材料研究学报  1989, Vol. 3 Issue (3): 245-248

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溅射SiC薄膜的XPS分析

汤海鹏;王英华;田民波;李恒德

清华大学材料与工程系;北京市100084;清华大学;清华大学;清华大学

XPS ANALYSIS OF RF-SPUTTERED SiC THIN FILMS

TANG Haipeng WANG Yinghua TIAN Minbo (Tsing Hua University)

汤海鹏;王英华;田民波;李恒德. 溅射SiC薄膜的XPS分析[J]. 材料研究学报, 1989, 3(3): 245-248.
, , , . XPS ANALYSIS OF RF-SPUTTERED SiC THIN FILMS[J]. Chin J Mater Res, 1989, 3(3): 245-248.

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(269 KB)   摘要: 用XPS 技术对射频溅射SiC 薄膜的结构特征进行了分析。测定了以Si(2p)和C(1s)峰的相对移动定义的化学位移和谱中等离子体激元损失峰的特征损失能量。测定的结果揭示了该薄膜的结构特点,从而对其化学键的性质、成分和缺陷有了进一步的认识。 关键词 ： SiC,射频溅射薄膜,  化学位移,  等离子体激元损失峰     Abstract：The structural characteristics of RF-sputtered SiC thin filmshas been analysed by XPS technique.The chemical shift defined bythe relative shift of Si(2p) and C(1s) peaks,as well as the loss energiesof the plasmon loss features observed in the spectra were Key words： SiC    RF-sputtered film    chemical shift    plasmon loss feature 收稿日期: 1989-06-25      服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 汤海鹏 王英华 田民波 李恒德 44.8K 链接本文: https://www.cjmr.org/CN/      或      https://www.cjmr.org/CN/Y1989/V3/I3/245 1 Fagen E A.Silicon Carbide-1973,Columbia,University of South Carolina Prees,1974:542 2 Gorman M, Solin S A.Sol Stat Commun,1974,15(4) :761 3 Sproul A,Mckenzie D R.Phil Mag,1986,B54(2) ,113 4 Briggs D,Seah M P.Practical surface Analysis,John Wiley and Sons Ltd,1983:515 5 March N H,Parrinello M.Collective Effects in solids and Liquids,Adam Hilger Ltd,1982:4 No related articles found! Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed