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材料研究学报  2006, Vol. 20 Issue (3): 305-308    
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Ge组分渐变的Si1-x-yGexCy薄膜的制备
李志兵  王荣华  韩平  李向阳  龚海梅  施毅  张荣
引用本文:

李志兵; 王荣华; 韩平; 李向阳; 龚海梅; 施毅 ; 张荣 . Ge组分渐变的Si1-x-yGexCy薄膜的制备[J]. 材料研究学报, 2006, 20(3): 305-308.

全文: PDF(688 KB)  
摘要: 用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上外延生长了Ge组分最高约0.40的组分渐变的Si1-x-yGexCy合金薄膜,研究了生长温度等工艺参数的影响.结果表明,生长温度和C2H4分压的提高均导致薄膜中碳组分的增加和合金薄膜晶格常数的减小,这表明外延薄膜中的C主要以替位式存在.C掺入量的变化可有效地调节薄膜的禁带宽度,而提高生长温度有助于改善Si1-x-yGexCy薄膜的的晶体质量.组分渐变的Si1-x-yGexCy合金薄膜包括由因衬底中Si原子扩散至表面与GeH4、C2H4反应而生成的Si1-x-yGexCy外延层和由Si1-x-yGexCy外延层中Ge原子向衬底方向扩散而形成的Si1-xGex层.
Key words
收稿日期: 1900-01-01     
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