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材料研究学报  1990, Vol. 4 Issue (5): 398-403    
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Al-Si共晶生长过程中Si相分枝的分维特征
刘俊明;周尧和;商宝禄
南京大学;西北工业大学;西北工业大学
ON FRACTAL OF SILICON-BRANCHING CLUSTERS FOR AI-Si EUTECTIC GROWTH
LIU Junming(Nanjing University)ZHOU Yaohe;SHANG Baolu(Northwestern Polytechnical University)
引用本文:

刘俊明;周尧和;商宝禄. Al-Si共晶生长过程中Si相分枝的分维特征[J]. 材料研究学报, 1990, 4(5): 398-403.
, , . ON FRACTAL OF SILICON-BRANCHING CLUSTERS FOR AI-Si EUTECTIC GROWTH[J]. Chin J Mater Res, 1990, 4(5): 398-403.

全文: PDF(491 KB)  
摘要: 本文研究了Al-Si 共晶强制性稳态生长过程中Si 的分枝特征,指出Si 分枝簇是一类分维结构,并测出其分维值D_f=1.74±0.10,此值同Laplace 分维(LF)模拟值相近。而且测定结果表明D_f 同生长速度和温度梯度没有明显的相关关系,Si 相分枝是自相似的。讨论了Si 相分枝生长的随机性问题。
关键词 分维Al-Si共晶Si分枝    
Abstract:The silicon-branching of growth of Al-Si eutectic undercons trained condi-tion has been investigated experimentally.It is suggested that the branch cluster of theeutectic silicon is of fractal structure.The fractal dimension value D_f=1.74±0.10 is givenfr
Key wordsfractals    Al-Si eutectic    silicon-branching process
收稿日期: 1990-10-25     
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