材料研究学报  1998, Vol. 12 Issue (5): 555-557

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纳米GaAs-SiO_2镶嵌复合薄膜的制备

石旺舟;林揆训;林璇英

汕头大学功能材料研究所;;汕头市;515063;汕头大学;汕头市;515063;汕头大学;汕头市;515063

PREMRAfION OF MOSAIC THIN FILM WITH GaAs MICROCRYSTALITES EMBEDDED IN SiO_2 MATRIX

SHI Wangzhou;LIN Kuixun;LIN Xuanying(Institute of Functional Materials ;Shantou University ;515063)

石旺舟;林揆训;林璇英. 纳米GaAs-SiO_2镶嵌复合薄膜的制备[J]. 材料研究学报, 1998, 12(5): 555-557.
, , . PREMRAfION OF MOSAIC THIN FILM WITH GaAs MICROCRYSTALITES EMBEDDED IN SiO_2 MATRIX[J]. Chin J Mater Res, 1998, 12(5): 555-557.

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(829 KB)   摘要: 采用射频磁控共溅射法制备了纳米GaAs-SiO2镶嵌复合薄膜.通过X射线衍射、透射电镜和X射线光电子能谱等手段研究了薄膜的结构及其与沉积时基片温度间的关系.结果表明:薄膜由晶态的GaAs及非晶SiO2组成,GaAs在沉积过程中未明显氧化,且以纳米颗位形式均匀地弥散在SiO2中;GaAs的平均粒径依赖于沉积时的基片温度获得了GaAs的平均位径为3～10nm的GaAs-SiO2镶嵌复合薄膜 关键词 ： 薄膜制备,  纳米半导体,  镶嵌复合     Abstract：Semiconductor GaAs microcrystallites were successfully embedded in SiO2 thin films by RF magnetron co-sputtering technique. Structures of the thin films were characterized by transmisson electron microscopy X-ray diffraction and X-ray photoelectron micros Key words： GaAs microcrystallite    composite thin film    preparation 收稿日期: 1998-10-25      基金资助:广东省自然科学基金 服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 石旺舟 林揆训 林璇英 44.8K 链接本文: https://www.cjmr.org/CN/      或      https://www.cjmr.org/CN/Y1998/V12/I5/555 1 N.Chestony ,R.Hull,L.E.Brus J.Chem Phys ,85 ,2237(1986) 2R.K.Jain, R.C.Lind J.Opt.Soc.Am.73,647(1983) 3J.Yumoto,S.Fukushima,K.Kubodena,Opt.Lett.12, 832(1987) 4 L.M.Ramaniah ,S V Nair,Phys.Rev.B.47,4498(1993) 5Y.Meda,N Tsokamoto,Y .Yazawa,Appl.Phys.Lett. 59, 3168(1991) [1] 邓玉荣; 刘庆华; 黄新堂; 祁守仁; 王又青 . 离子束辅助激光制备织构薄膜的计算机模拟[J]. 材料研究学报, 2001, 15(2): 205-208. Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed