材料研究学报  1998, Vol. 12 Issue (5): 512-514

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非晶态Ge/SiO_2超晶格结构与特性

张兴旺;陈光华

兰州大学;北京工业大学应用物理系固体室;北京市;100022;兰州大学;北京工业大学;北京市;100022

THE STRUCTURE AND PROPERTIES OF AMORPHOUS Ge/SiO_2 SUPERLATTICES

ZHANG Xinwang;CHEN Guanghua( Dept-of Phgsics; Lanchou University; Lanzhou 730000Dept. of Applied Phgsics; Beijing Polytechnic University; Beijing; 100022)

张兴旺;陈光华. 非晶态Ge/SiO_2超晶格结构与特性[J]. 材料研究学报, 1998, 12(5): 512-514.
, . THE STRUCTURE AND PROPERTIES OF AMORPHOUS Ge/SiO_2 SUPERLATTICES[J]. Chin J Mater Res, 1998, 12(5): 512-514.

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(251 KB)   摘要: 在双靶射频溅射系统中,以氢气为工作气体,交替溅射高纯Ge和SiO2,制备出了非晶态Ge/SiO2超晶格.小角度X射线衍射分析结果表明样品具有良好的周期性和界面平整性.其光学带降Eopt由红外透射、反射谱确定.当锗势阱层厚度从0.38nm减小到0.12nm时,超晶格光学带欧发生约0.3eV的游移. 关键词 ： 超晶格,  α-Ge/SiO_2,  射频溅射     Abstract：The amorphous Ge/SiO2 superlattices have been prepared by rf sputtering with poIycrystalline Ge and quata targets in Ar ambient. Small angle X-ray diffraction measurement was carried to invedigate the structure of the samples, the results indicate the abr Key words： superlattice    α-Ge/SiO_2    RF sputtering 收稿日期: 1998-10-25      服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 张兴旺 陈光华 44.8K 链接本文: https://www.cjmr.org/CN/      或      https://www.cjmr.org/CN/Y1998/V12/I5/512 1 P.G.LeComber, W.E.Spear,R.A.Gibson,J Non-Cryst Solids 77/78, 1081(1985) 2 B.Abeles, T.Tiede, Phys Rev Lett.51, 2003(1983) 3 Y.Kanemitsu,J Non-Crrst Solids. 164/166 639(199) 4Y.Maeoa, Phys Rev B. 51, 1658(1995) 5 崔敬忠,彭 军,张兴旺,陈光华.兰州大学学报 (自然科学版),32(2),145(1996) 6M.Sugawara,M.Kondo,S.Yamazcki,K.Nakaima,Appl Pbys Lett. 52 742(1988) 7E.Spiller,A.E.Rosenbluth,Opt Eng.25, 954(1986) 8Cui Jingzhong,Chen Guanghua,Zhang Xinerang,Phys Stat Sol(b). 189, k9(1995) 9J.Tauc,R.Grigoroyici,A.Vancu,Phys Stat Sol.15,627(1966)M [1] 张超; 魏洪; 朱永元; 王慧田; 祝世宁; 闵乃本 . 准周期三倍频超晶格的结构设计与实验验证[J]. 材料研究学报, 2001, 15(1): 125-129. [2] 陆延青; 朱永元; 陈延峰; 祝世宁; 闵乃本; 冯一军 . 离子型声子晶体中的长波光学性质[J]. 材料研究学报, 2001, 15(1): 65-68. [3] 罗虹;刘家浚;朱宝亮;刘芬. 射频溅射MoS_2、WS固体润滑膜在脂润滑下的摩擦学特性[J]. 材料研究学报, 1995, 9(1): 44-49. [4] 熊家炯;朱嘉麟. 半导体超晶格、量子阱材料的进展[J]. 材料研究学报, 1990, 4(2): 113-120. [5] 汤海鹏;王英华;田民波;李恒德. 溅射SiC薄膜的XPS分析[J]. 材料研究学报, 1989, 3(3): 245-248. [6] 彭启才;周心明;蔡伯埙. a-Si:H/a-Si_(1-x)C_x:H 多层膜的电学和光学性质[J]. 材料研究学报, 1989, 3(1): 65-70. Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed