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材料研究学报  1988, Vol. 2 Issue (4): 85-87    
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Au-Si<111>体系离子束混合中的温度影响
李玉璞;陈坚;刘家瑞;章其初
北京大学;北京科技大学博士研究生;北京大学;中国科学院物理研究所;中国科学院物理研究所
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引用本文:

李玉璞;陈坚;刘家瑞;章其初. Au-Si<111>体系离子束混合中的温度影响[J]. 材料研究学报, 1988, 2(4): 85-87.
, , , . [J]. Chin J Mater Res, 1988, 2(4): 85-87.

全文: PDF(711 KB)  
摘要: <正> Au-Si 系统是一种典型的共晶体系。B.X.Liu 等通过对Au 与Si 迭层膜的研究得到多种组分比和相结构的Au 与Si 的混合层~([1]);S.S.Lau 等通过对Au 膜-Si 衬底样品的研究0得到过Au_(71)Si_(29)(~Au_5Si_2)亚稳相~([2])。本文在更宽的离子束参数及更宽的温区(77—573K)下,系统地研究了Ar 离子束诱导的Au 膜-Si衬底体系的原子混合现象,
收稿日期: 1988-08-25     
1 Liu B X et al.In:Picraux S T and Choyke W J eds.,Metastable Materials Formation by Ion Implantation,Elsevier Science Publishing Company,North-Holland,Amstordam,1982:133
2 Lau S S et al.Nncl Instr and Meth,1981;182/183:97
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