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材料研究学报  1999, Vol. 13 Issue (4): 337-342    
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环断裂境的位错层次研究
高克玮;褚武扬
北京科技大学
引用本文:

高克玮; 褚武扬 . 环断裂境的位错层次研究[J]. 材料研究学报, 1999, 13(4): 337-342.

全文: PDF(895 KB)  
摘要: 从位错层次评述了断裂和环境断裂微裂纹的形核过程。对于金属材料、人和断裂过程(韧断,本质脆断,氢脆,应力腐蚀,液体金属脆)均以位错发射、运动为先导,只有局部塑性应变发展道临界条件,应力集中使局部应力等于原子键合力时才出现微裂纹的形核。环境(氢,腐蚀介质,液体金属)通过促进局部塑性变形引起低应力脆断。不同环境促进位错发射、运动的原因不同。
关键词 环境断裂裂纹形核位错发射与运动    
Key words
收稿日期: 1900-01-01     
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