材料研究学报  2000, Vol. 14 Issue (4): 373-378

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Hg1-xMnxTe晶体的生长及电学性能

李宇杰; 刘晓华; 介万奇

西北工业大学凝固技术国家重点实验室

李宇杰; 刘晓华; 介万奇 . Hg1-xMnxTe晶体的生长及电学性能[J]. 材料研究学报, 2000, 14(4): 373-378.

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(854 KB)   摘要: 利用ACRT--VBM法生长Hg1-xMnxTe晶体, 并对所得晶体作出宏观和微观质量评价. 为改善晶体的电学性质, 将生长态的晶体在低温下长时间退火, 实现了晶片的反型. Hall电测量的结果表明位错的数量、分布及富Te相、晶界、杂质等的存在都对晶体的电学性质有显著的影响. 关键词 ： Hg1-xMnxTe,  宏观质量评价,  微观质量评价     Key words： 收稿日期: 1900-01-01      服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 李宇杰 刘晓华 介万奇 44.8K 链接本文: https://www.cjmr.org/CN/Y2000/V14/I4/373 1 T.Piotrowski, O.de.Melo, F.Leccabue, B.E.Watts, B.Billia, H.Jamgotchian, L.H.Ungar, Mater.Lett., 10,296(1990) 2 J.K.Furdyna, J.Appl.Phys., 53, 7637(1982) 3 R.G.Mani, T.Mcnair, C.R. Lu, R.Grober, J.Cryst.Growth, 97, 617(1989) 4 S.Takeyama, S.Narita, J.Appl.Phys., 24, 1270(1985) 5 K.Nakagawa, K.Macda, S.Takeuchi, Appl.Phys.Lett., 34(9), 574(1979) 6 M.Inoue, I.Teramoto, S.Takayanagi, J.Appl.Phys., 33, 2578(1960) 7 M.Inoue, I.Teramoto, S.Takayanagi, J.Appl.Phys., 34, 404(1963) 8 宋炳文,红外技术,9(4),1(1987) No related articles found! Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed