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材料研究学报  1992, Vol. 6 Issue (6): 514-518    
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Ti 离子注入 LiNbO_3表面损伤分析
周建华;游伯强;张良莹;姚熹
西安交通大学;西安交通大学电子材料研究室;西安市710049;西安交通大学;西安交通大学
SURFACE DAMAGE OF LiNbO_3 IMPLANTED BY Ti ION
ZHOU Jianhua;YOU Boqiang;ZHANG Liangying;YAO Xi(Xi'an Jiaotong University)
引用本文:

周建华;游伯强;张良莹;姚熹. Ti 离子注入 LiNbO_3表面损伤分析[J]. 材料研究学报, 1992, 6(6): 514-518.
, , , . SURFACE DAMAGE OF LiNbO_3 IMPLANTED BY Ti ION[J]. Chin J Mater Res, 1992, 6(6): 514-518.

全文: PDF(405 KB)  
摘要: 本文分析了高能Ti 离子注入LiNbO_3后x,y,z 三种不同切向的表面损伤分布及退火效应。x,y 切片表面损伤程度近乎无定形,Nb 原子迁移率N_D/N=1;z 切片表面损伤仍未饱和,N_D/N=0.8。辐射损伤主要是大量Nb 偏离晶格位置成为间隙原子,注入的Ti 离子处于间隙位置—LiNbO_3结构中固有的空位,使晶格有微小的膨胀。注入后产生有大量的氧缺位,氧气氛中热退火可消除氧缺位,使位移原子恢复至原晶格位置,且大部分间隙位置上的Ti 离子通过替代Nb 或少数Li 进入正规格点上,此处晶格有少许收缩;热处理后损伤的消除由注入层与衬底的界面处向外表面方向进行,需1000℃高温退火,晶格损伤才能获得明显的改善,氧气氛可防止氧缺位的增多。
关键词 离子注入表面损伤晶格间隙    
Abstract:Damage and annealing effect of x,y and z cut LiNbO_3 implanted by 350keVhigh energy Ti(1.5×10~(17)/cm~2)were studied.The damage caused by ion implantation is re-moved by high temperatures annealing in dry oxygen atomsphere at different temperatures andtim
Key wordsion implantation    surface damage    lattice sites
收稿日期: 1992-12-25     
基金资助:国家自然科学基金
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