材料研究学报  1988, Vol. 2 Issue (5): 93-96

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电淀积CdSe_xTe_(1-x)薄膜材料的结构分析

常胜武;李国栋;张玉仙;黄文德;史占和;赵赛春

内蒙古大学物理系;内蒙古大学物理系;内蒙古大学物理系;内蒙古大学物理系;内蒙古大学物理系;内蒙古大学物理系

THE STRUCTURE ANALYSIS OF ELECTRODEPOSITED CdSe_xTe_(1-x) THIN FILM MATERIAL

CHANG Shengwu;LI Guodong;ZHANG Yuxian;HUANG Wende;SHI Zhanhe;ZHAO Shaichun(Dedartment of Physics;Inner Mongolia University)

常胜武;李国栋;张玉仙;黄文德;史占和;赵赛春. 电淀积CdSe_xTe_(1-x)薄膜材料的结构分析[J]. 材料研究学报, 1988, 2(5): 93-96.
, , , , , . THE STRUCTURE ANALYSIS OF ELECTRODEPOSITED CdSe_xTe_(1-x) THIN FILM MATERIAL[J]. Chin J Mater Res, 1988, 2(5): 93-96.

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(272 KB)   摘要: 电淀积工艺制备CdSe_xTe_(1-x)薄膜,经x 射线衍射分析,肯定薄膜是以CdSe 为基的三元单相固溶体,其结构并非严格的立方闪锌矿结构,应属正交晶系;随着退火温度升高正交性不断加强,高温700℃退火除正交性加剧外,还出现许多新谱线,它与六角闪锌矿结构不符而与正交结构的超点阵结构谱线吻合;这种情况的出现可能与Te 和Se 原子有规则占据四面体间隙位置引起长程有序化有关。 Abstract：The CdSe_xTe_(1-x) thin films are obtained by cathodic deposition and ana-lysed by X-ray diffraction.It approved that the films are single phase ter-nary solid solutions on the basis of CdSe,the structure is not strict cubiczinc blende structure,it belong 收稿日期: 1988-10-25      服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 常胜武 李国栋 张玉仙 黄文德 史占和 赵赛春 44.8K 链接本文: https://www.cjmr.org/CN/      或      https://www.cjmr.org/CN/Y1988/V2/I5/93 1 黄文德等.内蒙古大学学报,1984;15(3) :275 2 Hodes G et.al,Thin Solid Film,1982;90:433y No related articles found! Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed