材料研究学报  1993, Vol. 7 Issue (2): 127-131

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MOCVD 生长及 TEM 表征 GaAs/Al_xGa_(1-x)As 量子异质结构材料

徐现刚;黄柏标;刘士文;任红文;于淑琴;蒋民华

山东大学;山东大学;山东大学;山东大学;山东大学;山东大学

MOCVD GROWTH AND TEM CHARACTERIZATIONS OF GaAs/Al_xGa_(1-x)As QUANTUM HETEROSTRUCTURES

XU Xian'gang HUANG Baibiao LIU Shiwen REN Hongwen YU Shuqin JIANG Minhua (Shandong University)

徐现刚;黄柏标;刘士文;任红文;于淑琴;蒋民华. MOCVD 生长及 TEM 表征 GaAs/Al_xGa_(1-x)As 量子异质结构材料[J]. 材料研究学报, 1993, 7(2): 127-131.
, , , , , . MOCVD GROWTH AND TEM CHARACTERIZATIONS OF GaAs/Al_xGa_(1-x)As QUANTUM HETEROSTRUCTURES[J]. Chin J Mater Res, 1993, 7(2): 127-131.

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(1260 KB)   摘要: 本文报道MOCVD 生长GaAs/Al_xGa_(1-x)As 量子异质结构材料(超晶格、量子阱及量子共振隧穿二极管),采用横断面透射显微术表征了样品的界面结构。实验表明:多量子阱与超晶格的周期性良好,层与层之间界面清晰,采用[100]带轴入射,观察到超晶格的TEM 卫星衍射斑,测量到量子阱中电子的子能级跃迁吸收。研究了生长工艺和材料结构的关系,分析了影响RT 器件的因素。 关键词 ： MOCVD,  TEM,  GaAs/Al_xGa_(1-x)As,  量子异质结构     Abstract：The MOCVD growth of GaAs/Al_xGa_(1-x)As quantum heterostructures(in-cluding superlattices,quantum wells,double barrier resonant tunneling diods)are reportedin this paper.The interface structures of the epilayers are characterized by cross-sectionaltransmi Key words： MOCVD    TEM    GaAs/Al_xGa_(1-x)As    Qutantum heterostructure 收稿日期: 1993-04-25      基金资助:国家自然科学基金,L-9587007 服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 徐现刚 黄柏标 刘士文 任红文 于淑琴 蒋民华 44.8K 链接本文: https://www.cjmr.org/CN/      或      https://www.cjmr.org/CN/Y1993/V7/I2/127 1 Dingle R.Semiconductors and Semimetals Vol,24． New York:Academic Press Inc,1987:1 2 Lakher H et al.J Crystal Growth,1991;107(2) :452 3 Heuken M et al.IEEE Trans Electron Devices,1986:693 4 黄柏标等.固体电子学研究与进展,1991;11(3) :452 5 Levine B F et al.Appl Phys Lett,1988;53(4) :296 6 Tews H et al.Elec Lett,1991;25(11) :179 7 任红文等.稀有金属,1992;11(3) :161 8 Shewchuk T J et al.Appl Phys Lett,1985;46(5) :508 [1] 刘江文, 邹长城, 王辉, 欧阳柳章, 曾美琴, 朱敏. 长周期结构Mg94Cu4Y2储氢合金的吸放氢动力学和组织转变[J]. 材料研究学报, 2016, 30(4): 248-254. [2] 方一航 杨清华 李宏伟 王焕平 马红萍 徐时清. Li2CO3改性CBS/Al2O3玻璃--陶瓷的性能[J]. 材料研究学报, 2012, 26(5): 515-520. [3] 王凯 唐爱民. C--6羧基氧化纤维素醋酸酯的制备和性能[J]. 材料研究学报, 2012, 26(4): 408-413. [4] 易万兵; 张文杰; 吴瑾; 邹世昌 . TiN薄膜的循环制备和电学性质[J]. 材料研究学报, 2006, 20(2): 213-216. [5] 蒙洁丽; 隋曼龄 . 热循环对快速凝固Al90Pb10合金结构形态的影响[J]. 材料研究学报, 2004, 18(3): 239-243. [6] 张静武; 荆天辅; 姚枚 . 单相 FCC金属晶内裂纹萌生与扩展的TEM原位分析[J]. 材料研究学报, 1999, 13(1): 31-35. [7] 罗承萍;蒋周洪;刘正义. 正火40MnMoV钎钢的贝氏体组织[J]. 材料研究学报, 1996, 10(5): 483-488. [8] 袁凤池;谢义元;程彬吉;祝胜华;陈继平;杨国文;钟勇;崔炳燊. 在Ag基体上用MOCVD法连续制备YBCO超导带[J]. 材料研究学报, 1994, 8(5): 437-441. Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed