材料研究学报  1994, Vol. 8 Issue (3): 257-262

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a—Si　TFT复合栅绝缘层用阳极氧化Ta_2O_5的研究

熊绍珍;张建军;周祯华;孟志国;戴永平;谷纯芝;马京涛;丁世斌;赵庚申

南开大学;深圳天马微电子公司研究所

STUDY OF Ta_2O_5 USED IN DOUBLE-LAYER GATE INSULTOR a-Si TFT

XIONG Shaozhen; ZHANG Jiangiun; ZHOU Zhenhua; MENG Zhiguo; DAI Yongping;GU Chunzhi; MA Jingtao; DING Shibin; ZHAO Gengshen(Institute of Thin Film Devices and Technology. Nankai University)(Institute of Tian Ma Microelectronics; Shenzhen)

熊绍珍;张建军;周祯华;孟志国;戴永平;谷纯芝;马京涛;丁世斌;赵庚申. a—Si　TFT复合栅绝缘层用阳极氧化Ta_2O_5的研究[J]. 材料研究学报, 1994, 8(3): 257-262.
, , , , , , , , . STUDY OF Ta_2O_5 USED IN DOUBLE-LAYER GATE INSULTOR a-Si TFT[J]. Chin J Mater Res, 1994, 8(3): 257-262.

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(491 KB)   摘要: 研究了Ta的阳极氧化反应动力学用自制装置有效地控制用于非晶硅薄膜晶体管(a─SiTFT)的复合栅绝缘层Ta2O5厚度,膜质均匀、性能优良,使复合栅绝缘层a─SiTFT的开启电压(VT)控制在3─5V之间,开关电流比(I(on)/I(off))大于107,场效应迁移率为0.86cm2/V·S. 关键词 ： 非晶硅薄膜晶体管(a—SiTFT),  复合栅绝缘层,  冗错技术,  有源矩阵液晶显示(AM—LCD)     Abstract：Ta2O5 used in double-layer gate insulator a-Si TFT is formed by anodizing Ta. its process is compatible with fabricating process of TFT and its performance is excellent. We use citric acid solution as electrolyte and constant-current source as the power. Key words： a-Si TFT    Double-layer gate insulator    Redundance technology    AM-LCD 收稿日期: 1994-06-25      服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 熊绍珍 张建军 周祯华 孟志国 戴永平 谷纯芝 马京涛 丁世斌 赵庚申 44.8K 链接本文: https://www.cjmr.org/CN/      或      https://www.cjmr.org/CN/Y1994/V8/I3/257 1OkitaT,SID’90Digest1990;4412孟志国,张建军,周帧华等,第六届全国非品物理文集,桂林1991;1073张建军,南开大学硕士生毕业论文,19924熊绍珍,孟志国,戴永平等．半导体学报,1994年;15(2):1305PowellMJ,MRS’84,Proceedings,1984;33:5296LecomberPG,SpearWE．ElectronicsLetters,1979;15:1797进子英二著,刘维民译,液晶电视机,江苏科学技术出版社,1990:239 No related articles found! Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed