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材料研究学报  1999, Vol. 13 Issue (1): 99-102    
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中子辐照GaAs的X射线漫散射研究
刘键1;2; 王佩璇1
1. 北京科技大学;2. 中国科学院高能物理研究所
引用本文:

刘键; 王佩璇 . 中子辐照GaAs的X射线漫散射研究[J]. 材料研究学报, 1999, 13(1): 99-102.

全文: PDF(345 KB)  
摘要: 用X射线漫散射研究了中子辐照GaAs中的缺陷. 结果表明: 中子辐照产生点缺陷团.辐照剂量为10 19m-2和10 21m-2时,缺陷团的平均半径分别为387nm和455nm. 这可能是高剂量辐照下损伤区域交叠的结果.平均半径随退火温度的升高而减小是间隙原子与空位复合造成的.
关键词 中子辐照GaAsX射线漫散射    
Key words
收稿日期: 1900-01-01     
1F.D.Auret, Appl.Phys A, 56, 547(1993)
2K.Kuriyama,J.Appl.Phys., 70(12), 7315(1991)
3J.Garrido, J.Appl.Phys., 57(6), 2186(1985)
4S.M.Khanna, IEEE.Thans.on.Nucl.Sci., 38(6), 1145(1991)
5吴凤美,沈德勤,腾敏康,陈岭,唐杰,张德宏.半导体学报,10(1),18(1989)
6陈志权,胡新文,马莉,第六届全国正电子湮没会议文集(安徽,合肥,1996)p.145
7李安利,罗起,范志国,第六届全国正电子湮没会议文集(安徽,合肥,1996)p.138
8B.C.Larson,W.Young,Jr.Z.Natur Forsch,28A,626(1973)
9P.H.dederichs; Phys.Rev B, 4, 1041(1971)
10T.Kitana,T.Ishikawa,J.Matsui,Phil.Mag,A63,95(1991)
11A.N.Morozov, V.T.Bublik, J.Crysal Growth, 97, 475(1989)
12L.A.Charniy,A.N.Morozov,V.T.Bubliketal,J.Crysal Growth,118,163(1992)
13K.M.Yu, M.Kaminska、 Z.Liliental-Weber, J.Appl.Phys, 72(2), 850(1992)
14陈诺夫,何宏家,王玉田,林兰英,中国科学.(A);26(12),1117(1996)
15M.Bertolotti,Radiation Effect in Semiconductor, Ed.Frederick, L. Vook, 3~5, 311(1967)
16刘键,王佩璇,半导体学报(1998,待发表)
17D.Pons,A.Mircea,J.Bourgoin,J.Appl.Phys,51(8),1980
18D.Stievenard, X.Boddaert, J.Bourgoin, Phys.Rev. B, 34(6), 4048(1986)
[1] 王喜莲; 李浴春; 韩爱珍; 高元恺; 杨志伟 . 用电共沉积方法制备InGaAs薄膜[J]. 材料研究学报, 2001, 15(4): 451-454.
[2] 徐现刚;黄柏标;刘士文;任红文;于淑琴;蒋民华. MOCVD 生长及 TEM 表征 GaAs/Al_xGa_(1-x)As 量子异质结构材料[J]. 材料研究学报, 1993, 7(2): 127-131.