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材料研究学报  2000, Vol. 14 Issue (2): 221-224    
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CdTe介质膜与HgCdTe晶片间界面特性的研究
周咏东(1); 赵军(2); 李言谨(2); 方家熊(2)
1.苏州大学; 2. 中国科学院上海技术物理研究所
引用本文:

周咏东; 赵军; 李言谨; 方家熊 . CdTe介质膜与HgCdTe晶片间界面特性的研究[J]. 材料研究学报, 2000, 14(2): 221-224.

全文: PDF(389 KB)  
摘要: 利用Ar+束溅射沉积技术在HgCdTe表面低温生长了CdTe介质薄膜. 分别用CdTe介质膜和HgCdTe自身阳极氧化膜对HgCdTe表面钝化. 利用光电导衰退信号波形的拟合, 得到了不同表面钝化的HgCdTe非平衡载流子表面复合速度. 结果表明, CdTe/HgCdTe界面质量已超过自身阳极氧化膜/HgCdTe界面质量.
关键词 CdTeAr+束溅射沉积HgCdTe光电导衰退    
Key words
收稿日期: 1900-01-01     
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