材料研究学报  1994, Vol. 8 Issue (1): 88-92

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聚酰亚胺LB膜MIS结构C-V特性

林海安;吴冲若

东南大学

C- V CHARACTERISTICS OF MIS STRUCTURES WITH LANGMURI-BLODGETT POLYIMIDE FILMS

LIN Hat'an ;WU Chongruo(Southeast University)

林海安;吴冲若. 聚酰亚胺LB膜MIS结构C-V特性[J]. 材料研究学报, 1994, 8(1): 88-92.
, . C- V CHARACTERISTICS OF MIS STRUCTURES WITH LANGMURI-BLODGETT POLYIMIDE FILMS[J]. Chin J Mater Res, 1994, 8(1): 88-92.

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(384 KB)   摘要: 本文报道了Al/LB聚酰亚胺膜/P-Si(100)MIS结构的C一V特性研究结果.67层LB膜样品C-V特性近乎理想,具有负的固定电荷密度约1011cm-2量级,平带时滞后小于0.3V对于MIS隧道结,除了在-0.5—-1.5V间具有反型层箝位产生的电容峰外,在-1.5—-4V间还出现了另一电容峰值.假设在强电场下隧穿能力剧增,从而结构由隧穿限制区重新进入半导体限制区,可以解释这一峰值的出现,考虑到少子注入引入的扩散电容,正、反向扫描时电容峰值的差别可以得到解释 关键词 ： LB聚酰亚胺膜,  MIS隧道结,  双电容峰,  少子注入,  类金属-半导体结     Abstract：C-V technology is an effective method of studing semiconductor interfaCe. This paper will rePort some interesting new results of C-V characteristics which are obtained from MIS tunnel junction with LB insulting films.The substrates used in present resear Key words： LB polyimide; MIS tunnel junction; double capacitance humps; minority carrries injection; like-metal-Semiconductor junction 收稿日期: 1994-02-25      服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 林海安 吴冲若 44.8K 链接本文: https://www.cjmr.org/CN/      或      https://www.cjmr.org/CN/Y1994/V8/I1/88 1KarS,DahlkeWEetal．Solid-StateELECTRONICS1972;15:2212GreenMAShewchenJJApplPhys,1975;45:5853林海安,吴冲若,石一心．TFC’91全国薄膜学术会议论文集北京,19914郭维廉,Si—SiO2界面物理．北京:国防工业出版社,1982:515GreenMA,KingFD,SbewchenJ．Solid—StateElectronics,1974;17:551 No related articles found! Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed