材料研究学报  1997, Vol. 11 Issue (2): 207-208

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直流反应磁控溅射法注积ZrN薄膜

吴大维;张志宏;罗海林;郭怀喜;范湘军

武汉大学;武汉大学;武汉大学;武汉大学;武汉大学

PROPERTIES OF THE ZIRCONIUM NITRIDE FILMS PREPARED BY REACTIVE MAGNETRON SPUTTERING

WU Dawei; ZHANG Zhihong; LUO Hailin; GUO Huaixi; FAN Xiangjun (Correspondent: WU Dawei; Department of Physics; Wuhan University; Wuhan 430072)

吴大维;张志宏;罗海林;郭怀喜;范湘军. 直流反应磁控溅射法注积ZrN薄膜[J]. 材料研究学报, 1997, 11(2): 207-208.
, , , , . PROPERTIES OF THE ZIRCONIUM NITRIDE FILMS PREPARED BY REACTIVE MAGNETRON SPUTTERING[J]. Chin J Mater Res, 1997, 11(2): 207-208.

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(160 KB)   摘要: 采用直流反应磁控溅射法淀积ZrN薄膜发现在(100)晶向硅片上ZrN薄膜按(111)晶向生长,控制生长工艺可以获得ZrN(111)晶向的外延生长膜. 关键词 ： ZrN薄膜,  DC反应磁控溅射,  外延生长,  薄膜电阻材料     Abstract：ZrN films were deposited by reactive magnetron sputtering.The crystalline quality of ZrN films was investigated by X-ray diffraction. The results indicated the growth of zirconium nitride had the(l I l) orientation priority. Controlling the growth conditi Key words： Zirconium nitride film DC reactive magnetron sputtering epitaxial growth film resistance material 收稿日期: 1997-04-25      基金资助:国家自然科学基金!59571047 服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 吴大维 张志宏 罗海林 郭怀喜 范湘军 44.8K 链接本文: https://www.cjmr.org/CN/      或      https://www.cjmr.org/CN/Y1997/V11/I2/207 [1] 邵思武, 郑宇亭, 安康, 黄亚博, 陈良贤, 刘金龙, 魏俊俊, 李成明. 偏压技术在金刚石薄膜制备中应用的进展[J]. 材料研究学报, 2022, 36(3): 161-174. [2] 董伟,黄志涛,刘红梅,杨光,杨洋,杨帆. 电子束成形TC18钛合金晶体取向规律研究[J]. 材料研究学报, 2017, 31(3): 203-210. [3] 武光明; 李月法; 贾锐 . InAs自组织量子点(线)的制备和表征[J]. 材料研究学报, 2002, 16(5): 490-494. [4] 李美亚; 熊光成; 王忠烈; 范守善; 赵清太; 林揆训 . 脉冲激光法外延生长锰氧化物薄膜[J]. 材料研究学报, 1999, 13(6): 659-662. [5] 王引书;李晋闽;林兰英. SiC单晶的生长及其器件研制进展[J]. 材料研究学报, 1998, 12(3): 233-238. [6] 陈志雄;唐大海;刘梅冬;王培英;吴国安;丁军勇. PLZT(28/0/100)薄膜的溶胶-凝胶制备技术及显微结构[J]. 材料研究学报, 1995, 9(1): 76-80. [7] 姜明;江晓平;黄建国;孙晓峰;葛云龙;胡壮麒. 激光快速熔凝Fe基、Ni基合金的细化形态[J]. 材料研究学报, 1989, 3(3): 199-204. [8] 姜明;江晓平;黄建国;孙晓峰;葛云龙;胡壮麒. 激光表面熔覆Fe 基、Ni基和Co基合金涂层的显微结构[J]. 材料研究学报, 1989, 3(3): 225-229. Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed