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材料研究学报, 2026, 40(4): 254-262 DOI: 10.11901/1005.3093.2025.269

研究论文

核/壳结构FeSiBCuNbZr@SiO2 非晶复合材料的制备及其微波吸收性能

黄实哈1, 董星龙,1, 裴雷振1, 张兴国1,2

1.大连理工大学材料科学与工程学院 大连 116024

2.大连理工大学宁波研究院 宁波 315016

Preparation and Microwave Absorption Properties of Core/Shell Structured FeSiBCuNbZr@SiO2 Amorphous Composites

HUANG Shiha1, DONG Xinglong,1, PEI Leizhen1, ZHANG Xingguo1,2

1.School of Materials Science and Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116024, China

2.Ningbo Institute of Dalian University of Technology, Ningbo 315016, China

通讯作者: 董星龙，教授，dongxl@dlut.edu.cn，研究方向为金属纳米颗粒,纳米复合电磁功能材料;

收稿日期: 2025-09-04   修回日期: 2025-10-15  

基金资助: 国家自然科学基金(51331006)

Corresponding authors: DONG Xinglong, Tel:(0411)84706130, E-mail:dongxl@dlut.edu.cn

Received: 2025-09-04   Revised: 2025-10-15  

Fund supported: National Nature Science Foundation of China(51331006)

作者简介 About authors

黄实哈，男，1995年生，博士生

摘要

用单辊甩带法、机械球磨法和溶胶凝胶法制备FeSiBCuNbZr@SiO2非晶复合粉末，使用X射线衍射仪、红外光谱仪、X射线光电子能谱、扫描电子显微镜、透射电子显微镜和矢量网络分析仪等手段表征其组织形貌、结构以及电磁特性，研究了SiO2介电层的匹配厚度对其吸波性能的影响。结果表明，FeSiBCuNbZr非晶粉末与正硅酸四乙酯(TEOS)水解缩聚生成的SiO2介电层的非晶复合粉末，在频率为11.2 GHz、匹配厚度为2.18 mm条件下的最佳反射损耗为-58.19 dB。匹配厚度减小到1.85 mm最大吸收带宽为7.7 GHz。优异的吸波性能源于铁基非晶磁芯的磁损耗和SiO2壳层的介电损耗的协同作用优化了阻抗匹配。

关键词： 复合材料; 吸波材料; 溶胶凝胶法; 核壳结构; 非晶粉末; SiO2壳

Abstract

FeSiBCuNbZr@SiO2 amorphous composite was prepared by single roller melt-spinning, mechanical ball milling and sol-gel method. The microstructure, phase composition, morphology, and electromagnetic properties of the composite were characterized by X-ray diffraction, Fourier transform infrared spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy, scanning electron microscopy, transmission electron microscopy, and vector network analysis. The influence of the matching thickness of SiO2 dielectric layer on the wave absorption performance of FeSiBCuNbZr amorphous composite powder was studied. The results indicate that the optimal reflection loss of the amorphous composite powder, obtained from FeSiBCuNbZr amorphous powder and the SiO2 dielectric layer generated by the hydrolysis and polycondensation of 5 mL tetraethyl orthosilicate is -58.19 dB at 11.2 GHz with a matching thickness of 2.18 mm. When the matching thickness is reduced to 1.85 mm, the maximum effective absorption bandwidth reaches 7.7 GHz. The excellent microwave absorption properties may be attributed to the synergistic effect between the magnetic loss from the Fe-based amorphous core and the dielectric loss from the SiO2 shell, which collectively optimize the impedance matching.

Keywords： composites; microwave absorbing materials; sol-gel method; core-shell structure; amorphous powder; SiO2 shell layer

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本文引用格式

黄实哈, 董星龙, 裴雷振, 张兴国. 核/壳结构FeSiBCuNbZr@SiO2 非晶复合材料的制备及其微波吸收性能[J]. 材料研究学报, 2026, 40(4): 254-262 DOI:10.11901/1005.3093.2025.269

HUANG Shiha, DONG Xinglong, PEI Leizhen, ZHANG Xingguo. Preparation and Microwave Absorption Properties of Core/Shell Structured FeSiBCuNbZr@SiO2 Amorphous Composites[J]. Chinese Journal of Materials Research, 2026, 40(4): 254-262 DOI:10.11901/1005.3093.2025.269

消除电磁波污染和提高军事隐身防护，使微波吸收材料研究和应用受到了极大的关注[1,2]。磁性非晶粉末耐腐蚀不易氧化且容易工业化批量生产。高饱和磁化强度和高磁导率的软磁铁基非晶粉末，可用于制造微波吸收材料[3]。但是，铁基非晶粉末只具有单一的损耗机制,影响其吸波性能。具有核壳结构和磁-介电协同作用的复合材料，其介电损耗较高且可优化阻抗匹配。

在磁性金属表面涂覆SiO2，可使入射的电磁波无反射地穿透到达磁芯。SiO2是一种化学性质稳定的介电材料，能提高介电损耗[1]。Yang等[4]用溶胶凝胶法制备的核壳FeSiCr@SiO2具有优异的微波吸收性能，在3.34 mm处的最小反射损耗达到-65.3 dB，其最大吸收带宽为6 GHz。Wang和Jiang[5]使用改进的Stöber法在FeNi纳米颗粒表面包覆SiO2壳层，调节正硅酸四乙酯(TEOS)的含量可控制SiO2壳层的厚度。SiO2质量分数为35%的FeNi@SiO2复合粉末吸波性能较高，在2.6 mm处最佳反射损耗达到-36.25 dB，匹配厚度为2 mm时有效吸收带宽达到6 GHz (9.5~15.5 GHz)。包覆的SiO2介电壳层提高了金属磁芯的介电损耗性能，具有介电损耗和磁损耗的协同作用。本文在铁基非晶粉末颗粒表面包覆SiO2介电壳层，调节TEOS含量控制SiO2壳层的厚度，研究SiO2壳层的厚度对FeSiBCuNbZr@SiO2非晶复合材料吸波性能的影响。

1 实验方法

1.1 FeSiBCuNbZr非晶粉末的制备

实验用材料有Fe、Si、Cu、Nb、Zr (99.9%，质量分数)和Fe-B (25%，质量分数)的中间合金，在氩气气氛中进行电弧熔炼制备出Fe76Si11.2B8Cu1Nb3Zr0.8 (原子分数，%)合金铸锭。用熔体快淬技术将合金铸锭制备成非晶薄带，铜辊外侧的线速度为40 m/s。使用不锈钢球磨机罐(500 mL)和不锈钢球(Ф6 mm和Ф10 mm)将非晶薄带机械磨成非晶粉末，Ф6 mm与Ф10 mm研磨球的质量比为3∶1，球料质量比为10∶1。球磨罐封装后用机械泵抽真空并通入氩气保护以防止氧化。再用行星球磨机在300 r/min转速研磨20 min，间歇10 min交替研磨25 h。最后用400目的筛网筛出粒径小于38 µm的FeSiBCuNbZr非晶粉末。

1.2 FeSiBCuNbZr@SiO2 复合粉末的制备

将160 mL去离子水、40 mL无水乙醇、5 g的FeSiBCuNbZr非晶粉末和4 mL的NH3·H2O (25%，质量分数)依次倒入烧杯中，机械搅拌20 min使非晶粉末均匀分散后再缓慢倒入TEOS (99.99%，质量分数)，机械搅拌10 h使其发生水解-缩聚反应[6,7]：

(C2H5O)4Si+4H2O→Si(OH)4+4C2H5OH
Si(OH)4→SiO2+2H2O

反应结束后进行离心分离并将得到的产物依次进行水洗和无水乙醇洗，在60 ℃烘箱中干燥6 h得到FeSiBCuNbZr@SiO2复合粉末。分别加入0、2.5、5和10 mL的TEOS制备出FeSiBCuNbZr@SiO2复合粉末，记为S0、S1、S2和S3。

1.3 性能表征

用X射线衍射仪(XRD，Bruker D8 Advance) 测定复合粉末的相结构，扫描速度为5 (°)/min，扫描范围(2θ)10°~80°。用Fourier变换红外光谱仪(FTIR, Nicolet 6700)测试非晶复合粉末表面的红外吸收光谱，测试条件为KBr压片，波长范围为4000~400 cm-1。用X射线光电子能谱(XPS, Thermo ESCALAB 250XI)分析包覆SiO2后复合非晶粉末的表面化学组成和元素化学态。用扫描电镜(SEM, Hitachi SU5000)和透射电镜(TEM, JEM-2100F)观察材料的形貌、微观结构及元素分布。使用矢量网络分析仪(VNA, Agilent, 8722ES)测试样品在2~18 GHz频率范围内电磁参数。测试用同轴圆环样品的内径为3.04 mm，外径为7 mm，粉末与石蜡的质量比为7∶3。根据传输线理论和发射损耗(RL)计算材料的吸波性能[8,9]

Zin=Z0(μr/εr)1/2tanhj(2πfd/c)(μrεr)1/2
RL=20lg(Zin-Z0)/(Zin+Z0)

2 结果和讨论

2.1 物相结构和组成

图1给出了将不同浓度的TEOS水解制备的SiO2包覆FeSiBCuNbZr复合粉末和FeSiBCuNbZr非晶粉末的XRD谱。可以看出，FeSiBCuNbZr非晶粉末(S0)样品的谱中45°附近出现的宽化漫散射峰，是典型的非晶相衍射峰，表明机械球磨后的FeSiBCuNbZr粉末是非晶态的。在SiO2包覆FeSiBCuNbZr复合粉末的谱中45°附近出现的仍然是宽化的漫散射峰，表明化学包覆的非晶粉末性质没有改变。同时，TEOS的浓度提高也未出现SiO2相的衍射峰。这表明，生成非晶态SiO2相与包覆量较少有关[10]。

图1

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图1   化学包覆前后FeSiBCuNbZr非晶粉末的XRD谱

Fig.1   XRD patterns of FeSiBCuNbZr amorphous powder before and after chemical coating


为了进一步确定外层已经包覆了SiO2，测试了样品的红外光谱。图2给出了包覆SiO2前后样品的红外光谱。可以看出，在包覆SiO2前后粉末的谱中3340 cm-1和1623 cm-1附近出现的特征峰分别对应-OH伸缩振动峰和弯曲振动峰[11,12]，源于样品中残留的水。与FeSiBCuNbZr非晶粉末S0样品相比，在包覆SiO2样品的谱中1093 cm-1和476 cm-1出现了吸收峰，分别对应(标准红外图谱中) SiO2的Si-O-Si反对称伸缩振动峰和弯曲振动峰[1,13]。

图2

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图2   化学包覆前后FeSiBCuNbZr非晶粉末的FTIR谱

Fig.2   FTIR spectra of FeSiBCuNbZr amorphous powder before and after chemical coating


图3给出了S1、S2和S3样品的X射线光电子能谱，可见在全谱中出现了O, N, C, Si和Fe的信号峰(图3a)。从图3b中的C 1s光谱中看出，拟合峰分别对应C-C，C-O和C=O[14]，电子结合能分别为284.76，286.18和288.5 eV。O 1s谱可分成四个特征峰分别为C-O (531.2 eV)，Si-O (532.4 eV)，C=O (533.2 eV)和Fe-O (530.1 eV)[2]。为了确定不同TEOS浓度包覆SiO2的差异，分析了S1，S2和S3样品的Si 2p精细谱。结果如图3c所示，S1，S2和S3样品中Si-O-Si键的结合能分别对应102.81，103.04和103.15 eV。可以看出，随着TEOS含量的提高其特征峰向高结合能偏移。这表明，不同浓度的TEOS水解生成的SiO2含量影响Si-O-Si键结合能的偏移，进一步证实已经在非晶微球表面包覆了SiO2壳层[11]。

图3

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图3   不同浓度的TEOS水解制备的SiO2包覆FeSiBCuNbZr复合粉末的X射线电子能谱

Fig.3   XPS spectra of FeSiBCuNbZr@SiO2 composite powders prepared by hydrolysis of TEOS at different concentrations (a) survey, (b) C 1s, (c) Si 2p, (d) O 1s


2.2 微观结构

扫描结果表明，将不同浓度的TEOS水解制备的SiO2壳层对FeSiBCuNbZr粉末的形貌影响很大。图4给出了不同浓度的TEOS水解制备的SiO2包覆FeSiBCuNbZr复合粉末和FeSiBCuNbZr非晶粉末的SEM和TEM照片。由图4a可以看出，球磨后的FeSiBCuNbZr非晶粉末是表面粗糙尺寸约为8 μm的微球。图4b~f给出了FeSiBCuNbZr@SiO2复合微球的微观形貌，可见添加TEOS水解生成的SiO2壳层包覆在微球表面，使其表面变得光滑。非晶微球表面的坑洼是生长出的SiO2在包覆的同时也独立形核，在最外层生成纳米尺寸的SiO2小球。随着TEOS浓度的提高水解生成的SiO2壳层增厚，最外层的SiO2小球尺寸也不断增大。TEOS浓度达到10 mL的S3样品，其最外层的SiO2小球相互连接成复合微球。图4e给出了S1复合微球的元素分布，分别给出了Fe、Si、Cu、Nb、Zr、O元素的分布情况。结果表明，Si和O元素分布在复合微球表面，O元素的分布均匀，表明SiO2壳层的包覆成功。用TEM也可观察到SiO2壳层的形成。如图4f所示，FeSiBCuNbZr非晶微球表面有一定厚度的SiO2壳层。对SiO2壳层的高分辨透射观察(HRTEM)，没有发现明显的晶格条纹(图4g)，表明生成的SiO2壳层为非晶态。同时，对图4f中特定区域的选区电子衍射也未发现晶体的衍射花样，进一步证实FeSiBCuNbZr磁芯和SiO2壳层的非晶态性质[4]。

图4

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图4   不同浓度的TEOS水解制备的FeSiBCuNbZr@SiO2复合粉末的SEM和TEM照片

Fig.4   SEM and TEM images of FeSiBCuNbZr@SiO2 composite powders prepared by hydrolysis of TEOS at different concentrations (a) S0, (b) S1, (c) S2, (d) S3, (e) EDS mappings of S1, (f) TEM image of S2, (g) HRTEM, (h) SEAD


2.3 吸波性能

基于传输线理论，可根据最小反射损耗(Minimum reflection loss, RLmin)和有效吸收带宽(Effective absorption bandwidth, EAB)评估吸波材料的吸波性能[15,16]。图5给出了不同匹配厚度的样品在不同频率的二维和三维反射损耗曲线。从图5a, e可以看出，S0样品的RLmin在10.62 GHz达到-48.82 dB，对应的匹配厚度为2.26 mm。当匹配厚度为1.88 mm时，EAB达到最大值8.24 GHz。化学包覆SiO2壳层，使其吸波性能提高。如图5b, f所示，S1样品的匹配厚度为2.13 mm、频率为11.45 GHz时RLmin值为-51.61 dB，匹配厚度为1.87 mm时最大EAB达到7.87 GHz。进一步增加SiO2的包覆厚度，可使S2样品具有优异的吸波性能。S2样品匹配厚度为2.18 mm时在11.2 GHz处反射损耗最佳为-58.19 dB，匹配厚度为1.85 mm时最大EAB达到7.7 GHz。随着添加TEOS浓度的提高水解生成的SiO2壳层增厚，S3样品的反射损耗没有持续提高。如图5d, h所示，匹配厚度为1.86 mm的S3样品在14.17 GHz处RLmin值仅为-46.92 dB，最大EAB也下降到7.14 GHz (1.81 mm)。上述结果表明，只有在类球形Fe基非晶粉末上包覆适当厚度的SiO2壳层才能提高对电磁波的吸收强度[4,5,17~23]。与文献报道的结果(表1)相比，FeSiBCuNbZr@SiO2非晶复合材料的电磁波吸收性能和吸收带宽优异。

图5

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图5   S0、S1、S2和S3样品的二维和三维反射损耗曲线

Fig.5   Two-dimensional and three-dimensional reflection loss curves of S0 (a, e), S1 (b, f), S2 (c, g) and S3 (d, h)


表1   关于磁性金属@SiO2复合材料的吸波性能的文献

Table 1  Electromagnetic wave absorption performance of magnetic metal@SiO2 composites reported in the literature

SampleRLmin / dBMatching thickness / mmMatching frequency / GHzEAB / GHzRef.
FeSiCr@SiO2-65.33.344.46[4]
FeNi@SiO2-36.252.696[5]
Co particle@SiO2-15.022.8914.042.89[17]
Carbonyl iron powder@SiO2-15.32.213.765.72[18]
FeSiAl@Al2O3@SiO2-46.29216.937.33[19]
Fe3O4@SiO2-38.7284[20]
Bead-like Co@SiO2-23.44184.3[21]
CoNi@SiO2-23.82.19.6-[22]
FeN@SiO2-23.15.517.22.4[23]
FeSiBCuNbZr amorphous@SiO2-58.192.1811.27.7This work

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2.4 损耗机制

电磁波吸收材料的吸收性能与其复介电常数(εr = ε′ + jε″)和复磁导率(μr= μ′ + jμ″)密切相关[24]。介电常数的实部ε'和磁导率的实部μ′分别反映材料存储电能和磁能的性能，而介电常数的虚部ε″和磁导率的虚部μ″则分别表征材料对电能和磁能的损耗性能[25]。图6给出了S0, S1, S2, S3样品频率为2~18 GHz时的电磁参数。图6a, b给出了样品的介电常数实部和虚部随频率的变化曲线。S0、S1、S2和S3样品的ε′值分别从7.3降至7.13、从6.93升至8.21、从6.89升至7.9和从7.02升至8.29；而ε''分别从0.11下降到0、从0上升到1.37、从0.01上升到0.7和从0上升到1.02。可以看出，S0样品的ε″值低于包覆SiO2的其他三种样品。这表明，SiO2作为低介电常数的材料可提高复合非晶粉末的介电损耗。包覆SiO2的核壳复合粉末样品在6~18 GHz频率范围内的ε'值大于单一铁基非晶粉末的ε′值。图6c给出了样品介电损耗的正切值随频率的变化曲线。可以看出，包覆SiO2的样品在不同频率下都出现多个弛豫峰，证实了极化损耗的存在。可根据Debye弛豫理论[26]

图6

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图6   S0、S1、S2和S3样品介电常数的实部ε′，虚部ε″和介电损耗正切tanδε，以及复磁导率的实部μ′，虚部μ″和磁损耗的正切tanδμ

Fig.6   Real part of permittivity ε′(a), imaginary part of permittivity ε″ (b), tangent angle of dielectric loss tanδε (c), real part of permeability μ′(d), imaginary part of permeability μ″(e) and tangent angle of magnetic loss tanδμ (f) for samples


ε'-εs+ε∞22+ε″2=εs-ε∞22

分析材料极化损耗的形成机制。式(5)中的εs为静介电常数，ε∞ 为频率极限时的介电常数。材料复介电常数的实部(ε′)和虚部(ε″)满足上述公式时ε′-ε″曲线会出现一个半圆，称为Cole-Cole半圆。图7分别给出了四种样品的Cole-Cole半圆。在S0样品的ε′-ε″曲线上出现3个半圆，表明S0样品存在Debye极化行为。在包覆SiO2壳层的复合非晶粉末样品的ε′-ε″曲线上出现更多的半圆，表明其介电弛豫行为明显增强。Cole-Cole半圆的半径增大，表明存在多重极化弛豫。包覆SiO2壳层产生的极化弛豫，主要源于偶极极化和界面极化。上述极化的产生源于SiO2壳层增大了核壳结构间的界面和出现了偶极子缺陷。非晶磁芯和SiO2壳层之间的异质界面和缺陷在外场作用下导致空间电荷的积累和重排，从而使界面极化和偶极子的迁移速度不同，和使极化损耗提高[27]。

图7

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图7   S0、S1、S2和S3样品的Cole-Cole半圆曲线

Fig.7   Cole-Cole curves of S0 (a), S1 (b), S2 (c) and S3 (d)


图6d~f给出了样品的复磁导率实部(μ′)、虚部(μ″)和磁损耗角正切值(tanδμ )，可见四种样品的复磁导率实部(μ′)在整个频率范围内的变化趋势相同，随着频率的提高不断减小。样品S0、S1、S2和S3的μ′值分别从2.11减小到0.77，从2.29减小到0.8，从2.3减小到0.81和从2.18减小到0.82。图6e给出了复磁导率虚部，可见S0样品的复磁导率虚部并没有出现明显的共振峰，伴随着频率的提高而逐渐减小。包覆SiO2壳层的复合样品其复磁导率虚部先在2~5 GHz频率呈上升趋势，在5~18 GHz呈明显波动和下降趋势。在较高频范围内随着频率的提高复磁导率虚部(μ″)下降，主要是Snoek极限所致[28]。样品S0、S1、S2和S3的μ″值分别在0.41~0.83，0.2~1.2，0.27~1.03以及0.21~0.86范围内波动。比较图6e中复磁导率的虚部数值可见，在整个测试频率范围内S2样品的复磁导率虚部都比S1和S3样品的高，表明其磁损耗强于S1和S3样品。图6f给出了磁损耗正切值随频率的变化。可以看出，包覆SiO2壳层的三个复合样品均在测试频段内出现多个共振峰，与非晶磁芯的基本磁动态特性、表面效应以及粒子的尺寸效应有关[29]。对比的结果表明，S0样品的介电损耗正切值接近0，磁损耗正切值高于包覆SiO2壳层的复合样品，表明单一铁基非晶粉末对电磁波的耗散主要是磁损耗。包覆SiO2壳层的复合非晶粉末在降低少量磁损耗的基础上提高了介电损耗，S1、S2和S3存在磁损耗和介电损耗协同作用。在GHz测试频段的磁损耗，主要是涡流损耗、自然共振损耗和交换共振损耗。可根据[30,31]

C0=μ″ μ'-2f-1=2πμ0d2σ

评估样品涡流损耗的贡献。如果涡流损耗是唯一的磁损耗机制，C0值应该在不同频率保持不变。从图8可见，S0样品的磁损耗随着频率的提高而减小并且没有明显的波动。这表明，单一的铁基非晶粉末样品的损耗机制是涡流损耗。S1、S2和S3样品的磁损耗在整个测试频段剧烈波动，表明包覆SiO2壳层的样品其磁损耗机制有涡流损耗、自然共振损耗和交换共振损耗。

图8

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图8   S0、S1、S2和S3样品在2~18 GHz范围内C0值

Fig.8   C0 values of S0, S1, S2 and S3 in the range of 2-18 GHz


2.5 阻抗匹配和衰减常数

到达吸波体表面的电磁波，只有部分进入材料内部，其他部分被反射。为了提高吸波材料的吸收性能，吸波材料的阻抗匹配应该适当。可根据阻抗匹配率(Z)评估阻抗匹配：归一化输入阻抗(Zin)与自由空间阻抗(Z0)接近1，表明材料内部与自由空间的阻抗匹配，更多的入射电磁波可进入材料内部而使其具有优异的吸收性能[28,29]。图9给出了样品的阻抗匹配度计算结果，在0.8~1.2范围内形成的环形区域面积越大表明样品的匹配性能越好。S0、S1、S2和S3样品在0.8~1.2范围内形成的环形区域面积与总面积的比值分别为13.4%，14.7%，15.6%和14.8%。这表明，三种包覆SiO2壳层的复合样品的阻抗匹配性能上明显优于单一铁基非晶样品，其中S2样品阻抗匹配度最优异，其Z值接近1的区域与其他样品相比最大。产生差异的原因是，适当厚度的SiO2壳层能改善复合粉末的电磁参数，过厚的SiO2壳层使入射电磁波在吸波体表面反射。

图9

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图9   S0、S1、S2和S3样品的阻抗匹配率(Z)

Fig.9   Impedance matching for the S0 (a), S1 (b), S2 (c) and S3 (d)


具有良好阻抗匹配的吸波材料使更多的入射电磁波在吸波体表面不被反射，进入吸波体内部的电磁波被耗散掉而实现吸收材料对电磁波的吸收。衰减常数

α=2πfcμ″ε″-μ'ε'+μ″ε″-μ'ε'2+μ'ε″+μ″ε'2

可定量表征吸波材料的衰减特性[32,33]。

图10给出了4个样品的衰减常数(α)随频率变化。可以看出，这4个样品在2~18 GHz范围内随着频率的提高衰减常数逐渐增大。未包覆SiO2壳层的S0样品在11~18 GHz的衰减常数最高，因为超强的磁损耗与非晶微球相互接触产生传导损耗。包覆SiO2壳层的3个样品中，S2样品的吸波性能最优，在测试的频段电磁衰减能力最强，阻抗匹配性能最好。高性能样品的优异吸波性能，主要源于良好的阻抗匹配。

图10

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图10   S0、S1、S2和S3样品在频率2~18 GHz范围的衰减常数(α)

Fig.10   Attenuation constants (α) of S0, S1, S2 and S3 samples in the range of 2-18 GHz


3 结论

化学包覆可制备核壳结构FeSiBCuNbZr@SiO2复合粉末，SiO2壳层的厚度影响其电磁特性和吸波性能。包覆SiO2壳层可提高这种复合粉末的介电损耗和改善阻抗匹配。核壳结构FeSiBCuNbZr@SiO2复合粉末的优异吸波性能源于非晶磁芯的磁损耗和SiO2壳层的介电损耗的协同作用，使阻抗匹配优化。

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