材料研究学报  1998, Vol. 12 Issue (4): 369-374

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微波等离子体化学气相淀积法生长取向性纳米氮化铝薄膜

孟广耀;谢松;彭定坤

中国科学技术大学材料科学工程系;合肥市;230026;中国科学技术大学;中国科学技术大学

THE PREMRAfION OF ORIENTED AlN NANOMETER THIN FILMS BY MICROWAVE PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

XIE Song; MENG Guangyao; PENG Dingkun (Department of Materials Science and Engineering)University of Science and Technology of China; Hefei 230026)

孟广耀;谢松;彭定坤. 微波等离子体化学气相淀积法生长取向性纳米氮化铝薄膜[J]. 材料研究学报, 1998, 12(4): 369-374.
, , . THE PREMRAfION OF ORIENTED AlN NANOMETER THIN FILMS BY MICROWAVE PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION[J]. Chin J Mater Res, 1998, 12(4): 369-374.

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(1080 KB)   摘要: 采用微波等离子体增强的化学气相淀积法,在Si(111)衬底上生长了(002)择优取向良好的AIN纳米薄膜研究淀积参数对膜的形貌、物相结构和生长速率的影响,发现在一定条件下,该起积过程属于典型的输运控制过程采用表面吸附生长模型讨论了膜的生长机制 关键词 ： 微波等离子体,  化学气相淀积,  氮化铝膜,  生长机制     Abstract：By microwave plasma enhanced chemical vapor deposition we prepared highly (002) oriented AIN nanometer thin film on Si(111) substrate. The effect on sudece morphology. film structure and deposition rate at various deposition conditions had been researched Key words： microwave plasma    chemical vapor deposition    AIN film    growth mechanism 收稿日期: 1998-08-25      基金资助:国家自然科学基金!29271031 服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 孟广耀 谢松 彭定坤 44.8K 链接本文: https://www.cjmr.org/CN/      或      https://www.cjmr.org/CN/Y1998/V12/I4/369 1W.Zhang ,Y.Someno,M.Sasaki T Hirai J.Grystal GrowtL 130 305(1993) 2S Xie, X.Liu, G Y.Meng Chem J Chinese Univ 17, 838(199) 3G Y Meng N Azema, B Cros,J.Durand L.Cot,J Crystal Growth, 129, 610(1993) 4 F.Hasegawa,T.Takahashi, K Kubo, Y Nannichi; Japan J. Appl Phys. 26 1555(1987)% [1] 甄龙云, 彭鹏, 仇成功, 郑蓓蓉, Armaou Antonios, 钟蓉. Al预沉积层对金属有机物化学气相沉积方法在Si衬底上生长AlN缓冲层和GaN外延层的影响[J]. 材料研究学报, 2020, 34(10): 744-752. [2] 王延平 王兵 熊鹰 周亮. 掺氮纳米金刚石膜的制备和性能[J]. 材料研究学报, 2011, 25(2): 147-150. [3] 张永平; 顾有松; 常香荣; 田中卓; 时东霞; 张秀芳; 袁磊 . 用微波等离子体CVD制备C3N4薄膜[J]. 材料研究学报, 2000, 14(3): 311-314. [4] 李代宗; 于卓; 雷震霖 ; 成步文; 余金中; 王启明 . GexSi1-x材料生长的改善[J]. 材料研究学报, 2000, 14(2): 215-217. [5] 韩伟强;范守善;李群庆;顾秉林. 碳化硅纳米晶须生长和显微结构[J]. 材料研究学报, 1998, 12(3): 335-336. [6] 景俊海;孙青;付俊兴;孙建成. 低温 Hg 敏化光化学气相淀积 Si_3N_4薄膜[J]. 材料研究学报, 1991, 5(3): 247-251. [7] 刘林;傅恒志. Ni 基高温合金中 MC 碳化物生长的理论形貌[J]. 材料研究学报, 1989, 3(5): 396-400. Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed