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溅射功率对Ge2Sb2Te5薄膜光学常数的影响 |
谢泉(1;2); 侯立松(1);干福熹(1); 阮昊(1);李晶(1);李进延(1) |
1.中国科学院上海光学精密机械研究所; 2.长沙交通学院 |
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引用本文:
谢泉; 侯立松; 干福熹; 阮昊; 李晶; 李进延 . 溅射功率对Ge2Sb2Te5薄膜光学常数的影响[J]. 材料研究学报, 2000, 14(5): 501-504.
1 M.Chen, K.A.Rubin, Vmarrello, U.G.Gerber, V.B.Jipson, Appl.Phys.Lett., 46(8), 734(1985) 2 N.Yamada, E.Ohno, K.Nishiuchi, N.Akahira, J.Appl.Phys., 69(5), 2849(1991) 3 N.Nobukuni, M.Takashima, T.Ohno, M.Horie, J.Appl.Phys., 78(12), 6980(1995) 4 K.M.Rabe, J.D.Joannopoulos, Phys.Rev.B, 36(6), 3319(1987) 5 J. Gouzalez--Hernandez, E. Lopez-Cruz, M. Yanez-Limon, D. Strand, B. B. Chao ) S. R. Ovshinsky, Solid StateCommunications, 98(9), 593(1995) 6薛松生,范正修,干福熹,光学学报,12(2);274(1992) 7 Hun SED, Tan-Hee JEONG, Jeong-Woo PARK, Cheong YEON, Sang-Jun KIM, Sang--Youl KIM,Jpn.J.Appl.Phys.Part 1, 39(2B)2000 8 Cyril TRAPPE, Bernard BECHEVET, Berangere HYOT, Olaf WINKLER, Stefan FACSKO, HeinrichKURR, Jpn.J.Appl.Phys., Part 1. 39(2B)2000 9 Jin--Hong Kim, Myong R.Kim, Jpn.J.Appl.Phys., Part 1, 37(4B), 2116(1998) |
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