba(Fe1 - x Co x)2As2的主要载流子是电子,这也是Ba122中由电子掺杂引起超导电性的第一个例子.电阻率、磁化率和比热数据表明,Ba(Fe1 - x Co x)2As2在x = 0.2时出现了Tc = 22 K的体超导性[45].用Ni元素替代BaFe2As2中的Fe位点也能得到Tc约为23 K的超导性并得到类似Ba(Fe1 - x Co x)2As2的相图,但是对应掺杂的电子数目不同,如图8所示[46].除了上述用Co、Ni等3d-过渡金属元素替代Fe元素诱导超导电性外,Han等用4d-和5d-过渡金属Rh、Ir、Pd代替Fe元素也在Sr(Fe1 - x M x)2As2(M = Rh, Ir, Pd)中观察到了超导电性[47].此外,Ni等用自熔剂法制备出Ba(Fe1 - x M x)2As2 (M = Rh, Pd)单晶并观察到了超导电性[48].Lv等报告了用稀土元素部分替代Ca元素进行电子掺杂,在单晶CaFe2As2中检测到Tc高达49 K的异常超导电性[43,49].Wei等证明,这种异常超导性是一种界面效应,并进一步表明这种界面超导性可作为其他铁基超导体增强Tc的普遍方法[43]. ...
... [43]. ...
Superconducting state in SrFe2 - xCo x As2 by internal doping of the iron arsenide layers
1
2008
... Leithe等首次在SrFe2As2中用Co元素替代Fe元素在FeAs层中掺杂电子诱导出超导电性.磁化率、电阻率和比热数据表明,在Sr(Fe1 - x Co x)2As2中Co元素掺杂能抑制反铁磁相变和晶体结构相变,x=0.2时出现了Tc = 20 K的体超导电性.随着Co含量的提高Tc逐渐降低,在x = 0.5时超导电性消失[44].Sefat等报导了Co元素掺杂BaFe2As2单晶的超导电性.霍尔效应测量结果表明,Ba(Fe1 - x Co x)2As2的主要载流子是电子,这也是Ba122中由电子掺杂引起超导电性的第一个例子.电阻率、磁化率和比热数据表明,Ba(Fe1 - x Co x)2As2在x = 0.2时出现了Tc = 22 K的体超导性[45].用Ni元素替代BaFe2As2中的Fe位点也能得到Tc约为23 K的超导性并得到类似Ba(Fe1 - x Co x)2As2的相图,但是对应掺杂的电子数目不同,如图8所示[46].除了上述用Co、Ni等3d-过渡金属元素替代Fe元素诱导超导电性外,Han等用4d-和5d-过渡金属Rh、Ir、Pd代替Fe元素也在Sr(Fe1 - x M x)2As2(M = Rh, Ir, Pd)中观察到了超导电性[47].此外,Ni等用自熔剂法制备出Ba(Fe1 - x M x)2As2 (M = Rh, Pd)单晶并观察到了超导电性[48].Lv等报告了用稀土元素部分替代Ca元素进行电子掺杂,在单晶CaFe2As2中检测到Tc高达49 K的异常超导电性[43,49].Wei等证明,这种异常超导性是一种界面效应,并进一步表明这种界面超导性可作为其他铁基超导体增强Tc的普遍方法[43]. ...
Superconductivity at 22 K in Co-doped BaFe2As2 crystals
1
2008
... Leithe等首次在SrFe2As2中用Co元素替代Fe元素在FeAs层中掺杂电子诱导出超导电性.磁化率、电阻率和比热数据表明,在Sr(Fe1 - x Co x)2As2中Co元素掺杂能抑制反铁磁相变和晶体结构相变,x=0.2时出现了Tc = 20 K的体超导电性.随着Co含量的提高Tc逐渐降低,在x = 0.5时超导电性消失[44].Sefat等报导了Co元素掺杂BaFe2As2单晶的超导电性.霍尔效应测量结果表明,Ba(Fe1 - x Co x)2As2的主要载流子是电子,这也是Ba122中由电子掺杂引起超导电性的第一个例子.电阻率、磁化率和比热数据表明,Ba(Fe1 - x Co x)2As2在x = 0.2时出现了Tc = 22 K的体超导性[45].用Ni元素替代BaFe2As2中的Fe位点也能得到Tc约为23 K的超导性并得到类似Ba(Fe1 - x Co x)2As2的相图,但是对应掺杂的电子数目不同,如图8所示[46].除了上述用Co、Ni等3d-过渡金属元素替代Fe元素诱导超导电性外,Han等用4d-和5d-过渡金属Rh、Ir、Pd代替Fe元素也在Sr(Fe1 - x M x)2As2(M = Rh, Ir, Pd)中观察到了超导电性[47].此外,Ni等用自熔剂法制备出Ba(Fe1 - x M x)2As2 (M = Rh, Pd)单晶并观察到了超导电性[48].Lv等报告了用稀土元素部分替代Ca元素进行电子掺杂,在单晶CaFe2As2中检测到Tc高达49 K的异常超导电性[43,49].Wei等证明,这种异常超导性是一种界面效应,并进一步表明这种界面超导性可作为其他铁基超导体增强Tc的普遍方法[43]. ...
Effects of Co substitution on thermodynamic and transport properties and anisotropic Hc2 in Ba(Fe1 - x Co x)2As2 single crystals
3
2008
... Leithe等首次在SrFe2As2中用Co元素替代Fe元素在FeAs层中掺杂电子诱导出超导电性.磁化率、电阻率和比热数据表明,在Sr(Fe1 - x Co x)2As2中Co元素掺杂能抑制反铁磁相变和晶体结构相变,x=0.2时出现了Tc = 20 K的体超导电性.随着Co含量的提高Tc逐渐降低,在x = 0.5时超导电性消失[44].Sefat等报导了Co元素掺杂BaFe2As2单晶的超导电性.霍尔效应测量结果表明,Ba(Fe1 - x Co x)2As2的主要载流子是电子,这也是Ba122中由电子掺杂引起超导电性的第一个例子.电阻率、磁化率和比热数据表明,Ba(Fe1 - x Co x)2As2在x = 0.2时出现了Tc = 22 K的体超导性[45].用Ni元素替代BaFe2As2中的Fe位点也能得到Tc约为23 K的超导性并得到类似Ba(Fe1 - x Co x)2As2的相图,但是对应掺杂的电子数目不同,如图8所示[46].除了上述用Co、Ni等3d-过渡金属元素替代Fe元素诱导超导电性外,Han等用4d-和5d-过渡金属Rh、Ir、Pd代替Fe元素也在Sr(Fe1 - x M x)2As2(M = Rh, Ir, Pd)中观察到了超导电性[47].此外,Ni等用自熔剂法制备出Ba(Fe1 - x M x)2As2 (M = Rh, Pd)单晶并观察到了超导电性[48].Lv等报告了用稀土元素部分替代Ca元素进行电子掺杂,在单晶CaFe2As2中检测到Tc高达49 K的异常超导电性[43,49].Wei等证明,这种异常超导性是一种界面效应,并进一步表明这种界面超导性可作为其他铁基超导体增强Tc的普遍方法[43]. ...
... [
46]
SC phase diagram for Ba(Fe1 - x Co x)2As2 single crystals for x < 0.12[46]Fig.8
2.2 空穴掺杂(Hole doping)空穴掺杂制备122铁砷超导体,是在二价碱土金属位掺杂Na、K等一价元素,在FeAs层中引入空穴以诱导超导电性. ...
... [
46]
Fig.8
2.2 空穴掺杂(Hole doping)空穴掺杂制备122铁砷超导体,是在二价碱土金属位掺杂Na、K等一价元素,在FeAs层中引入空穴以诱导超导电性. ...
Superconductivity and phase diagrams of the 4d- and 5d- metal-doped iron arsenides SrFe2 - x M x As2 (M = Rh, Ir, Pd)
1
2009
... Leithe等首次在SrFe2As2中用Co元素替代Fe元素在FeAs层中掺杂电子诱导出超导电性.磁化率、电阻率和比热数据表明,在Sr(Fe1 - x Co x)2As2中Co元素掺杂能抑制反铁磁相变和晶体结构相变,x=0.2时出现了Tc = 20 K的体超导电性.随着Co含量的提高Tc逐渐降低,在x = 0.5时超导电性消失[44].Sefat等报导了Co元素掺杂BaFe2As2单晶的超导电性.霍尔效应测量结果表明,Ba(Fe1 - x Co x)2As2的主要载流子是电子,这也是Ba122中由电子掺杂引起超导电性的第一个例子.电阻率、磁化率和比热数据表明,Ba(Fe1 - x Co x)2As2在x = 0.2时出现了Tc = 22 K的体超导性[45].用Ni元素替代BaFe2As2中的Fe位点也能得到Tc约为23 K的超导性并得到类似Ba(Fe1 - x Co x)2As2的相图,但是对应掺杂的电子数目不同,如图8所示[46].除了上述用Co、Ni等3d-过渡金属元素替代Fe元素诱导超导电性外,Han等用4d-和5d-过渡金属Rh、Ir、Pd代替Fe元素也在Sr(Fe1 - x M x)2As2(M = Rh, Ir, Pd)中观察到了超导电性[47].此外,Ni等用自熔剂法制备出Ba(Fe1 - x M x)2As2 (M = Rh, Pd)单晶并观察到了超导电性[48].Lv等报告了用稀土元素部分替代Ca元素进行电子掺杂,在单晶CaFe2As2中检测到Tc高达49 K的异常超导电性[43,49].Wei等证明,这种异常超导性是一种界面效应,并进一步表明这种界面超导性可作为其他铁基超导体增强Tc的普遍方法[43]. ...
Phase diagrams of Ba(Fe1 - x M x)2As2 single crystals (M = Rh and Pd)
1
2009
... Leithe等首次在SrFe2As2中用Co元素替代Fe元素在FeAs层中掺杂电子诱导出超导电性.磁化率、电阻率和比热数据表明,在Sr(Fe1 - x Co x)2As2中Co元素掺杂能抑制反铁磁相变和晶体结构相变,x=0.2时出现了Tc = 20 K的体超导电性.随着Co含量的提高Tc逐渐降低,在x = 0.5时超导电性消失[44].Sefat等报导了Co元素掺杂BaFe2As2单晶的超导电性.霍尔效应测量结果表明,Ba(Fe1 - x Co x)2As2的主要载流子是电子,这也是Ba122中由电子掺杂引起超导电性的第一个例子.电阻率、磁化率和比热数据表明,Ba(Fe1 - x Co x)2As2在x = 0.2时出现了Tc = 22 K的体超导性[45].用Ni元素替代BaFe2As2中的Fe位点也能得到Tc约为23 K的超导性并得到类似Ba(Fe1 - x Co x)2As2的相图,但是对应掺杂的电子数目不同,如图8所示[46].除了上述用Co、Ni等3d-过渡金属元素替代Fe元素诱导超导电性外,Han等用4d-和5d-过渡金属Rh、Ir、Pd代替Fe元素也在Sr(Fe1 - x M x)2As2(M = Rh, Ir, Pd)中观察到了超导电性[47].此外,Ni等用自熔剂法制备出Ba(Fe1 - x M x)2As2 (M = Rh, Pd)单晶并观察到了超导电性[48].Lv等报告了用稀土元素部分替代Ca元素进行电子掺杂,在单晶CaFe2As2中检测到Tc高达49 K的异常超导电性[43,49].Wei等证明,这种异常超导性是一种界面效应,并进一步表明这种界面超导性可作为其他铁基超导体增强Tc的普遍方法[43]. ...
Unusual superconducting state at 49 K in electron-doped CaFe2As2 at ambient pressure
1
2011
... Leithe等首次在SrFe2As2中用Co元素替代Fe元素在FeAs层中掺杂电子诱导出超导电性.磁化率、电阻率和比热数据表明,在Sr(Fe1 - x Co x)2As2中Co元素掺杂能抑制反铁磁相变和晶体结构相变,x=0.2时出现了Tc = 20 K的体超导电性.随着Co含量的提高Tc逐渐降低,在x = 0.5时超导电性消失[44].Sefat等报导了Co元素掺杂BaFe2As2单晶的超导电性.霍尔效应测量结果表明,Ba(Fe1 - x Co x)2As2的主要载流子是电子,这也是Ba122中由电子掺杂引起超导电性的第一个例子.电阻率、磁化率和比热数据表明,Ba(Fe1 - x Co x)2As2在x = 0.2时出现了Tc = 22 K的体超导性[45].用Ni元素替代BaFe2As2中的Fe位点也能得到Tc约为23 K的超导性并得到类似Ba(Fe1 - x Co x)2As2的相图,但是对应掺杂的电子数目不同,如图8所示[46].除了上述用Co、Ni等3d-过渡金属元素替代Fe元素诱导超导电性外,Han等用4d-和5d-过渡金属Rh、Ir、Pd代替Fe元素也在Sr(Fe1 - x M x)2As2(M = Rh, Ir, Pd)中观察到了超导电性[47].此外,Ni等用自熔剂法制备出Ba(Fe1 - x M x)2As2 (M = Rh, Pd)单晶并观察到了超导电性[48].Lv等报告了用稀土元素部分替代Ca元素进行电子掺杂,在单晶CaFe2As2中检测到Tc高达49 K的异常超导电性[43,49].Wei等证明,这种异常超导性是一种界面效应,并进一步表明这种界面超导性可作为其他铁基超导体增强Tc的普遍方法[43]. ...
Superconductivity at 38 K in the iron arsenide (Ba1 - x K x)Fe2As2
1
2008
... 关于空穴掺杂的研究,Rotter等首先提出,由于超导母体化合物BaFe2As2的结构和电子性质与LaFeAsO密切相关,可用K+离子部分取代Ba2+离子在FeAs层中引入了空穴进而诱导BaFe2As2的超导电性.随后,Rotter等也成功地用固相反应法制备出Ba1 - x K x Fe2As2 (x = 0.3, 0.4)的K+离子掺杂样品,并在Ba0.6K0.4Fe2As2中发现了Tc = 38 K的超导电性[50].Aswartham等用自熔剂法成功制备出Ba1 - x Na x Fe2As2(x = 0, 0.25, 0.35, 0.4)单晶并通过磁化率、电阻率、霍尔系数和比热测量等手段系统地研究了超导和常态特性.结果表明,Na+离子取代Ba2+会在x = 0.4时诱导Tc高达34 K的超导电性,而Ba0.6K0.4Fe2As2的正霍尔系数证实Na+离子取代导致的空穴掺杂类似于Ba1 - x K x Fe2As2中的K+掺杂[51].Shirage等开展了有关CaFe2As2的空穴掺杂研究.Shirage等用高压合成法用Na+离子部分取代Ca2+离子成功地在CaFe2As2的FeAs层中引入了空穴并发现Ca0.6Na0.4Fe2As2样品在26 K时出现超导电性[52].随后,Zhao等成功制备出Ca0.33Na0.66Fe2As2超导单晶,在33 K时出现尖锐的超导转变,还根据磁化和电输运测量数据绘制了Ca1 - x Na x Fe2As2的超导相图,如图9所示[53,54]. ...
Hole doping in BaFe2As2: the case of Ba1 - x Na x Fe2As2 single crystals
1
2012
... 关于空穴掺杂的研究,Rotter等首先提出,由于超导母体化合物BaFe2As2的结构和电子性质与LaFeAsO密切相关,可用K+离子部分取代Ba2+离子在FeAs层中引入了空穴进而诱导BaFe2As2的超导电性.随后,Rotter等也成功地用固相反应法制备出Ba1 - x K x Fe2As2 (x = 0.3, 0.4)的K+离子掺杂样品,并在Ba0.6K0.4Fe2As2中发现了Tc = 38 K的超导电性[50].Aswartham等用自熔剂法成功制备出Ba1 - x Na x Fe2As2(x = 0, 0.25, 0.35, 0.4)单晶并通过磁化率、电阻率、霍尔系数和比热测量等手段系统地研究了超导和常态特性.结果表明,Na+离子取代Ba2+会在x = 0.4时诱导Tc高达34 K的超导电性,而Ba0.6K0.4Fe2As2的正霍尔系数证实Na+离子取代导致的空穴掺杂类似于Ba1 - x K x Fe2As2中的K+掺杂[51].Shirage等开展了有关CaFe2As2的空穴掺杂研究.Shirage等用高压合成法用Na+离子部分取代Ca2+离子成功地在CaFe2As2的FeAs层中引入了空穴并发现Ca0.6Na0.4Fe2As2样品在26 K时出现超导电性[52].随后,Zhao等成功制备出Ca0.33Na0.66Fe2As2超导单晶,在33 K时出现尖锐的超导转变,还根据磁化和电输运测量数据绘制了Ca1 - x Na x Fe2As2的超导相图,如图9所示[53,54]. ...
Superconductivity at 26 K in (Ca1 - x Na x)Fe2As2
1
2008
... 关于空穴掺杂的研究,Rotter等首先提出,由于超导母体化合物BaFe2As2的结构和电子性质与LaFeAsO密切相关,可用K+离子部分取代Ba2+离子在FeAs层中引入了空穴进而诱导BaFe2As2的超导电性.随后,Rotter等也成功地用固相反应法制备出Ba1 - x K x Fe2As2 (x = 0.3, 0.4)的K+离子掺杂样品,并在Ba0.6K0.4Fe2As2中发现了Tc = 38 K的超导电性[50].Aswartham等用自熔剂法成功制备出Ba1 - x Na x Fe2As2(x = 0, 0.25, 0.35, 0.4)单晶并通过磁化率、电阻率、霍尔系数和比热测量等手段系统地研究了超导和常态特性.结果表明,Na+离子取代Ba2+会在x = 0.4时诱导Tc高达34 K的超导电性,而Ba0.6K0.4Fe2As2的正霍尔系数证实Na+离子取代导致的空穴掺杂类似于Ba1 - x K x Fe2As2中的K+掺杂[51].Shirage等开展了有关CaFe2As2的空穴掺杂研究.Shirage等用高压合成法用Na+离子部分取代Ca2+离子成功地在CaFe2As2的FeAs层中引入了空穴并发现Ca0.6Na0.4Fe2As2样品在26 K时出现超导电性[52].随后,Zhao等成功制备出Ca0.33Na0.66Fe2As2超导单晶,在33 K时出现尖锐的超导转变,还根据磁化和电输运测量数据绘制了Ca1 - x Na x Fe2As2的超导相图,如图9所示[53,54]. ...
Superconductivity above 33 K in (Ca1 - x Na x)Fe2As2
1
2010
... 关于空穴掺杂的研究,Rotter等首先提出,由于超导母体化合物BaFe2As2的结构和电子性质与LaFeAsO密切相关,可用K+离子部分取代Ba2+离子在FeAs层中引入了空穴进而诱导BaFe2As2的超导电性.随后,Rotter等也成功地用固相反应法制备出Ba1 - x K x Fe2As2 (x = 0.3, 0.4)的K+离子掺杂样品,并在Ba0.6K0.4Fe2As2中发现了Tc = 38 K的超导电性[50].Aswartham等用自熔剂法成功制备出Ba1 - x Na x Fe2As2(x = 0, 0.25, 0.35, 0.4)单晶并通过磁化率、电阻率、霍尔系数和比热测量等手段系统地研究了超导和常态特性.结果表明,Na+离子取代Ba2+会在x = 0.4时诱导Tc高达34 K的超导电性,而Ba0.6K0.4Fe2As2的正霍尔系数证实Na+离子取代导致的空穴掺杂类似于Ba1 - x K x Fe2As2中的K+掺杂[51].Shirage等开展了有关CaFe2As2的空穴掺杂研究.Shirage等用高压合成法用Na+离子部分取代Ca2+离子成功地在CaFe2As2的FeAs层中引入了空穴并发现Ca0.6Na0.4Fe2As2样品在26 K时出现超导电性[52].随后,Zhao等成功制备出Ca0.33Na0.66Fe2As2超导单晶,在33 K时出现尖锐的超导转变,还根据磁化和电输运测量数据绘制了Ca1 - x Na x Fe2As2的超导相图,如图9所示[53,54]. ...
Doping dependence of the superconductivity of (Ca1 - x Na x)Fe2As2
3
2011
... 关于空穴掺杂的研究,Rotter等首先提出,由于超导母体化合物BaFe2As2的结构和电子性质与LaFeAsO密切相关,可用K+离子部分取代Ba2+离子在FeAs层中引入了空穴进而诱导BaFe2As2的超导电性.随后,Rotter等也成功地用固相反应法制备出Ba1 - x K x Fe2As2 (x = 0.3, 0.4)的K+离子掺杂样品,并在Ba0.6K0.4Fe2As2中发现了Tc = 38 K的超导电性[50].Aswartham等用自熔剂法成功制备出Ba1 - x Na x Fe2As2(x = 0, 0.25, 0.35, 0.4)单晶并通过磁化率、电阻率、霍尔系数和比热测量等手段系统地研究了超导和常态特性.结果表明,Na+离子取代Ba2+会在x = 0.4时诱导Tc高达34 K的超导电性,而Ba0.6K0.4Fe2As2的正霍尔系数证实Na+离子取代导致的空穴掺杂类似于Ba1 - x K x Fe2As2中的K+掺杂[51].Shirage等开展了有关CaFe2As2的空穴掺杂研究.Shirage等用高压合成法用Na+离子部分取代Ca2+离子成功地在CaFe2As2的FeAs层中引入了空穴并发现Ca0.6Na0.4Fe2As2样品在26 K时出现超导电性[52].随后,Zhao等成功制备出Ca0.33Na0.66Fe2As2超导单晶,在33 K时出现尖锐的超导转变,还根据磁化和电输运测量数据绘制了Ca1 - x Na x Fe2As2的超导相图,如图9所示[53,54]. ...
... [
54]
SC phase diagram of Ca1 - x Na x Fe2As2[54]Fig.9
2.3 等价掺杂(Isovalent doping)在122铁砷超导体中,等价掺杂是在As位掺杂P、Sb元素或在Fe位掺杂Ru元素诱导超导性.不同于电子掺杂和空穴掺杂,等价掺杂在原则上不会引入电子或者空穴等载流子,但是实际上局域化学压力也产生类似空穴或电子掺杂的效果,即体系的化学势发生变化[42].等价掺杂超导体的输运特性较好,例如剩余电阻率很小. ...
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54]
Fig.9
2.3 等价掺杂(Isovalent doping)在122铁砷超导体中,等价掺杂是在As位掺杂P、Sb元素或在Fe位掺杂Ru元素诱导超导性.不同于电子掺杂和空穴掺杂,等价掺杂在原则上不会引入电子或者空穴等载流子,但是实际上局域化学压力也产生类似空穴或电子掺杂的效果,即体系的化学势发生变化[42].等价掺杂超导体的输运特性较好,例如剩余电阻率很小. ...
Superconductivity induced by phosphorus doping and its coexistence with ferromagnetism in EuFe2(As0.7P0.3)2
1
2009
... Ren等首次在EuFe2As2中的As位掺杂P元素使EuFe2(As0.7P0.3)2在26 K表现出超导电性.研究表明,P等价取代As使晶格收缩、产生化学压力进而诱导超导电性.此外,还在20 K以下观察到超导性与铁磁有序共存,因此迈斯纳效应并不明显[55].随后,Jiang等用固相反应法在BaFe2As2的As位掺杂P诱导超导性并画出BaFe2(As1 - x P x)2超导相图(图10).结构测量结果表明,FeAs层间距随着P掺杂而减小,表明P掺杂产生的化学应力影响FeAs层诱导出超导电性[56].Kasahara等研究了P等价掺杂与母体BaFe2As2在受压情况下的超导相图.结果表明,两个相图惊人相似,表明P替代As的等价掺杂与压力效应相同[57].2014年,Tanatar等用自熔剂法制备出Ba(Fe1 - x Ru x)2As2单晶并在从母体化合物到略低于最佳掺杂范围内测量了等价掺杂Ba(Fe1 - x Ru x)2As2与温度相关的层间电阻率.结果表明,用Ru等价取代Fe的样品其电阻率变化与用P等价取代As时的结果十分相似,即在BaFe2As2中用Ru等价取代Fe也会诱导超导电性[58].综合碱土金属位置的空穴掺杂、Fe位的电子掺杂和As位的同价掺杂,122体系铁基超导体呈现出三个不同维度的掺杂,使其相图非常丰富,超导等物性易于调节,这正是该体系被广泛研究的重要原因[59,60]. ...
Superconductivity up to 30 K in the vicinity of the quantum critical point in BaFe2(As1 - x P x)2
1
2009
... Ren等首次在EuFe2As2中的As位掺杂P元素使EuFe2(As0.7P0.3)2在26 K表现出超导电性.研究表明,P等价取代As使晶格收缩、产生化学压力进而诱导超导电性.此外,还在20 K以下观察到超导性与铁磁有序共存,因此迈斯纳效应并不明显[55].随后,Jiang等用固相反应法在BaFe2As2的As位掺杂P诱导超导性并画出BaFe2(As1 - x P x)2超导相图(图10).结构测量结果表明,FeAs层间距随着P掺杂而减小,表明P掺杂产生的化学应力影响FeAs层诱导出超导电性[56].Kasahara等研究了P等价掺杂与母体BaFe2As2在受压情况下的超导相图.结果表明,两个相图惊人相似,表明P替代As的等价掺杂与压力效应相同[57].2014年,Tanatar等用自熔剂法制备出Ba(Fe1 - x Ru x)2As2单晶并在从母体化合物到略低于最佳掺杂范围内测量了等价掺杂Ba(Fe1 - x Ru x)2As2与温度相关的层间电阻率.结果表明,用Ru等价取代Fe的样品其电阻率变化与用P等价取代As时的结果十分相似,即在BaFe2As2中用Ru等价取代Fe也会诱导超导电性[58].综合碱土金属位置的空穴掺杂、Fe位的电子掺杂和As位的同价掺杂,122体系铁基超导体呈现出三个不同维度的掺杂,使其相图非常丰富,超导等物性易于调节,这正是该体系被广泛研究的重要原因[59,60]. ...
Superconductivity induced by isovalent doping in single crystals of BaFe2(As1 - x P x)2
1
2010
... Ren等首次在EuFe2As2中的As位掺杂P元素使EuFe2(As0.7P0.3)2在26 K表现出超导电性.研究表明,P等价取代As使晶格收缩、产生化学压力进而诱导超导电性.此外,还在20 K以下观察到超导性与铁磁有序共存,因此迈斯纳效应并不明显[55].随后,Jiang等用固相反应法在BaFe2As2的As位掺杂P诱导超导性并画出BaFe2(As1 - x P x)2超导相图(图10).结构测量结果表明,FeAs层间距随着P掺杂而减小,表明P掺杂产生的化学应力影响FeAs层诱导出超导电性[56].Kasahara等研究了P等价掺杂与母体BaFe2As2在受压情况下的超导相图.结果表明,两个相图惊人相似,表明P替代As的等价掺杂与压力效应相同[57].2014年,Tanatar等用自熔剂法制备出Ba(Fe1 - x Ru x)2As2单晶并在从母体化合物到略低于最佳掺杂范围内测量了等价掺杂Ba(Fe1 - x Ru x)2As2与温度相关的层间电阻率.结果表明,用Ru等价取代Fe的样品其电阻率变化与用P等价取代As时的结果十分相似,即在BaFe2As2中用Ru等价取代Fe也会诱导超导电性[58].综合碱土金属位置的空穴掺杂、Fe位的电子掺杂和As位的同价掺杂,122体系铁基超导体呈现出三个不同维度的掺杂,使其相图非常丰富,超导等物性易于调节,这正是该体系被广泛研究的重要原因[59,60]. ...
Effects of isovalent substitution and pressure on the interplane resistivity of single-crystal Ba(Fe1 - x Ru x)2As2
3
2014
... Ren等首次在EuFe2As2中的As位掺杂P元素使EuFe2(As0.7P0.3)2在26 K表现出超导电性.研究表明,P等价取代As使晶格收缩、产生化学压力进而诱导超导电性.此外,还在20 K以下观察到超导性与铁磁有序共存,因此迈斯纳效应并不明显[55].随后,Jiang等用固相反应法在BaFe2As2的As位掺杂P诱导超导性并画出BaFe2(As1 - x P x)2超导相图(图10).结构测量结果表明,FeAs层间距随着P掺杂而减小,表明P掺杂产生的化学应力影响FeAs层诱导出超导电性[56].Kasahara等研究了P等价掺杂与母体BaFe2As2在受压情况下的超导相图.结果表明,两个相图惊人相似,表明P替代As的等价掺杂与压力效应相同[57].2014年,Tanatar等用自熔剂法制备出Ba(Fe1 - x Ru x)2As2单晶并在从母体化合物到略低于最佳掺杂范围内测量了等价掺杂Ba(Fe1 - x Ru x)2As2与温度相关的层间电阻率.结果表明,用Ru等价取代Fe的样品其电阻率变化与用P等价取代As时的结果十分相似,即在BaFe2As2中用Ru等价取代Fe也会诱导超导电性[58].综合碱土金属位置的空穴掺杂、Fe位的电子掺杂和As位的同价掺杂,122体系铁基超导体呈现出三个不同维度的掺杂,使其相图非常丰富,超导等物性易于调节,这正是该体系被广泛研究的重要原因[59,60]. ...
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58]
SC phase diagram of BaFe2(As1 - x P x)2[58]Fig.10
3 结语和展望总结了几种122体系铁基超导单晶的制备方法和相关的化学掺杂方法.介绍了用助熔剂法、布里奇曼法、光学浮区法生长单晶的原理和相关研究结果.总结了122铁砷超导母体诱导超导性的电子掺杂、空穴掺杂以及等价掺杂手段,并介绍了相关的研究进展. ...
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58]
Fig.10
3 结语和展望总结了几种122体系铁基超导单晶的制备方法和相关的化学掺杂方法.介绍了用助熔剂法、布里奇曼法、光学浮区法生长单晶的原理和相关研究结果.总结了122铁砷超导母体诱导超导性的电子掺杂、空穴掺杂以及等价掺杂手段,并介绍了相关的研究进展. ...
A quantum critical point lying beneath the superconducting dome in iron pnictides
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2014
... Ren等首次在EuFe2As2中的As位掺杂P元素使EuFe2(As0.7P0.3)2在26 K表现出超导电性.研究表明,P等价取代As使晶格收缩、产生化学压力进而诱导超导电性.此外,还在20 K以下观察到超导性与铁磁有序共存,因此迈斯纳效应并不明显[55].随后,Jiang等用固相反应法在BaFe2As2的As位掺杂P诱导超导性并画出BaFe2(As1 - x P x)2超导相图(图10).结构测量结果表明,FeAs层间距随着P掺杂而减小,表明P掺杂产生的化学应力影响FeAs层诱导出超导电性[56].Kasahara等研究了P等价掺杂与母体BaFe2As2在受压情况下的超导相图.结果表明,两个相图惊人相似,表明P替代As的等价掺杂与压力效应相同[57].2014年,Tanatar等用自熔剂法制备出Ba(Fe1 - x Ru x)2As2单晶并在从母体化合物到略低于最佳掺杂范围内测量了等价掺杂Ba(Fe1 - x Ru x)2As2与温度相关的层间电阻率.结果表明,用Ru等价取代Fe的样品其电阻率变化与用P等价取代As时的结果十分相似,即在BaFe2As2中用Ru等价取代Fe也会诱导超导电性[58].综合碱土金属位置的空穴掺杂、Fe位的电子掺杂和As位的同价掺杂,122体系铁基超导体呈现出三个不同维度的掺杂,使其相图非常丰富,超导等物性易于调节,这正是该体系被广泛研究的重要原因[59,60]. ...
Iron pnictides and chalcogenides: a new paradigm for superconductivity
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2022
... Ren等首次在EuFe2As2中的As位掺杂P元素使EuFe2(As0.7P0.3)2在26 K表现出超导电性.研究表明,P等价取代As使晶格收缩、产生化学压力进而诱导超导电性.此外,还在20 K以下观察到超导性与铁磁有序共存,因此迈斯纳效应并不明显[55].随后,Jiang等用固相反应法在BaFe2As2的As位掺杂P诱导超导性并画出BaFe2(As1 - x P x)2超导相图(图10).结构测量结果表明,FeAs层间距随着P掺杂而减小,表明P掺杂产生的化学应力影响FeAs层诱导出超导电性[56].Kasahara等研究了P等价掺杂与母体BaFe2As2在受压情况下的超导相图.结果表明,两个相图惊人相似,表明P替代As的等价掺杂与压力效应相同[57].2014年,Tanatar等用自熔剂法制备出Ba(Fe1 - x Ru x)2As2单晶并在从母体化合物到略低于最佳掺杂范围内测量了等价掺杂Ba(Fe1 - x Ru x)2As2与温度相关的层间电阻率.结果表明,用Ru等价取代Fe的样品其电阻率变化与用P等价取代As时的结果十分相似,即在BaFe2As2中用Ru等价取代Fe也会诱导超导电性[58].综合碱土金属位置的空穴掺杂、Fe位的电子掺杂和As位的同价掺杂,122体系铁基超导体呈现出三个不同维度的掺杂,使其相图非常丰富,超导等物性易于调节,这正是该体系被广泛研究的重要原因[59,60]. ...