材料研究学报  1988, Vol. 2 Issue (4): 56-60

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直拉硅单晶中的新施主

林兰英;王占国;钱家骏;葛惟锟;万寿科;林汝淦

中国科学院半导体研究所;中国科学院半导体研究所;中国科学院半导体研究所;中国科学院半导体研究所;中国科学院半导体研究所;中国科学院半导体研究所

NEW DONORS IN CZ-SI CRYSTALS

LIN Lanying;WANG Zhanguo;QIAN Jiajun;GE Weikun;WAN Shouke;LIN Rugan(Institute of Semiconductors;Academia Sinica;Beijing)

林兰英;王占国;钱家骏;葛惟锟;万寿科;林汝淦. 直拉硅单晶中的新施主[J]. 材料研究学报, 1988, 2(4): 56-60.
, , , , , . NEW DONORS IN CZ-SI CRYSTALS[J]. Chin J Mater Res, 1988, 2(4): 56-60.

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(676 KB)   摘要: 直拉硅单晶中新施主(ND)的形成不仅依赖于其氧含量,而且为碳的存在所促进;此外,原生晶体中的微缺陷也起非常重要的作用。我们求出的新施主能级分别为E_(ND)(Ⅰ)=50±5meV,E_(ND)(Ⅱ)=100±10meV(对于P 型单晶)以及E_(ND)(Ⅲ)=25meV(对于N 型单晶)。 Abstract：We found that new donor(ND)generation was strongly dependent on theO_i content and promoted by the presence of a large amount of carbon atoms.In addition,microdefects in as-grown crystal also played a very importantrole in ND formatiton.There are three ki 收稿日期: 1988-08-25      基金资助:国家自然科学基金,信85267 服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 林兰英 王占国 钱家骏 葛惟锟 万寿科 林汝淦 44.8K 链接本文: https://www.cjmr.org/CN/      或      https://www.cjmr.org/CN/Y1988/V2/I4/56 1 Kanamori A and Kanamori M.J Appl Phys,1979;50(12) :8095 2 Cazcarra V and Zunio P.J Appl Phys,1980;51(8) :4206 3 Gaworzewski P and Schmalz K.Phys Star Sol(a),1983;77(2) :571 4 Babich V M et al.Phys Stat Sol(a),1984,86(2) :679．X No related articles found! Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed