非晶态Ge/SiO_2超晶格结构与特性

材料研究学报

1998, Vol. 12

Issue (5): 512-514

研究论文

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非晶态Ge/SiO_2超晶格结构与特性

张兴旺;陈光华

兰州大学;北京工业大学应用物理系固体室;北京市;100022;兰州大学;北京工业大学;北京市;100022

THE STRUCTURE AND PROPERTIES OF AMORPHOUS Ge/SiO_2 SUPERLATTICES

ZHANG Xinwang;CHEN Guanghua( Dept-of Phgsics; Lanchou University; Lanzhou 730000Dept. of Applied Phgsics; Beijing Polytechnic University; Beijing; 100022)

引用本文:

张兴旺;陈光华. 非晶态Ge/SiO_2超晶格结构与特性[J]. 材料研究学报, 1998, 12(5): 512-514.
, . THE STRUCTURE AND PROPERTIES OF AMORPHOUS Ge/SiO_2 SUPERLATTICES[J]. Chin J Mater Res, 1998, 12(5): 512-514.

全文: PDF(251 KB)

摘要: 在双靶射频溅射系统中,以氢气为工作气体,交替溅射高纯Ge和SiO2,制备出了非晶态Ge/SiO2超晶格.小角度X射线衍射分析结果表明样品具有良好的周期性和界面平整性.其光学带降Eopt由红外透射、反射谱确定.当锗势阱层厚度从0.38nm减小到0.12nm时,超晶格光学带欧发生约0.3eV的游移.

关键词 ：超晶格, α-Ge/SiO_2, 射频溅射

Abstract：The amorphous Ge/SiO2 superlattices have been prepared by rf sputtering with poIycrystalline Ge and quata targets in Ar ambient. Small angle X-ray diffraction measurement was carried to invedigate the structure of the samples, the results indicate the abr

Key words： superlattice α-Ge/SiO_2 RF sputtering

收稿日期: 1998-10-25

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