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材料研究学报  1992, Vol. 6 Issue (1): 56-59    
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氮化硅及Sialon陶瓷基材上金刚石膜的沉积
陈岩;黄荣芳;闻立时;师昌绪
中国科学院金属研究所;博士生;沈阳市110015;中国科学院金属研究所;中国科学院金属研究所;中国科学院金属研究所
DEPOSITION OF DIAMOND FILM ON Si_3N_4 AND SAILON CERAMICS
CHEN Yan;HUANG Rongfang;WEN Lishi;SHI Changxu(Institute of Metal Research;Acadamia Sinica)
引用本文:

陈岩;黄荣芳;闻立时;师昌绪. 氮化硅及Sialon陶瓷基材上金刚石膜的沉积[J]. 材料研究学报, 1992, 6(1): 56-59.
, , , . DEPOSITION OF DIAMOND FILM ON Si_3N_4 AND SAILON CERAMICS[J]. Chin J Mater Res, 1992, 6(1): 56-59.

全文: PDF(787 KB)  
摘要: 本文用热丝CVD 法在氮化硅复合陶瓷及Sialon 陶瓷上沉积了金刚石薄膜,用X 射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜、表面形貌仪、划痕实验仪对所形成的膜及基体进行了分析。初步探讨了膜与基材的附着性影响因素。
关键词 热丝CVD金刚石薄膜热膨胀系数    
Abstract:In this paper,diamond film had been synthesized on Si_3N_4+SiC composite ce-ramics and sialon ceramics by HFCVD(hot filament chemical vapor deposition).The obtaindfilms were analysized by X-ray diffraction,Raman spectrometer,scanning electron microscopy,p
Key wordsHFCVD    diamond film    thermal expand coeffcient
收稿日期: 1992-02-25     
基金资助:国家自然科学基金,9587007—02
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