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材料研究学报  1996, Vol. 10 Issue (1): 33-38    
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纳米Si薄膜的结构及压阻效应
何宇亮;林鸿溢;武旭辉;余明斌;于晓梅;王珩;李冲
北京航空航天大学非晶态物理与光信息研究室;北京理工大学电子工程系;西安交通大学电子工程系
THE STRUCTURE AND PIEZO-RESISTANCE EFFECT OF HYDROGENATED NANO-Si FILMS
HE Yuhang; WU Xuhui; LIN Hongyi; YU Mingbin;YU Xiaomei; WANG Heng; LI Chong (The Amorphous Physics Research Lab; BUAA Beijing 100083; Dept. Of Electronic Engineering; Beijing Institute of Technology; Beijing 100081)
引用本文:

何宇亮;林鸿溢;武旭辉;余明斌;于晓梅;王珩;李冲. 纳米Si薄膜的结构及压阻效应[J]. 材料研究学报, 1996, 10(1): 33-38.
, , , , , , . THE STRUCTURE AND PIEZO-RESISTANCE EFFECT OF HYDROGENATED NANO-Si FILMS[J]. Chin J Mater Res, 1996, 10(1): 33-38.

全文: PDF(487 KB)  
摘要: 使用HREM及STM技术检测了纳米Si薄膜的微结构纳米Si薄膜由大量的细微Si晶粒以及大量的晶粒间界面区组成.这一特殊的结构造成纳米Si薄膜具有较大的压阻效应及较高氢含量.本文分析讨论了薄膜微结构对其压阻效应的作用,并认为纳米Si薄膜材料将是一种理想的传感器材料
关键词 纳米Si薄膜压阻效应微结构简支梁法    
Abstract:In this report Authors employed the HREM and STM to detect the micro-structure of nc-Si:H films, which are fabricated by the PECVD deposition method. The nc-Si:H films are consisted with a mass of micro-grains and a great deal of interfaces among grains.
Key words an-rystalline silicon film peizo-resistance effect micro-structure freely supported method
收稿日期: 1996-02-25     
基金资助:国家自然科学基金
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