材料研究学报  1988, Vol. 2 Issue (2): 50-52

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直流电场对LiNbO_3晶体亚临界裂纹扩展的影响

施济民;张清纯

中国科学院上海硅酸盐研究所;中国科学院上海硅酸盐研究所

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施济民;张清纯. 直流电场对LiNbO_3晶体亚临界裂纹扩展的影响[J]. 材料研究学报, 1988, 2(2): 50-52.
, . [J]. Chin J Mater Res, 1988, 2(2): 50-52.

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(682 KB)   摘要: <正> 人们对玻璃、Al_2O_3、Si_3N_4、SiC 等典型材料以及TiBaO_3和PZT 等功能陶瓷的亚临界裂纹扩展行为进行了研究,并验证了裂纹扩展速率V 和应力强度因子K_1。之间关系式V=AK_I~n的适用性(A为实验常数)。本文以Li NbO_3晶体为对象,研究了晶体学取向、极化因素、直流电场强度和取向对其亚临界裂纹扩展行为的影响。 收稿日期: 1988-04-25      基金资助:国家自然科学基金:5860348 服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 施济民 张清纯 44.8K 链接本文: https://www.cjmr.org/CN/      或      https://www.cjmr.org/CN/Y1988/V2/I2/50 No related articles found! Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed