材料研究学报  1988, Vol. 2 Issue (4): 94-95

研究论文 本期目录 | 过刊浏览 |

Si/Ag/Si近红外透明导电薄膜的双S枪直流磁控溅射淀积

叶志镇;唐晋发

浙江大学;浙江大学

No Author

叶志镇;唐晋发. Si/Ag/Si近红外透明导电薄膜的双S枪直流磁控溅射淀积[J]. 材料研究学报, 1988, 2(4): 94-95.
, . [J]. Chin J Mater Res, 1988, 2(4): 94-95.

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(151 KB)   摘要: <正> 众所周知,Si 是理想的红外材料,因为它在红外区域的光学吸收比较小。同时,Ag在近红外的光学吸收率也很小,因此,通过合理的设计,可望得到由Si-Ag 组成的近红外透射率较高的薄膜。如果应用普通的蒸发技术制备这种薄膜,膜厚不易控制,膜层也不牢固。 收稿日期: 1988-08-25      服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 叶志镇 唐晋发 44.8K 链接本文: https://www.cjmr.org/CN/      或      https://www.cjmr.org/CN/Y1988/V2/I4/94 1 叶志镇.激光与红外,1987;17(3) :46 No related articles found! Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed