低压ZnO—Bi_2O_3─TiO_2系材料的退火特性及显微结构

材料研究学报

1994, Vol. 8

Issue (2): 155-157

研究论文

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低压ZnO—Bi_2O_3─TiO_2系材料的退火特性及显微结构

康雪雅;庄顺昌

中国科学院新疆物理研究所

ANNEALING PROPERTIES AND MICROSTRUCTURE OFLOW VOLTAGE ZnO-Bi_2O_3-TiO_2 VARISTORS

KANG Xueya;ZHUANG Shunchang(Xinjiang Institule of physics; Chipese Academy of Sciences)

引用本文:

康雪雅;庄顺昌. 低压ZnO—Bi_2O_3─TiO_2系材料的退火特性及显微结构[J]. 材料研究学报, 1994, 8(2): 155-157.
, . ANNEALING PROPERTIES AND MICROSTRUCTURE OFLOW VOLTAGE ZnO-Bi_2O_3-TiO_2 VARISTORS[J]. Chin J Mater Res, 1994, 8(2): 155-157.

全文: PDF(1142 KB)

摘要: 研究了退火温度对ZnO2—Bi2O3一TiO2系材料相结构、显微形态及电性能的影响,得出500℃以下退火,材料的性能稳定并有所改善,500℃以上退火材料的压敏电压升高,非线性特性变坏

关键词 ：低压ZnO, 退火特性, 显微结构

Abstract：By using XRD and SEM the phase structure, microstructure and electrical properties ofZnO-Bi2O3-TiO2 system were studied at different annealing temperatures. It is found that the varistor becomes stable at annealing temperafure less than 500℃. The breakdow

Key words： annealing properties;microstructure;low voltage ZnO varistors

收稿日期: 1994-04-25

基金资助:中国科学院青年基金

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