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材料研究学报  2000, Vol. 14 Issue (2): 173-178    
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ITO薄膜的XPS和AES研究
陈猛; 裴志亮; 白雪冬; 黄荣芳; 闻立时
中国科学院金属研究所
引用本文:

陈猛; 裴志亮; 白雪冬; 黄荣芳; 闻立时 . ITO薄膜的XPS和AES研究[J]. 材料研究学报, 2000, 14(2): 173-178.

全文: PDF(594 KB)  
摘要: 分别用XPS和AES分析了ITO薄膜真空退火前后各元素化学状态的变化和深度分布情况. 研究表明, 退火前后Sn和In处于各自相同的化学状态中. O以氧充足和氧缺乏两种化合状态存在, 其结合能值分别为(529.90±0.30)eV和(531.40±0.20)eV. 氧缺位状态主要分布在薄膜表层.各元素在薄膜体内分布均匀而在膜基界面存在金属富集.
关键词 化学状态光电子能谱俄歇电子能谱     
Key words
收稿日期: 1900-01-01     
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