材料研究学报  1996, Vol. 10 Issue (3): 259-263

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CdTe单晶生长过程的分凝特性及其生长条件的选择

介万奇

西北工业大学凝固技术国家重点实验室

CHARACTERISTICS OF SOLUTE REDISTRIBUTION DURING CRYSTAL GROWTH OF CdTe AND THE SELECTION OF GROWTH PARAMETERS

JIE Wanqi(Stale Key Laboratory of Solidification Processing;Northwestern Polytechnical University)(Correspondent:JIE Wanqi;State Key Laboratory of Solidification Processing;Northwestern Polytechnical University;Xi'an 710072)

介万奇. CdTe单晶生长过程的分凝特性及其生长条件的选择[J]. 材料研究学报, 1996, 10(3): 259-263.
. CHARACTERISTICS OF SOLUTE REDISTRIBUTION DURING CRYSTAL GROWTH OF CdTe AND THE SELECTION OF GROWTH PARAMETERS[J]. Chin J Mater Res, 1996, 10(3): 259-263.

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(379 KB)   摘要:  在Cd—Te相图的基础上引出CdTe-Cd相图并定义其主要参数,讨论了富Cd的CdTe液体在结晶过程中的分凝特性及其生长条件对晶体中Te固溶量的影响,进而确定维持平面生长界面所需的最小温度梯度. 关键词 ： 碲化镉,  布里奇曼法,  单晶生长,  Te固溶度,  生长参数     Abstract： From Cd-Te binary phase diagram,CdTe-Cd phase diagram and its parameters are obtained.By discussing the solute redistribution during CdTe crystal growth from CdTe solutions with different amount of extra Cd in Bridgman process,the solubility of Te in CdTe 收稿日期: 1996-06-25      基金资助: 航空科学基金;;国家教委优秀年轻教师基金 服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 介万奇 44.8K 链接本文: https://www.cjmr.org/CN/      或      https://www.cjmr.org/CN/Y1996/V10/I3/259 [1]osenbergerF,《FundamentalsofCrystalGrowth》,Springer-VerlagBerlinHeidelbergNewYork,1979:193 [2]KyleNR．JofElectrochemSoc:SolidStateScience,1971,11:1970 [3]SmithVG,TillerWA,RutterJWetal．CanJPhys,1955,33:723 [4]PohlRG．JApplPhys,1954,25;1170 [5]TillerWA,JacksonKA,RutterJWetal．ActaMetall,1953,1:428 [6]ClyneTW,KurzW．MetallTrans,1981,12A(6):965 [1] 王引书;李晋闽;林兰英. SiC单晶的生长及其器件研制进展[J]. 材料研究学报, 1998, 12(3): 233-238. Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed