材料研究学报  1992, Vol. 6 Issue (1): 64-67

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MLS结构的电容-电压特性

张佐兰;郑茳;黄勤;陆祖宏;魏同立

东南大学微电子学中心;副教授;南京市210018;东南大学;东南大学;东南大学;东南大学

C-V CHARACTERISTICS STUDIES ON MLS STRUCTURE

ZHANG Zuolan;ZHENG Jiang;HUANG Qin;LU Zuhong;WEI Tongli(Southeast University)

张佐兰;郑茳;黄勤;陆祖宏;魏同立. MLS结构的电容-电压特性[J]. 材料研究学报, 1992, 6(1): 64-67.
, , , , . C-V CHARACTERISTICS STUDIES ON MLS STRUCTURE[J]. Chin J Mater Res, 1992, 6(1): 64-67.

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(259 KB)   摘要: 本文报导在Si 衬底上拉制聚酰胺LB 膜的电容-电压特性,结果表明:它具有与其它绝缘膜相似的特性,为聚酰胺LB 膜应用于场效应器件奠定了基础。 关键词 ： LB膜,  C-V特性,  绝缘膜     Abstract：C-V characteristics of polyimide Langmuir-Blodegett films is described in thispaper.The obtained results are similar to other insulator films.This is basic of polyimide LBfilms application in field effect transistor(MLSFET). Key words： Langmuir-Blodgett(LB)films    C-V characteristics    insulator films 收稿日期: 1992-02-25      服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 张佐兰 郑茳 黄勤 陆祖宏 魏同立 44.8K 链接本文: https://www.cjmr.org/CN/      或      https://www.cjmr.org/CN/Y1992/V6/I1/64 1 张佐兰等.薄膜科学与技术,1990;3(3) :63 2 Lairkins G L jr,Fung C D,Rickert S E.Thin Solid Films,1989;15(8) :180,217,313,179 [1] 黄兰; 张冬柏; 史兵; 钱林茂 . 端羟基PS--PEO嵌段共聚物LB膜的微摩擦性能[J]. 材料研究学报, 1999, 13(6): 627-631. [2] 史兵;王吉会;钱林茂;雒建斌;黄兰;洪翰. C_(60)-聚苯乙烯LB膜摩擦学性能的初步研究[J]. 材料研究学报, 1997, 11(4): 346-350. [3] 陈斌;陈非霞;崔立山;杨大智;朱英臣. NiTi形状记忆合金表面改性绝缘膜的研究[J]. 材料研究学报, 1994, 8(4): 319-321. Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed