材料研究学报  2000, Vol. 14 Issue (2): 215-217

论文 本期目录 | 过刊浏览 |

GexSi1-x材料生长的改善

李代宗(1); 于卓(1); 雷震霖(1;2); 成步文(1); 余金中(1); 王启明(1)

1. 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室;2.中国科学院沈阳科学仪器研制中心

李代宗; 于卓; 雷震霖 ; 成步文; 余金中; 王启明 . GexSi1-x材料生长的改善[J]. 材料研究学报, 2000, 14(2): 215-217.

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(245 KB)   摘要: 利用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)系统在650℃生长出表面光亮的GeSi单晶.在1200L/min分子泵与前级机械泵间串接450L/min分子泵, 改善了生长环境.串接分子泵后生长的样品的X射线双晶衍射分析表明,外延层衍射峰半宽仅为198arcsec, 且出现了Pendellosung干涉条纹,说明外延层结晶质量很好. 关键词 ： 超高真空化学气相淀积,  GeSi,  X射线双晶     Key words： 收稿日期: 1900-01-01      服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 李代宗 于卓 雷震霖 成步文 余金中 王启明 44.8K 链接本文: https://www.cjmr.org/CN/Y2000/V14/I2/215 1王启明,物理学进展,16,75(1996) 2 R.A.Soref, Silicon-based optoelectronics, Proceeding of IEEE., 81, 1687(1993) 3余金中,半导体杂志,22,21(1998) 4雷震霖,赵科新,余文斌,任国豪,谢琪,余金中,成步文,于卓,王启明,杨乃恒,真空,6,14(1997) 5 Meyerson, Proceedings of the IEEE, 80, 1592(1992) 6 M.A.Lourenco, D.J.Dunstan, J.Appl.Phys., 79, 3011(1996) 7庄岩,王玉田,马文全,林耀望,周增圻,半导体学报,18,508(1997) 8 L.Daweritz, K.Ploog, Semicond. Set .Technol., 9, 123(1994) 9 D.Dentel, J.L.Bischoff, L.Kubler,J.Werckmann, M.Romeo, J.Crystal Growth, 199, 697(1998) 10 Meyerson, United States Patent. No. 5298452(1994) No related articles found! Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed